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201.
PIA法制备MMCs骨架工艺及进展 总被引:2,自引:1,他引:2
综述了有机前驱体浸渍烧蚀法(PIA)制备金属基复合材料(MMCs)用金属间化合物或陶瓷网络结构预制体的工艺过程及技术方法,分析了其制备工艺特点,指出。PIA法是目前制备MMCs最方便有效的方法。并论述了工艺进展的情况,展望了其发展前景,提出下一步需要解决的问题。 相似文献
202.
WebGIS及三维可视化技术在供水管网中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
分析当前供水管网管理信息系统中存在的两个问题,提出一套基于WebGIS和三维可视化技术的解决方案,采用MapXtreme实现网络化,用OpenGL技术实现三维可视化。 相似文献
203.
三维解读王尔德的《夜莺与玫瑰》 总被引:1,自引:0,他引:1
阎从军 《西安联合大学学报》2005,8(5):29-33
19世纪末英国唯美主义作家奥斯卡.王尔德是个备受争议的人物,但他早期的童话作品却得到了一致的好评。《夜莺与玫瑰》以其深刻的主题、纯美的意象、诗化的语言和戏剧化的情节使它具有丰富的文学内涵;其作品的艺术美、精神至美和美文思想又使它具有极高的审美价值;同时,他对生死和人生的哲理思考也在作品中有深刻的反映。所以,只有从文学、美学和哲学的三维视角才能比较全面地解读王尔德及其作品。 相似文献
204.
通过水热法合成了无机-有机杂化硼酸盐[Zn(C4H13N3)2][B5O6(OH)4]2,并通过红外与拉曼光谱分析以及元素分析对化合物进行了表征.X射线单晶结构分析结果表明,晶体属于单斜晶系,P2(1)/c空间群,晶胞参数:a=0.856 96(14)nm,b=1.178 07(19)nm,c=1.454 2(2)nm,α=90°,β=91.260(2)°,γ=90°,Z=2,V=1.467 7(4)nm3,Dc=1.602 g/cm3.五硼酸根阴离子[B5O6(OH)4]-之间通过氢键相互连接形成三维的框架结构,沿着a轴和c轴的方向存在大的孔洞,模板剂[Zn(C4H13N3)2]2 阳离子镶嵌在这些孔洞中. 相似文献
205.
将一个带电导体球放在一个均匀电场中,由于空间三维电位分布复杂,实验很难实现绘图.文中利用软件实现了三维电位分布图,并且与实验结果相吻合. 相似文献
206.
在人类交流信息、情感和动机暗示的广泛能力之中,面部是其中最关键的组成部分之一.因此,具有真实感的三维人脸模型的构造和动画是计算机图形学领域中一个重要的的研究课题.如何能够便捷有效的构造出具有真实感的三维人头部模型是其中一个难点.本文介绍了一种三维人头部模型的构造方法.该构造方法基于一个已存在的三维头部的无个体特征的一般模型,该模型可以经过调整而创造出具有个性特征的头部模型;借助于从两张从正交角度拍摄的普通的某个人的二维照片上采集到的能够反映该个体特征的数据参考点作为控制点,通过DFFD(Dirichlet Free-Form Deformation)的自由变形方法,调整该三维头部模型,进行非线性变形,向特征人面部结构逼近,从而构造出具有个性化特征的头部模型.在此基础上,本文提出了对该方法的一种改进,即对用来进行控制非线性变形的参考点赋以不同的权值,进行分层次控制,从而使得三维头部模型能够更精确的再现个体特征. 相似文献
207.
给出了特征的定义、参数化技术的定义,以及基于特征的参数化设计的定义,并建立了双螺杆磨浆机构的参数化模型,最后运用Pro/TOOLKIT和VC++实现了双螺杆磨浆机构的参数化设计。 相似文献
208.
孙福芹 《天津师范大学学报(自然科学版)》2005,25(2):50-53
考虑一类半导体方程组的混合初边值问题。利用正则化算子和逼近过程,通过一系列先验估计,在迁移率既不为常数,又不满足速度饱和的条件下,证明了其整体弱解的存在性. 相似文献
209.
论述了基于网络环境下进行渐开线圆柱齿轮三维参数化特征造型的设计思想,将轮齿与轮体分别按特征分类,实现了直齿、斜齿、螺旋齿齿轮三维造型的统一,解决了特殊齿形和齿向曲线实体造型的难点。为其他零件三维建模提供了一种有效实用的方法。 相似文献
210.
非晶Fe77.5Si8.5B14合金晶化动力学的非等温方法研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用非等温差示扫描热分析法(DSC)研究了非晶Fe77.5Si8.5B14合金的晶化动力学.不同升温速率的DSC曲线表明非晶Fe77.5Si8.5B14合金的晶化过程为两步晶化.通过对不同升温速率的DSC曲线的分析,计算了两个析晶峰的晶化表观激活能E1(388.2 kJ·mol-1)和E2(339.0 kJ·mol-1),以及两个析晶峰的Avrami指数n1(1.7)和n2(3.3).根据动力学参数分析了非晶Fe77.5Si8.5B14合金的析晶机理晶化峰1的成核类型为均匀成核,晶粒生长为扩散控制的一维生长和二维生长;晶化峰2为整体析晶,晶粒生长以界面控制的二维生长和三维生长为主.最后结合表观激活能计算了两个析晶反应的频率因子ν1(4.05×1025)和ν2(1.14×1021). 相似文献