时域多分辨率法分析二维光子带隙结构的色散特性

采用时域多分辨率法分析计算了在TM波情形下二维介质光子带隙结构的色散曲线．分别在介质柱的相对介电常数εr＝10．2，20．2的算例中选取较粗网格(约为细网格的3倍)，其计算结果在精度上与采用细网格的时域有限差分法相同，但均明显地节省了计算内存和时间。     

实时嵌入式系统集成开发环境研究与设计

借鉴已有开发环境风格和经验，研究和实现一个支持嵌入式系统开发的集成开发环境，其中已调试系统为重点，实现查询修改系统资源、查询系统实体、指令集模拟器，交叉调试功能。     

半导体纳米粒子气—固复相光催化氧化气相有机污染物的研究

本文介绍了半导体纳米粒子气—固复相光催化氧化法的原理及影响因素,探讨了气相有机物光催化降解的过程和动力学,综述了提高半导体纳米粒子光催化活性的途径,讨论了气相有机污染物光催化降解进一步研究的方向,并对应用前景作出展望。     

控制光子的“半导体”——光子晶体

光子晶体是一种新型功能材料,其最基本的特征是具有光子频率带隙,频率落在带隙内的电磁波被禁止在光子晶体中传播。本文简述了光子晶体的基本性质和理论研究方法,介绍了光子晶体的制备,并对光子晶体的应用前景给予了简短的评述。     

由同种材料构成的一维光子晶体的研究

研究了一种由同种介质组成的一维类梳状光子晶体的带结构,发现在这种结构中也存在较大的光子频率带隙,并且带隙的宽度随着分支数目的增加呈现先增大后减小的变化,这主要是因为在光子晶体中,低频率的带隙主要取决于结构的短程序,高频率的带隙则更大程度上取决于长程序,分支数目的增多对结构的短程有序影响比较大,而对长程有序的影响很小。     

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述，系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质．研究了半导体能带隙所表现出的特有性质．     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。     

数据仓库技术在高校教育管理中的应用

提出在已有的各部门业务数据库的基础上，建立高校教育管理数据仓库系统的基本构想，在竞争日益激烈的现代化教育管理体系中，引入数据仓库技术可以辅助高校管理者进行决策分析，提高学校的竞争力。     

基于CTI技术呼叫中心的实现

研究了如何应用CTI(Computer Telephony Integration)技术设计呼叫中心，概述了设计基于CTI技术的呼叫中心的基本问题，从系统的体系结构、硬件实现和软件实现3个方面详细描述了如何建立基于CTI技术的呼叫中心系统，这种技术方案的优点是投资较小、软件的开发和扩展比较容易，特别适合于业务量不大的小型呼叫中心。     

科学家发现暗能量存在的直接证据

美国匹兹堡大学斯克兰顿博士领导的一个多国科学家小组日前宣布发现暗能量存在的直接证据。爱因斯坦根据广义相对论最早作出了暗能量的假设。据推测 ,三分之二的宇宙可能由暗能量组成。暗能量会产生与引力相反的排斥力 ,因而常被用来解释宇宙加速膨胀现象。此前 ,其他研究者曾通过观测遥远的超新星发现宇宙处于加速膨胀阶段 ,间接证明了暗能量的存在。这个多国科学家小组在研究中借助了美国“威尔金森微波各向异性探测器”卫星的观测数据。这台卫星主要用来对宇宙微波背景辐射的微小变化进行观测。作为“大爆炸”的“余烬” ,宇宙微波背景辐…