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761.
研究了以DCJTB掺杂Alq作为发光层的红色电致发光器件的发光特性,通过分析Alq与Alq:DCJTB的激发光谱与发光光谱,得出了存在着从Alq到DCJTB的能量传递。同时给出并分析了不同DCJTB掺杂浓度对器件发光特性的影响。 相似文献
762.
蓝色有机薄膜电致发光材料LiBq4 总被引:4,自引:0,他引:4
合成了一种新型的金属有机螯合物LiBq4(Lithium tetra-(8-hydroxy-quinolinato)boron),并研究了其光致发光(PL)和电致发光(EL)的性质,在以LiBq4为发光层的三层结构器件ITO/TPP(50nm)/LiBq4(50nm)/AlQ(5nm)/Al中得到了蓝色发光。 相似文献
763.
苯酚的TiO2薄膜光电催化降解及反应产物的分布 总被引:10,自引:0,他引:10
采用TiO2薄膜光电催化法,借助于HPLC测试技术研究了苯酚的降解及氧化产物的 分布。研究结果表明,苯酚的降解以及中间产物的分布与苯酚的外加电压、TiO2薄膜电极的制膜条件、样品处理量等因素有关,在适当的光电催化条件下,可以将苯酚全部分解为无毒无害的低分子化合物。 相似文献
764.
应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术 ,先在不锈钢基底上室温下淀积出平面织构的钇稳锆(YSZ)缓冲层薄膜 ,再在YSZ/不锈钢上 750℃下制备出了平面织构和高临界电流密度YBa2 Cu3 O7-x(YBCO)薄膜 .YSZ和YBCO薄膜都为C 轴取向和平面织构的 ,YSZ( 2 0 2 )和YBCO( 1 0 3 )的X射线 (扫描衍射峰的全宽半峰值分别为 2 0°和 1 2°.YBCO薄膜的临界温度和临界电流密度分别为 91K(R =0 )和 7.2× 1 0 5A/cm2 ( 77K ,无外磁场 ) . 相似文献
765.
766.
采用脉冲激光镀膜(PLD)工艺,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了柱状结构0.7BiFeO3-0.3CoFe2O4(BFO-CFO)多铁性复合薄膜.在薄膜的沉积过程中,通过自组装生长实现钙钛矿结构BiFeO3和尖晶石结构CoFe2O4相的形成以及两相分离.探索了BFO-CFO复合薄膜的生长条件和机制,研究了薄膜厚度对BFO-CFO复合薄膜结构和性能的影响. 相似文献
767.
利用有限差分法对脉冲激光沉积(PLD)技术制备ZnO薄膜过程中等离子体在等温和绝热两个阶段的速度演化进行了模拟,并给出了其中主要粒子在空间的具体演化规律,同时对等离子体在空间膨胀的物理机制进行了深入的讨论. 相似文献
768.
利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD), 以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜, 采用XRD, 霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析, 研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响. 结果表明, 生长温度较低时, 薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降, 衬底温度为400℃时, 载流子浓度达到+5.127×1017 cm-3, 电阻率为0.04706 Ω·cm, 迁移率为259 cm2/(V·s), 并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性. 当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型. 相似文献
769.
采用不同氮分压(RN2)的氩气和氮气混和气体溅射Mg0.18Zn0.82O合金靶材,在石英衬底上生长了MgxZn1-xO(MgZnO)合金薄膜,研究了氮分压对薄膜组分、结构和光学、电学性质.结果表明:薄膜中的Mg含量(x)随着RN2的增加呈线性增加,导致其结构和光学带隙(Eg)随氮分压变化.Mg含量随氮分压的变化归因于:当氮分压增加时,与N反应形成NO2的O原子数目增加,导致与Mg、Zn反应的O原子数目减少.而Mg比Zn优先与剩下的O原子结合形成MgO,导致只有部分Zn能够跟O结合形成ZnO.未反应的Zn将以原子的形式沉积到衬底上继而因高的衬底温度发生二次蒸发离开衬底,导致薄膜中Zn含量减小,即Mg含量增大.当对由氮分压不为零制备的高阻MgZnO薄膜进行真空退火后,薄膜呈p型导电,说明这种p型导电与氮掺杂有关.本文讨论了Vegard定理用于估算MgZnO中Mg含量的正确表达式. 相似文献
770.