全文获取类型
收费全文 | 4453篇 |
免费 | 86篇 |
国内免费 | 275篇 |
专业分类
系统科学 | 3篇 |
丛书文集 | 235篇 |
教育与普及 | 340篇 |
理论与方法论 | 21篇 |
现状及发展 | 73篇 |
综合类 | 4142篇 |
出版年
2024年 | 18篇 |
2023年 | 52篇 |
2022年 | 40篇 |
2021年 | 56篇 |
2020年 | 57篇 |
2019年 | 68篇 |
2018年 | 22篇 |
2017年 | 38篇 |
2016年 | 52篇 |
2015年 | 68篇 |
2014年 | 129篇 |
2013年 | 140篇 |
2012年 | 192篇 |
2011年 | 200篇 |
2010年 | 200篇 |
2009年 | 251篇 |
2008年 | 247篇 |
2007年 | 242篇 |
2006年 | 190篇 |
2005年 | 225篇 |
2004年 | 186篇 |
2003年 | 206篇 |
2002年 | 150篇 |
2001年 | 193篇 |
2000年 | 185篇 |
1999年 | 160篇 |
1998年 | 157篇 |
1997年 | 179篇 |
1996年 | 154篇 |
1995年 | 144篇 |
1994年 | 121篇 |
1993年 | 121篇 |
1992年 | 111篇 |
1991年 | 77篇 |
1990年 | 85篇 |
1989年 | 44篇 |
1988年 | 26篇 |
1987年 | 12篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
1947年 | 1篇 |
排序方式: 共有4814条查询结果,搜索用时 31 毫秒
901.
《西安交通大学学报》2017,(11)
以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律。通过测试样品时间的指数衰减,电导率和介电常数对衰减速率的影响,建立模型假设来研究二次电子发射的机理,提出了潜在电子的概念及平板电容模型;以此模型为基础进行分析推导,建立了二次电子发射过程理论模型,得出了诱导电流和二次电子发射系数实验值的表达式,与实际样品测试结果的趋势一致,二次电子发射材料性能的衰减速率与薄膜电导率正相关,验证了所提理论模型能很好地解释介质薄膜二次电子发射的衰减机理,有助于提高二次电子发射材料的衰减性能,为改进工艺和研发新型介质薄膜材料提供了一定的理论指导。 相似文献
902.
制备了C60与聚吡咯的单层及双层复合膜。应用电化学分析法研究了它们的循环伏安性质以及石英晶体微天平性质。发现无论是单层还是双层C60聚吡咯薄膜的电化学行为都与C60固态薄膜和聚吡咯薄膜的电化学性质不同。结果表明,多层C60聚吡咯薄膜的电化学性质不如单层C60聚吡咯薄膜的稳定。且单层C60聚吡咯薄膜的电化学性质基本不受C60含量的影响。 相似文献
903.
用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得了透明的(Cd,Zn)S薄膜,薄膜为纤锌矿结构,具有沿〔002〕晶向的择优生长取向.薄膜的性能随A值(A=ZnSZnS+CdS)和蒸发条件而变化,薄膜为n型材料,呈高阻状态,在可见光范围内有良好的透过率 相似文献
904.
在优化后的磁控溅射和退火条件下 ,制备SmCo(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜 .实验结果表明 ,Sm摩尔分数为 31.6 % ,Cr缓冲层为 6 6nm ,Sm(Co ,Al,Si) 5磁性层为 30nm时 ,制得的Sm(Co ,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力Hc 为 187.8kA/m ,剩磁比S =Mr/Ms≈ 0 .94;在 5 0 0℃保温 2 5min退火后 ,矫顽力Hc 达10 42 .5kA/m ,剩磁比S≈ 0 .92 ,从而制成了较理想的硬磁薄膜 相似文献
905.
利用热丝大面积金刚石薄膜气相合成(CVD)装备制备了复合金刚石薄膜,并对其表面和断面分别进行了扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和Raman光谱表征,研究了该复合结构的介电性能,利用共振电路测量了高频下薄膜的介质损耗与频率的关系,结果表明,复合结构由普通多晶金刚石薄膜和纳米金刚石薄膜组成,薄膜的表层结构体现了纳 米金刚石的特征,复合金刚石薄膜不仅具有表面光滑的优点,介电性能也接近于常规的多晶金刚石薄膜,是一种较好的电子材料,可应用于金刚石薄膜半导体器件的制备。 相似文献
906.
907.
探讨溶胶-凝胶工艺制备PZT薄膜 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜的工艺过程,探讨影响稳定溶胶配制的原材料,溶剂及溶液的pH值选取,分析催化剂和添加剂在提高薄膜质量方面的作用机理,理论上阐述了基片和PbTiO3过渡层对促进PZT薄膜晶化的影响,提出优化溶胶-凝胶技术的关键措施。利用优化工艺对采用无机盐硝酸锆,通过甩胶沉积在α-Al2O3基片上的PZT薄膜的微观表面形貌和相结构进行了观察。 相似文献
908.
建立了三层铁电复合薄膜的理论模型,采用Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)唯象理论,引入表示不同材料过渡层性质的局域分布函数,重点研究了具有不同相变温度的铁电材料复合而成的铁电薄膜的极化性质.通过改变不同铁电材料的复合方式及不同铁电材料之间过渡层的厚度,计算了铁电多层膜内部的极化强度分布.研究表明,不同相变温度的铁电材料间复合方式以及它们之间的过渡层的厚度对铁电薄膜的极化分布都有着重要的影响,并且存在临界过渡层厚度,其它复合铁电薄膜的极化分布曲线都在取两临界过渡层的曲线之间. 相似文献
909.
研究溅射富Ti-TiNi合金薄膜中的析出相及相变温度随退火温度和时间的变化规律;同时对富Ti-TiNi合金薄膜的马氏体相变温度比块村富Ti-TiNi合金及富Ni-TiNi合金薄膜低的原因进行讨论. 相似文献
910.
使用稀土对碳纳米管进行表面修饰,采用自组装技术在医用钛合金表面制备稀土改性碳纳米管复合薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)及X射线光电子能谱仪(XPS)对稀土改性碳纳米管复合薄膜的形貌及组成进行表征,并使用UMT-2MT型动-静摩擦系数精密测定仪评价薄膜的摩擦磨损性能.结果表明:在钛合金表面能够制备出硅烷薄膜及稀土改性碳纳米管复合薄膜;稀土元素能显著改善碳纳米管的表面活性,并作为基底与碳纳米管的联接介质;稀土改性碳纳米管复合薄膜的摩擦系数约为0.13,减摩效果显著,且薄膜具有良好的耐磨性能.
相似文献