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871.
利用循环伏安法研究了聚镁试剂薄膜修饰电极(PMSJE)的制备条件,详细讨论了该修饰电极对维生素C(Vc)的电催化作用。实验结果表明,在0.01 mol/L H2SO4+0.1 mol/L KNO3体系中,Vc的摩尔浓度在1.0×10-2~3.0×10-4 mol/L范围内,氧化峰电流与浓度呈良好的线性关系,检出限可达2×10-5 mol/L。8次平行样品测定结果的相对标准偏差为1.1%,样品回收率为93.6%~109.8%。 相似文献
872.
利用磁控溅射法在BaF2(111)单晶衬底上生长了PhTe薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)表征了溅射PbTe/BaF2(111)薄膜的微结构和光学特性.测量结果显示:溅射生长的PbTe/BaF2(111)薄膜表面由规则金字塔形岛和三角形坑组成的纳米颗粒构成,且薄膜沿〈111〉取向择优生长,其晶粒大小与表面纳米颗粒大小接近.室温下傅里叶红外透射谱及其理论模拟表明溅射生长的PbTe薄膜光学吸收带隙(Eg=0.351eV)出现蓝移,与PbTe纳米晶粒的尺寸效应有关. 相似文献
873.
采用一维Mason模型,研究体声波谐振器的频率特性,探讨压电薄膜AlN和上电极膜厚对谐振频率的影响,研究谐振区域的面积和声能在衬底中的损耗对品质因数的影响. 相似文献
874.
在真空度为133.3μPa时,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积SnO2薄膜。通过XRD,SEM等测试分析,研究了杂质掺杂及热处理前后的SnO2薄膜的结构,晶粒尺寸,电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明,掺Bi有效地抑制了晶粒生长,提高了薄膜的稳定性。掺Bi后,薄膜的电学特性增强,而掺In,Cd则影响不大。 相似文献
875.
薄膜的残余应力是影响MEMS器件工作可靠性和稳定性的重要因素,微旋转结构法能够简单有效地测量薄膜的残余应力.文中采用MEMS工艺制作Al薄膜微旋转结构,根据微旋转结构法对m薄膜的残余应力进行了测量和计算.实验结果表明,溅射Al膜的残余应力为张应力,大小在80~110 GPa之间.对Al薄膜悬梁进行静电驱动,其驱动电压为31 ~34 V,与根据Al膜残余应力的测量值所计算出的驱动电压基本吻合. 相似文献
876.
用射频磁控溅射法在p-Si衬底上制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其电学特性进行了分析。结果表明,样品具有很好的整流作用,起整流作用的势垒存在于(Si/SiO2)/p-Si界面附近。 相似文献
877.
磁控溅射法生长ZnO薄膜的结构和表面形貌特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射方法,在Si(111)和玻璃基片上制备ZnO薄膜.研究衬底温度和基片类型对薄膜结构、表面形貌的影响.结果显示,所有ZnO薄膜沿c轴择优生长,同种基片类型上生长的薄膜,随着衬底温度升高,(002)衍射峰强度和表面粗糙度增高;相同衬底温度下生长的ZnO薄膜,Si基片上制备的薄膜(002)衍射峰强度和表面粗糙度小于玻璃片上的.基片类型影响薄膜应力状态,玻璃片上制备的ZnO薄膜处于张应变状态,Si基片上的薄膜处于压应变状态;对于同种基片类型上生长的ZnO薄膜,衬底温度升高,应力减小.Si衬底上、300℃下沉积的薄膜颗粒尺寸分布呈正态. 相似文献
878.
背光源是TFT—LCD(薄膜液晶体显示器)光源的提供者,液晶显示器本身并不发光,背光源的表现便决定了液晶显示器表现在外的视觉感,液晶显示器由于其厚度薄,质量轻,低耗费且携带方便,近年来需求快速增加,背光源占液晶显示器所有材料成本的20%-30%,液晶显示器为保持在未来市场的竞争力,开发、设计新型的背光源新技术成为一个严峻的课题。 相似文献
879.
研究 Ti O2 纳米晶薄膜电极的光电化学特性 .通过测定阳极光电流 -时间瞬态光电流响应 ,分析纳米晶薄膜 /溶液界面的光生电荷转移的动力学规律 .光照后的慢电流响应与 Ti O2纳米材料的表面态有关 .导带电子向深能级表面态的传递是造成慢电流响应的原因 . 相似文献
880.
常温下,利用射频(RF)反应磁控溅射方法在K9双面抛光玻璃基底上沉积氧化钛薄膜.采用光栅光谱仪对薄膜样品的透射谱进行测试,通过椭圆偏振光谱仪测试并拟合得到薄膜的厚度、折射率和消光系数等光学参数,借助掠入射角X-射线衍射对薄膜的结晶状态进行了测试.实验结果表明:不同溅射功率下沉积的样品呈非晶态,在40~100W范围内,溅射功率越大,薄膜的沉积速率越大,但溅射功率对折射率和消光系数影响不大. 相似文献