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11.
介绍了在电气试验中遇到的两个奇异负值现象,探讨了造成这些现象的原因,并说明在工程实践中成功的解决方法。归纳了电气试验中消除干扰对电气试验结果影响的几点工作经验。  相似文献   
12.
本书介绍了植物分子遗传技术的基本信息,从遗传标记的定位到基因克隆。  相似文献   
13.
SrxBa1—xTiO3陶瓷的频域介电谱   总被引:2,自引:2,他引:0  
用固相反应法制备SrxBa1-xTiO3系列陶瓷.当x=0.30时呈现显著的驰豫相变特征.在5Hz至1MHz范围,相对介电常数的实部ε′随频率f的降低而增大.1/ε′与lgf的关系曲线呈现折曲的2段直线.高频相对介电常数的实部ε′h随x的增加而增大是与顺电相的增加而对应.测量点(ε′,ε″)随频率f的变化分布在复平面的一条直线上.  相似文献   
14.
应用微波吸收相相敏介电谱技术测量吸附染料J-聚集体的立方体氯化银微晶中光电子的衰减特性,从而研究染料对氯化银微中光电子的影响.研究表明:在紫外光照射吸附机染料J-聚集体的氯化银时,染料能够加快光电子的衰减;光电子的变化规律与吸附染料浓度有关;说明染料增加了氯化银微晶中的隙间银离子浓度.可见光照射吸附有机染料的氯化银时,染料能够将染料激发态的光电子转移到氯化银中;显著地增加了氯化银微晶中的光电子强度;染料起到了敏化氯化银的作用.  相似文献   
15.
用溶胶-凝胶方法在LaNiO3/Si衬底上在450℃退火条件下制备了BiCrO3.薄膜XRD研究发现BiCrO3仅有少量结晶,呈(I0I)择优取向.铁电性测试表明,室温下薄膜具有铁电性,剩余极化强度为0.6μc/cm^2,漏电流研究表明薄膜的导电机构分为三种。  相似文献   
16.
采用传统陶瓷生产工艺制备了新型(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba0.5Sr0.5)0.06Ti O3 x(wt%)MnO2体系无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的晶相结构、表面形貌、压电和介电性能.结果表明,该体系具有单一的钙钛矿结构;具有良好的压电性能,其压电常数d33为101pC/N,机电耦合系数kp为0.21,机械品质因素Qm为192,且具有较低的介质损耗(tanδ=0.0217).在1200℃,2h的烧结条件下,能够获得致密的陶瓷体;MnO2的添加量对晶粒生长具有一定的限制作用,随着Mn元素的含量增加,晶粒尺寸变大;与不添加Mn元素的陶瓷样品相比,添加少量Mn元素可以使晶粒尺寸变小,且更均匀.  相似文献   
17.
用传统固相反应法制备不同MgO含量的BST陶瓷,并研究MgO掺杂对BST陶瓷结构和性能的影响.MgO掺杂后陶瓷的XRD图谱显示存在单一的钙钛矿结构,且XRD衍射峰随着MgO含量的增加向低角度方向漂移.密度测量表明,MgO掺杂后BST陶瓷的密度有所增加,并且随着MgO含量的增加而增加,FESEM照片也证实MgO掺杂后BST陶瓷的致密性有所增加.介电性能测量结果表明,MgO掺杂后介电常数和介电损耗均减小,介电色散也减弱.介电温谱显示,MgO掺杂后介电峰被压抑和展宽,表明出现扩散相变.14℃时测量的电滞回线表明MgO掺杂后陶瓷的自发极化和矫顽场均减小,说明陶瓷的铁电性能减弱.  相似文献   
18.
以量子化介观电路为基础,侧重数值方法考察和分析压缩参量对介观电路中电压、电流量子涨落的影响.结果表明,电压、电流量子涨落的乘积随压缩参量(r,θ)的变化曲线出现2个峰值,峰值出现在相同的r值处,其峰值比电压或者电流量子涨落的峰值大,且曲线关于θ=180°对称.  相似文献   
19.
硫代苄基半胱氨酸结晶介稳区的测定及分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
考察了硫代苄基半胱氨酸(SBC)在不同的温度、pH值下的不同溶剂中的溶解度及SBC的结晶介稳区。并应用经典成核理论,计算得到固液界面张力σ,预测了SBC的结晶介稳区,理论计算值与实验数值非常相近,表明Mullin估算方法对于氨基酸类化合物结晶分离研究,仍有实际指导意义。  相似文献   
20.
~~Bi含量对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电材料性能的影响@朱骏$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @毛翔宇$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @卢网平$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @惠荣$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @陆文峰$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @陈小兵$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002~~~~~~~~  相似文献   
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