氢分子吸附碳纳米管场发射性质的密度泛函理论研究

使用第一原理密度泛函理论方法,对吸附氢分子的开口(5,5)单壁碳纳米管在有电场和无电场情况下的性质进行研究。研究结果表明在有电场发射条件下,吸附氢分子后的结构更加稳定。氢分子吸附后,费米能级处的局域态密度增加。     

从电影里走出来的那些高科技

<正>可用手指随意拖曳的触摸屏,可进行全球搜索的定位导航系统,3D全息投影系统,头戴式3D显示器等科幻大片中的高科技产品,总能让人看得目瞪口呆,然而这些当初电影编剧们心目中的未来科技,已经慢慢成为现实,走入我们的生活……一秒变幽灵——隐形斗篷【电影原型】影片《哈利·波特》中,年轻的魔法师哈利·波特有一件能吸收和反射光线的隐形斗篷,帮助他轻易地避开人们的耳目,瞒天过海进入各种密室     

基于GPU的自由立体显示器通用渲染算法

自由立体显示器作为三维显示器中的一种,能够产生具有空间感的三维映像,但在显示虚拟的三维场景时,需要对场景进行多视角渲染,渲染和数据传输次数都数倍增加,因而实时渲染成为难题。与传统的多视角渲染方法不同,提出的加速算法改变了渲染流程,把每个视角渲染后用于合成的子图像不再存回系统主存中,而是将这些子图像传入纹理内存。同时程序中采用了多处最新的OpenGL扩展功能,通过FBO将场景直接渲染到三维纹理,极大提高了纹理传输和多层纹理混合的效率,从而加速了整个渲染过程。另外,由于本方法保留了对各视角图像的独立渲染运算,对渲染场景具有很强的通用性。通过与其他算法的实验比较,证明了提出方法的通用性和稳定性,达到了实时显示的要求。     

高温烧结和等离子轰击改善碳纳米管薄膜的场发射性能

针对丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜阴极场发射能力差和寿命短等问题,提出了一种能有效改善其场发射性能的高温烧结和等离子轰击后处理方法.同其他方法相比,该方法避免了直接接触对CNTs膜体造成的机械损伤,能彻底清除CNTs薄膜表面的有机粘合剂,增强CNTs薄膜与衬底的接触,并且烧毁超长的CNTs尖端.场发射特性测试表明,经该方法处理的CNTs薄膜的开启场强为2.6 V/μm,电流密度在场强为9.0 v/μm时达到527×10-6A/cm2.场发射寿命测试显示,该方法处理的CNTs薄膜阴极经点亮200 min后电流密度基本没有衰减,波动也较小.该方法为改善丝网印刷CNTs薄膜阴极的场发射性能提供了一种可行的方案.     

DVI接口技术在彩色FED显示系统中的应用

介绍了数字视频接口DVI接口规范,论述了SiI161A芯片内部功能结构、工作时序以及在彩色FED平板显示器件视频驱动电路中的应用.提出了基于SiI161A的硬件电路设计方案,此电路方案已在63.5 cm彩色FED驱动系统中使用,为系统提供多种分辨率优质的数字视频信号.采用DVI数字视频接口技术研制出了能驱动显示VGA分辨率的印刷型FED视频显示系统.该样机能显示彩色视频图像,图像亮度已达410 cd/m2、对比度达1 010∶1,电路灰度等级达256级,有效显示对角线尺寸为63.5 cm.     

线槽状几何场增强模型研究

对几何增强有效场强应用于肖特基接触从而提高碳膜场发射性能的机理进行了理论分析,介绍了一种有效而实用的平面线槽状排列几何模型,并将其与传统的密排型阵列微尖模型进行了比较.发现对比密排型阵列微尖模型,这种平面线槽状几何增强模型与肖特基接触结合后,场发射均匀性、电流密度、发射点密度等各项场发射指标都有很大改善.     

用于TFT-LCD驱动的高效率高性能电荷泵设计

设计了一种用于TFT-LCD驱动的高效率高性能电荷泵.在分析了宽输入恒输出电荷泵原理的基础上,采用跟踪输入电压动态调整升压倍率的方法,克服了传统固定倍率电荷泵的效率随输入电压升高而大幅降低的缺点.提出了简单多倍率开关阵列及控制电路,采用了改进的三管复合开关减小静态功耗.电路用0.6μm BiCMOS工艺实现.测试表明:在输入电压2.7~5.5 V,工作频率250 kHz条件下,输出电压为5 V,满载电流为25 mA,平均效率提高了14%,最低效率提高了15%,静态电流为0.1 mA,负载调整率为0.014%mA-1.     

综合自动化变电站中监控机电源技术改进探析

本文主要从有人值班的综合自动化变电站,当地监控机一般需要UPS或直流系统逆变器提供不间断电源。通过简单改造甚至不改造,将监控机直接接到直流系统240伏直流电压,以更简节的方式获得更好的不间断电源进行探析。     

综合显示控制系统的设计与实现

针对飞机的综合量示控制系统,为了特大量复杂的数据通过显示嚣呈现给飞行员,采用图形开发软件IData来设计图形显示,实现了座舱信息图形化综合显示控制功能,系统综合化程度高、人机工效良好,通用性强,可兼容多载机平台,符合了座舱显控系统高度综合化的发展趋势.     

一维ZnO纳米结构的场发射性能研究进展

介绍了一维ZnO纳米材料的常用制备技术及其场发射领域的研究进展,比较不同结构的一维ZnO纳米材料的场发射性能．进而总结影响其场发射性能的因素。