非均匀磁场中（1／2，1）混合自旋海森堡XXZ模型的热纠缠

研究在非均匀磁场作用下的两混合自旋（1／2，1）各向异性海森堡XXZ模型的热纠缠特性．在均匀磁场下，随着各向异性参数的增加，临界磁场和临界温度都增大．在非均匀磁场体系中磁场不均匀度在提高纠缠的临界温度和扩大纠缠存在的范围方面起着很重要的作用．     

混合Ising自旋模型的联合重正化群研究

本文应用文献[1]提出的联合实空间重正化群方法计算唐坤发和胡嘉桢提出的推广Ising自旋模型，首次得到Schofield和Bowers提出的混合Ising自旋模型的合理的临界点，并得出这种推广Ising自旋模型的较精确的相变流图，可靠地证明了混合Ising自旋模型与纯Ising自旋模型属于同一普适类。     

磁层的自施波贯穿

计算了中子自旋波穿越均匀磁场层过程的精确解，讨论了有限厚磁层、极薄磁层、回波共振和混合态入射等情形，提供了贯穿系数、极化矢量等的精确表达式，从而为高精度的中子干涉仪测量提供了一个基础．     

氧分子三种自旋异构体及其反应活性理论分析

本文用ＭＯ法研究氧分子的＾３∑＾－ｇ，＾－△ｇ和＾１∑＾＋ｇ三种自旋异构体的结构以及它们的反应活性，并对其进行理论分析。同时探讨了＾１△ｇ态氧化学在有机合成上的应用及氧分子通过光氧化反应和光敏氧化反应给人类带来潜在危害的机制。     

AB环量子点结构的电子输运

用格林函数方法研究了嵌在介绍AB环一臂中量子点的电子输运性质，数值计算表明：沿着每一共振峰，其输运相位连续的增加π，在两共振峰间的某个位置，其输运相位突然减小π，从而每一共振峰具有相同的相行为，理论结果与实验观测较好的相符。     

对La1.85Sr0.15CuO4中^139La核自旋—晶格驰豫的解释

本文采用赝隙模型研究了氧化物高临界温度超导材料La1.85Sr0.15CuO4中^139La核自旋－晶格驰豫时间，其结果与实验符合得相当好。这一成功，进一步确认了赝隙模型，即氧化物高临界温度地材料核自旋－晶格驰豫时间的反常行为是来源于正常态下电子态密度在费米面附近存在赝隙。     

用输运过程的微观解释比较两种碰壁数

在输运过程中是以1/4n(?)个分子参加输运还是以1/6n(?)个分子参加输运,这是输运过程中一个使人困惑的问题.本文拟用输运过程的微观解释,以扩散现象为例,在分子按自由程分布规律的基础上,减少简化假设得出输运系数,说明两种碰壁数都是可靠的,进一步阐明输运过程微观解释的物理意义。     

纳米结构及其自旋量子态调控的前沿进展

在纳米尺度上对物质的结构及其特性实行有效控制,是纳米器件研究中最重要的基础问题之一,其中认识和理解纳米结构单元,利用其结构特点可控制备人工纳米结构,从而调控其单分子自旋量子态,在纳米器件与量子调控中具有潜在的应用前景.     

束流输运网络中多目标的分区耦合牵制控制

分别构造了具有小世界和无标度拓扑结构的束流输运网络,为了实现网络多目标同步控制的目的,把束流输运网络按照需要分成多局域网络,采用多局域网络的全局耦合分局域控制方法,实现了分区局域网络中各自所需的多目标(不动点和周期态等)的稳定控制.该方法可以拓广应用于其他复杂网络的多目标控制.