混晶GaAs1—xPx：N中Nx带的发光瞬态过程研究

采用皮称量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ材料发光瞬态过程，结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带转变的带增强效应，对Ｎｘ发光带不同能量位置的发光衰退测量还表明Ｎｘ带同时存在着快速的带内隧道转移和较慢的发光衰退过程。     

微电子学系介绍

微电子学系有着源远流长的学术渊源,发展历史可以追溯到1956年由著名物理学家黄昆院士领导、在北大物理系创建的我国第一个半导体物理专业。半个世纪以来,微电子学专业及其前身北大半导体物理专业在中国微电子技术的发展过程中发挥了重要作用,是我国微电子领域培养高级人才和科研开发的重要基地。19 77年我国第一块1KMOSDRAM即诞生于北京大学,2 0 0 1年微电子学与固体电子学学科又被评为国家重点学科。微电子学系具有良好的人才培养与科学研究的先进设施,现在拥有3个国家或部委重点实验室:微米 纳米加工技术国家级重点实验室、新工艺新…     

1.3μmInGaAp／InP高频大功率SPB—BC激光器

提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器结构。用Ｐ－ＩｎＰ做衬底。     

Design of radiation hard phase-locked loop at 2.5 GHz using SOS-CMOS

Abstract: A radiation hard phase-locked loop (PLL) is designed at 2.5 GHz using silicon on sapphire complementary metal-oxide-semiconductor process. Radiation hardness is achieved through improving circuit design without sacrificing real estate. Stability is guaranteed by a fully self-bias architecture. The lock time of PLL is minimized by maximizing the loop bandwidth. Frequency tuning range of voltage controlled oscillator is significantly enhanced by a novel load configuration. In addition, multiple bias stages, asynchronous frequency divider, and silicon on sapphire process jointly make the proposed PLL more radiation hard. Layout of this PLL is simulated by Cadence Spectre RF under both single event effect and total induced dose effect. Simulation results demonstrate excellent stability, lock time < 600 ns, frequency tuning range [1.57 GHz, 3.46 GHz], and jitter < 12 ps. Through comparison with PLLs in literatures, the PLL is especially superior in terms of lock time and frequency tuning range performances.     

基于有色赋时Petri网的半导体生产线建模技术研究

在深入了解半导体制造过程的基础上,为了有效分析半导体生产线调度与控制性能,提出了有色赋时Petri网的半导体生产线建模方法。该模型,根据生产线所存在主要调度子问题及其之间的相互关系,将半导体生产线划分为投料控制模块、路径调度模块和工件调度模块,这样可以有效降低模型的复杂性和提高模型的可重用性。建立以一个拥有3个工作中心、6台设备的半导体生产线Petri网模型,并对模型进行分析。最后指出了下一步的工作目标。     

Mo掺杂BN磁性第一性原理计算

利用LDA+U进行优化,在广义梯度近似下(GGA)采用第一性原理平面波赝势方法,对Mo掺杂的闪锌矿稀磁半导体B1-x Mox N(x=0.062 5,0.125)的电子结构和磁性进行了研究.结果表明,掺入磁性过渡金属Mo后的BN明显呈现出半金属特征,Mo原子在较小的掺杂浓度下构成了中间带隙的深层能级,使得原胞中Mo原子的局域磁矩约3.0μB,并且不随杂质浓度变化而改变.在B1-x Mox N(x=0.0625,0.125)体系多种替位构形中,N220型的Mo-Mo铁磁耦合态最稳定,其铁磁性主要是由双交换机制引起,这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值.     

分子水氧化催化剂及其光电催化分解水研究进展

总结了近年来基于不同第一过渡系列金属的分子水氧化催化剂,包括贵金属分子水氧化催化剂和非金属分子水氧化催化剂;以及常用的氧化物半导体电极材料,例如α-Fe₂O₃、WO₃和BiVO₄等。概述了目前分子水氧化催化剂在电极表面的负载方式,包括物理吸附方式、共价键结合方式、分子催化剂修饰吸附基团方式、静电作用和π-π堆积作用等。提出构建高效稳定的光致水分解分子器件需要解决的问题,从而实现利用太阳能大规模裂解水制备清洁能源的设想。     

小型光伏半导体冰箱制冷/制热性能研究

提出了一种光伏半导体冰箱系统,分别在直流和交流供电的情况下对该系统的制冷、制热性能进行了实验研究．实验表明,制冷时该系统能维持箱内温度在5．0～10．0℃,制热时能维持箱内温度在62．0～68．0℃．此外,直流供电时的性能比较稳定,环境温度对其影响较小．该冰箱系统可用于户外缺电地区的食物、食品等进行保鲜或保温．     

一位“75后”启明星的追求和视野——访上海超硅半导体有限公司研发部经理刘浦锋博士

采访刘浦锋(见图)是年初时就定的,启明星通讯录上显示他是上海超硅半导体有限公司研发部经理,博士学历,因为6英寸蓝宝石晶棒生长方面的工作得到2012年启明星计划的资助。我与刘浦锋联系采访时,还在德国出差的他很爽气地和我约定了时间,于是上周我有机会和这位来自民营科企的75后(1977年出生)启明星见面。