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351.
352.
基于灰色系统理论的脑电特征提取 总被引:5,自引:0,他引:5
提出了脑电特征提取的一种新方法。研究了灰色模型在自发脑电特征提取中的应用,同时给出了脑电信号特征提取的总体方案。研究结果表明,在脑电信号处理中使用灰建模方法提取脑电特征是可行和有效的,同时该方法也为进一步的脑功能模式识别研究提供了初步的理论基础。 相似文献
353.
重采样在缓解粒子退化的同时带来了粒子贫化问题,针对这种情况,提出一种裂变优选重采样方法。在需要进行重采样时刻,提取出有效粒子,该时刻有效粒子对应于上一时刻的粒子确定为裂变父代粒子,裂变子代粒子数正比于各有效粒子权值,将子代粒子进行一次滤波迭代,根据该时刻量测值和权值公式计算每个子代粒子的权值,选择权值大的粒子覆盖该时刻的无效粒子。蒙特卡罗仿真表明:与裂变自举粒子滤波、随机重采样粒子滤波相比,滤波精度更高,有效粒子数增加,而且重采样后粒子退化速度变缓。 相似文献
354.
用系统学研究ADS靶材料的质子反应裂变截面 总被引:1,自引:0,他引:1
用系统学公式研究ADS靶材料的质子反应裂变截面,旨在为核设计提供依据。首先在液滴模型、壳修正模型等相关的理论模型的基础上,利用铅、秘这两个重要核材料质子裂变反应截面的实验数据得到了一系列的理论参数。基于所给出的一组最佳理论参数,对无实验数据的能区裂变截面及其他重要核素的裂变截面进行了预言,可知随着靶核的质子数Z和质量数A的减小,裂变截面减小得很快。 相似文献
355.
采用固体与分子经验电子理论(EET)计算典型铁电晶体铌酸钾(KNbO3,简称KN)的立方相和四方相的价键电子结构,并在此基础上计算了铌酸钾在四方铁电相的自发极化.计算结果与实验值进行了对比,验证了该经验理论处理铁电性的有效性和可行性. 相似文献
356.
唐春红 《南京工程学院学报(自然科学版)》2004,2(3):7-11
用推广的Landau Devonshire理论研究应力与尺寸效应对PbTiO3 铁电薄膜的相结构和稳定性的影响 .对PbTiO3 铁电薄膜的温度与应力相图、不同压应力作用下的膜厚与自发极化、膜厚与居里温度的关系图等进行计算 .结果表明 :对PbTiO3 铁电薄膜 ,在外推长度δ >0时 ,应力 (压应力或张应力 )作用总是使居里温度升高及有利于铁电相的稳定 ;在薄膜中施加大的压应力时 ,铁电相可存在于更薄的膜厚中 ,但当膜厚达到临界厚度后 ,薄膜始终处于顺电相 ,也即存在尺寸驱动相变 . 相似文献
357.
以往分析移民生存行为的学者,将研究的经验对象聚焦于列入政府计划的移民群体,将制度局限作为移民生存无法逾越的结构性障碍,却无意中搁置了那些没有政府支持,充分呈现行为自主性的自发移民群体。本文以“武陵山区山区自发移民”为个案,运用身份视角,对自发移民群体的搬迁动因、迁移方式、生计行为、社会关系建构等进行分析,认为山区自发移民的生存实践反映他们自身文化身份与户籍身份相互扭合的一种状态。移民在身份限定的制度空间中,采取的民间性行为方式,说明了个人行为对制度结构的回应,展现了移民制度与移民个人行为之间动态的互动关系。 相似文献
358.
裴俊琛 《中国科学:物理学 力学 天文学》2020,(5):25-34
核裂变过程是一个复杂的大幅度的量子多体动力学过程,对其理论描述一直是一个挑战.为了描述实验上的裂变可观测量,理论上发展了一些半唯象与近似的模型,但这些模型依赖唯象的参数.从有效核力出发发展微观的裂变理论,原则上无需自由参数,但要达到定量计算的阶段还很困难.本文介绍了复合核裂变的理论进展,特别讨论了微观计算复合核存活概率在超重核合成研究中的关键影响.此外比较了绝热和非绝热的微观裂变动力学模型.其中绝热裂变模型对低激发裂变的实验可观测量能较好描述,而非绝热动力学模型对深入研究裂变机制非常有用.本文分析了核裂变理论的问题和挑战,意识到裂变过程极其复杂,并展望了裂变理论的发展方向. 相似文献
359.
为了研究镀锌钢绞线断丝与自发漏磁信号之间的关系,考虑了磁极方向、护套和传感器间距等3个影响因素,设置15根镀锌钢绞线试件,利用万能试验机开展拉伸试验,并通过磁力计测得试件的漏磁信号,得到试件从开始拉伸到断丝的全过程漏磁信号变化,分析了不同因素对漏磁信号的影响.研究结果表明:镀锌钢绞线的拉伸荷载-位移曲线基本上可以分为4个阶段,在各阶段转换处,各漏磁信号分量变化具有明显规律;法向分量和平行钢绞线的切向分量会发生明显的突变,垂直钢绞线的切向分量始终平稳减小.因此,基于自发漏磁的斜拉桥拉索的检测和健康监测中,可以通过处理分析得到漏磁信号分量的变化规律,对拉索受力阶段和断丝情况进行判断. 相似文献
360.
近年来,宽禁带直接带隙半导体异质结构InxGa1-xN/GaN由于在电子及光电子器件方面的应用而备受关注,如高亮度的兰、绿色发光二极管,激光二极管等.由于存在相分离,在InxGa1-xN/GaN异质结构InxGa1-xN激活层中会通过自组织形成纳米尺度的富In类量子点.这些富In类量子点可以看成是捕获电子 相似文献