议叶倾角对阔叶树生长特性和产量的影响

叶倾角的大小，对于阔叶树的产量与生长特性具有重要的影响，主要是对其胸径、树高和材积的影响。通常，叶倾角减少则产量增加，叶倾角增加则产量减少，叶片较直立品种产量超过叶片斜或者平展品种。树冠的上层、下层，叶倾角不同，与树高、胸径也具有一定的关系。     

“巨菜谷”植物疯长之迷

美国阿拉斯加州安哥拉东北部的麦坦纳加山谷、俄罗斯濒临太平洋的库页岛和印度尼西亚的苏门答腊是三个神奇的地方，因为那里的蔬菜长得硕大异常：土豆长得像篮球那么大，豌豆和大豆能长到2米长，牧草也高得可以没过骑马者的头顶，由于这三个地方所有的植物生长都异常高大而迅速，所以被人们称为“巨莱谷”     

科学施肥对桉树生长中的影响分析

追肥以及基肥施放是桉树不合理施肥主要表现,若不合理施肥将对桉树生长造成直接的影响,因此科学施肥较为重要。而要想科学施肥就应将肥力因素、养分因素及土壤因素综合考虑在内,注意合理追肥且注重施基肥。基于此基础上,对科学施肥在桉树生长中的影响进行分析,以期将相应参考依据提供给同行业人士。     

影响金钱松种子萌发因素研究

为了研究不同消毒时间、不同浸种时间和不同培养基配方对金钱松种子萌发的影响.金钱松种子采用75%酒精消毒30 s和0.1%升汞消毒15 min,用40℃无菌水浸泡12 h后,接种在不添加任何激素的MS培养基上,其种子的萌发率最高为64.5%,且幼苗生长也好.     

朝鲜崖柏生境及高生长规律分析

采用标准地调查法测定朝鲜崖柏的土壤特征、林下植被和高生长规律.结果表明:朝鲜崖柏生长于土层较薄且呈弱酸性的山地暗棕壤,不同标准地林下植被差异明显;不同标准地朝鲜崖柏树高的年生长量均呈逐年下降趋势.     

垂直氮化镓功率晶体管及其集成电路的发展状况

氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注.也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力电子领域中具有很大的发展和广泛的应用前景.本文列出了氮化镓材料和其他半导体材料主要的物理参数、氮化镓单晶制备及其外延生长的主要方法,阐述了氮化镓功率器件在目前环境下的优势.针对器件结构,列出了横向器件本身存在的问题和垂直器件的优点,解释了垂直器件为何能够成为未来功率器件的主流结构.在此基础上,详细介绍了氮化镓电流孔径垂直晶体管、垂直氮化镓沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、基于原位氧化物氮化镓夹层的垂直沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管和垂直氮化镓鳍式场效应晶体管的结构、工作原理、研究进展及所存在的一些问题,并将文中所提及的垂直氮化镓功率晶体管的性能参数按器件种类和时间顺序进行归纳为未来氮化镓功率晶体管的发展提出了大致的方向.针对集成电路系统,归纳了氮化镓功率器件在驱动芯片方面的特殊要求和关键技术.最后,针对当下的市场环境,列举了垂直氮化镓功率晶体管在中、低压范围内比较热门且发展前景较好的应用场景.     

为什么恐龙会长得这么大?

正为什么一些恐龙会长得这么高—30米?一项研究发现,有效的肺、呼吸和卵生可能赋予了恐龙相对于其他动物的生长优势。虽然一些恐龙后代的个头越来越大,但并非对所有恐龙而言都这样。科学家调查了包括祖龙在内的一些早期恐龙,由此发现一些种类的恐龙获得了庞大的身躯,但另一些则保持小个头,甚至还有一些展示出进化性个头"缩水"。科学家解释说,飞翔的爬行类——翼龙是在演化过程中保持小个头的最佳范例,此外还有许多种小型素食性恐龙(例如     

300mm直拉单晶硅生长缺陷研究

本文针对微电子工业的基础材料——单晶硅进行了其生长缺陷方面的研究,基于300mm掺氮直拉单晶硅的生长、原生氧沉淀等方面的热处理进行了详细分析,同时对极低电阻率的情况下分析了掺氮重掺砷和重掺磷直拉硅单晶的生长和氧沉淀等方面进行了应用分析。     

林木胸径与树高的关系研究

胸径与树高都是衡量林木生长好坏的两个非常重要的因子,为此借用黑龙江省红松的一组生长数据,对胸径与树高的非线性模型进行了拟合研究;经分析所选五个模型均相关性极显著,但以模型H=32.7008e-8.7297d相关性最好,F值为1110.000,高出其他F值2倍及以上.为此应用该模型大大的提高了树高因子的估测精度,并为今后的森林资源调查工作提供高精度的间接树高数据.