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341.
张福成  张明  胡白桃  王天生 《科学通报》2000,45(14):1557-1560
0Cr16Ni22Mo2Ti奥氏体钢在闪光焊接过程中,材料经快速加热到熔融温度并强烈变形,焊接熔合区内形成纳米晶组织、熔合线处纳米晶的尺寸为20nm,随距熔合线距离的增大纳米晶尺寸增大,纳米晶层的厚度为50μm。此纳米晶形成的原因是半固态金属经强烈塑性变形使其中固相组织碎化及其引起的细化。  相似文献   
342.
基于化工生产中大量副产氯化钙,以氯化钙、氨水和二氧化碳为原料,在添加剂条件下对制备纳米碳酸钙进行了研究。实验研究了添加剂种类和用量、反应温度和二氧化碳流量等工艺条件对产物粒径的影响,采用XRD和TEM对产物进行了分析。实验结果表明:在添加剂条件下,以氯化钙、氨水和二氧化碳为原料可以制备纳米碳酸钙,反应条件温和能耗低;实验条件下制备的产物为方解石型近球状纳米碳酸钙。  相似文献   
343.
采用均匀沉淀法制备了铁掺杂纳米氧化锌脱硫剂,利用XRD和BET手段对脱硫剂进行了表征,优化了铁的掺杂量,并探讨了焙烧温度、脱硫温度和氧含量等因素对脱除H2S性能的影响。结果表明,铁的掺杂使脱硫剂的比表面积和孔容增大,当Fe∶Zn的摩尔比为5∶100(FZ5.0)时其活性最好。FZ5.0脱硫剂适用于室温脱硫,当样品的焙烧温度为270℃,氧含量为10%,穿透时间达到370 m in时,脱硫性能最佳。  相似文献   
344.
通过种子生长法制备金纳米棒,并采用暗场系统检测其局域表面等离激元共振(LSPR)消光峰,最后使用原子力显微镜进行验证.实验证明了AgNO3的增加和pH值的减少会使金纳米棒的长径比增大,LSPR消光峰红移.从而为控制金纳米棒的长径比提供了一些方法,并为暗场系统提供合适的样品.  相似文献   
345.
磁共振成像(MRI)技术是常见的临床医学影像学的检测手段之一.在临床诊断中使用最多的是纵向弛豫(T1)造影剂:马根维显(Gd-DTPA).自其正式商用化后,人们对钆基造影剂进行了大量研究.文章介绍了钆基无机纳米粒子(Gd IONPs)造影剂的作用原理,阐述了无机纳米粒子的形貌、尺寸、表面修饰、氧空位等因素的影响,并对Gd IONPs造影剂的设计做了展望.  相似文献   
346.
为了获得电化学性能优良的ZnMn2 O4材料,以Zn(NO3)2和MnCl2作为原料,以乙二醇作为溶剂,以Na2 CO3作为沉淀剂,采用低温共沉淀法,制备得到微纳米颗粒堆积的ZnMn2 O4粉体.通过XRD、SEM/TEM、BET、BJH、XPS等手段对所制备的ZnMn2 O4样品进行结构表征.采用三电极体系,对样品进...  相似文献   
347.
以虫草素A(3′-脱氧腺苷,3′-Deoxyadenosine)为原料合成(5′-噻吩甲酰酯)-3′-脱氧腺苷(B),对化合物B进行修饰纳米金得到络合物C.本实验用虫草素的无水吡啶溶液和2-噻吩甲酰氯溶液反应,运用TLC监测,萃取,柱层析等方法得到络合物C.通过红外(IR)、紫外-可见分光光度计、X射线衍射(XRD)等...  相似文献   
348.
采用机械合金化方法,在摆振式高能球球磨机上制备Fe-Co-Nb-B纳米晶合金粉末,计算球磨后应力带来的晶格畸变对X射线衍射峰宽化的影响.样品有较高的比饱和磁化强度和矫顽力,在1 073 K烧结后,虽然消除了内应力的影响,但也使晶粒尺寸有所长大.  相似文献   
349.
纳米石墨基导电复合涂料的电磁屏蔽性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
纳米石墨微片作为导电填料,高分子树脂作为粘结剂,制备高导电性复合涂料,研究其电磁屏蔽等相关性能.探讨纳米石墨微片、基体树脂、表面改性剂、溶剂,以及分散工艺和施工工艺对导电涂料的导电性及电磁屏蔽效能的影响.结果表明,质量分数为30%的纳米石墨微片,质量分数为5%的阳离子分散剂,质量分数为65%的丙烯酸树脂,以及适量混合溶剂为较佳配方,而以机械研磨辅以超声分散是较好分散工艺.通过该法制备得到的导电涂料,其涂膜的表面电阻率低至0.6Ω.m-1,电磁屏蔽效能达到38 dB(1.5 GHz).  相似文献   
350.
以Bi(NO3)3.5H2O和Ti(OC4H9)4为原料,NaOH为矿化剂,聚乙二醇(PEG)为添加剂,采用水热法制备形貌规则的Bi4Ti3O12纳米片.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线荧光光谱(XRF)研究产物的物相、显微结构和组成,利用分子荧光光谱仪(PL)研究产物的光致发光特性.结果表明水热合成的Bi4Ti3O12纳米片为正交相层状钙钛矿结构,平均边缘尺寸大约200 nm,厚度10~20 nm,主要沿着平行于(111)面和垂直于(111)面的二维方向生长.室温下Bi4Ti3O12纳米片在470.4nm处具有蓝—绿发光,在399.3 nm和417.6 nm处具有紫光发射特性,初步认为是纳米片表面的氧空位和铋空位所引起的,同时在380 nm和516 nm处存在高能带边和低能带尾.  相似文献   
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