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701.
在不同氧浓度下,采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了Ti掺杂的WO3薄膜并在450℃退火。用X射线衍射(XRD)、分光光度计、台阶仪等对薄膜的结构和光学性质进行表征,分析了不同氧浓度对气敏薄膜的透光率、微结构及光学带隙的影响。结果表明,氧浓度增大,沉积速率越慢,膜厚度减小,薄膜的平均晶粒尺寸增大,晶面间距增大;透射率曲线随着氧浓度的增加逐渐向短波方向移动,表明薄膜的光学带隙宽度随氧浓度的增大而变大。 相似文献
702.
采用射频磁控溅射法,以高纯Al(99.999%)为靶材,高纯N2为反应气体,在硅及金刚石上制备了氮化铝(AIN)薄膜.研究了氩气氮气比例、溅射气压等工艺参数对A1N膜沉积的影响规律.结果表明,随着氮气比例的增大A1N(002)取向明显增强.溅射气压低有利于以AIN(002)面择优取向. 相似文献
703.
利用射频磁控溅射(Radio frequency-magnetro sputtering,RF-MS)和电子束蒸发(Electron beam evaporation,E-BE)方法制备ZnO薄膜,并对两种方法制备的薄膜在400、450和500℃退火后的微观结构、光学与电学性能进行比较.结果表明,RF-MS比E-BE制备的ZnO薄膜的晶粒细小且均匀,表面粗糙度小.两种方法制备的ZnO薄膜的平均透光率均大于80%,且随温度升高均表现出禁带宽度变小以及在380 nm附近出现近带边发射和绿光发射现象.此外,E-BE比RF-MS制备的ZnO薄膜的电阻率小. 相似文献
704.
衬底温度对射频溅射沉积ZAO透明导电薄膜性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
利用射频磁控溅射法制备了ZAO透明导电薄膜,通过XRD、SEM等手段对薄膜特性进行测试分析,研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌及其光电性能的影响.结果表明:衬底温度从300 ℃增加到400 ℃时,薄膜晶粒增大,晶粒结构分布规则,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高.当衬底温度为400 ℃时ZAO薄膜的电阻率为2×10-3 Ω*cm、透过率为84 %,但是当衬底温度进一步升高时,薄膜性质将呈现下降趋势. 相似文献
705.
韧性薄膜/基底体系锥形压痕的有限元分析 总被引:1,自引:0,他引:1
使用量纲分析和有限元法探讨了圆锥性压头压入韧性薄膜/韧性基底体系的力学响应.根据量纲分析,我们建立了压入响应和薄膜及基底的力学参量的无量纲关系.通过对压痕曲线的几个关键变量研究,发现最大压痕荷载取决于压入的深度、薄膜和基底的弹塑性性能,当压入适当深度时初始卸载斜率不受基底的屈服强度的影响.这些结论有利于深入研究韧性薄膜/韧性基底体系的压痕过程,提供了一种从锥形压痕试验中获得薄膜和基底的力学性能的方法. 相似文献
706.
通过PECVD法,用玻璃作衬底在30℃、350℃和450℃下直接沉积非晶硅(a—Si:H)薄膜,在600℃和850℃下退火三个小时,把前后样品用拉曼光谱和XRD分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃下好。 相似文献
707.
用三源共蒸法以高纯的Cu,In,Se粉为原材料制备了CuInSe2薄膜,研究了基片温度、退火处理对薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响.用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、霍尔效应仪对薄膜的形貌、结构、光学及电学性能进行检测.研究结果表明:不同基片温度下的薄膜对可见光都具有较高的吸收指数;薄膜在(112)晶面有高度的择优取向;基片温度为200℃时薄膜的Eg为0.99 eV;基片温度为200℃和300℃时薄膜都获得了单一黄铜矿结构的CuInSe2,退火处理后电阻为1.53Ω/cm2和1.55Ω/cm2. 相似文献
708.
采用射频(R.F.)磁控溅射在陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜,常温下将薄膜样品浸泡到AgNO3水溶液后,在真空380℃下退火60 min获得Ag离子掺杂的样品.利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对掺杂前后薄膜的晶体结构、外貌形态进行了表征.利用扫描电镜配备的能量色散谱仪(EDS)对薄膜化合物元素组成进行定量分析,并使用HMS-3000型霍耳效应测试测定薄膜电导等电学参数. 相似文献
709.
文章比较了单核、双核、三核磺化酞菁钴(s-CoPc、b-CoPc、t-CoPc)和1,2-二羧基酞菁钴(CobcPc)的UV-Vis、IR光谱,分析了s-CoPc/CobcPc和顺二硫氰根-双(2,2'-联吡啶-4-羧酸-4'-羧酸四丁基铵)合钌(Ⅱ)(N719)协同敏化的纳米TiO2薄膜的UV-Vis吸收性能,利用循环伏安法研究了s-CoPc、CobcPc的氧化还原行为.结果表明,s-CoPc在Q带的最大吸收峰位于655 nm,b-CoPc、t-CoPc最大吸收峰分别红移至658 nm和663 nm,先吸附N719后吸附s-CoPc的纳米TiO2薄膜以及共吸附CobcPc和N719的纳米TiO2薄膜的协同敏化效果好. 相似文献
710.
基于正交实验法的WO3电致变色薄膜Li掺杂分析 总被引:1,自引:0,他引:1
单一纯净的WO3电致变色薄膜的性能已经不能满足实际应用的需要,通过掺杂对薄膜性能进行提升已经成为WO3电致变色薄膜研究领域的一个重要环节.笔者采用乙酸锂作为Li源进行Li掺杂,分析表明:Li掺杂后的WO3薄膜性能得到了很大的提升,并对正交实验法的Li掺杂量进行了讨论. 相似文献