首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2281篇
  免费   72篇
  国内免费   105篇
系统科学   2篇
丛书文集   132篇
教育与普及   167篇
理论与方法论   5篇
现状及发展   6篇
综合类   2146篇
  2024年   3篇
  2023年   14篇
  2022年   19篇
  2021年   29篇
  2020年   26篇
  2019年   28篇
  2018年   23篇
  2017年   19篇
  2016年   20篇
  2015年   55篇
  2014年   118篇
  2013年   95篇
  2012年   97篇
  2011年   136篇
  2010年   123篇
  2009年   171篇
  2008年   156篇
  2007年   132篇
  2006年   107篇
  2005年   107篇
  2004年   110篇
  2003年   121篇
  2002年   81篇
  2001年   92篇
  2000年   68篇
  1999年   34篇
  1998年   51篇
  1997年   67篇
  1996年   54篇
  1995年   60篇
  1994年   32篇
  1993年   31篇
  1992年   58篇
  1991年   36篇
  1990年   30篇
  1989年   27篇
  1988年   11篇
  1987年   6篇
  1986年   3篇
  1984年   1篇
  1983年   3篇
  1982年   2篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有2458条查询结果,搜索用时 31 毫秒
911.
以吡啶二酸作为配体,合成了分子间形成弱相互作用的铜配合物,即通过氢键连接成了超分子体系并具有新颖的层状三维结构。以元素分析、X-射线单晶衍射、红外光谱、紫外光谱、室温及低温ESR谱对化合物进行了表征。  相似文献   
912.
以对苯二乙酸、2,2'-联吡啶和氯化镉为原料采用水热法合成一种新型配位聚合物.x单晶射线衍射测试表明,标题化合物属于Triclinic晶系,P-1空间群,晶胞参数为a=8.305(3)A,b:8.541(5)(2)A,c=11.034(3)A,a=83.252(5)A,β=81.823(3)A,y=67.601(4)A,V=714.5(5)A,Z=1.每个镉离子分别与对苯二乙酸配体分子上的两个氧原子,2,2'-联吡啶配体分子中的两个氮原子以及一个氯离子配住,形成一个近似金字塔构型.相邻2,2’-联吡啶配体分子见的π-π堆积作用和其他超分子作用力使配合物形成了一个三雏的超分子聚合物.  相似文献   
913.
本文通过水热法合成了一种3-吡啶甲酸(L=3-吡啶甲酸)和钴(Ⅱ)的配合物Co(L)2(H2O)4。通过元素分析,红外光谱,X-射线单晶衍射等对所合成的对3-吡啶钴的配合物进行了表征,结果表明该配位聚合物属于单斜晶系,C2/m空间群,晶胞参数为a=14.155 2(13),b=6.882 7(6),c=8.492 1(8),β=118.284 0(10)°,晶包体积V=728.57(11)nm3,Z=2,Mr=375.20,Dc=1.710,F(000)=386,μ=1.224 cm-1,R1=0.023 2,w R2=0.069 2。通过对其结构的分析,认为它是一种新的钴(Ⅱ)的配合物,钴(Ⅱ)与配体分子上的N和水分子中的O形成了六配位结构。  相似文献   
914.
用2,4-二羟基苯乙酮和氨基硫脲为原料,在微波辅助作用下固相合成了2,4-二羟基苯乙酮缩氨基硫脲,利用红外光谱及单晶X射线法对目标化合物进行了表征,该化合物为单斜晶系,空间群为C2/c,晶体学参数n=2.0900(2)nm,b=0.79290(8)nm,c=1.32481(14)nm;β=100.2090(10)°;F(000)=944,Z=8,V=2·1607(4)nm3,Dc=1.365g·cm^-3,Mr=225.27,最终结构偏离因子R=0.0460,Rw=0.1309,S=1.031,最终差值电子密度的最大值和最小值分别为401nm^-3。和-247nm^-3.  相似文献   
915.
以对氯苯甲酰氯与氰基乙酸乙酯反应,经氯化,氨化,再与4-氯-1-甲基-3-乙基-5-吡唑甲酰氯反应,合成了(Z)-3-(4-氯苯基)-3-[N,N-二-(4-氯-1-甲基-3-乙基-5-吡唑甲酰基)-氨基]-2-氰基丙烯酸乙酯,其结构经1H NMR,IR,X晶体衍射分析,证实为目标化合物。  相似文献   
916.
以异烟肼和硫酸亚铁为原料,在二甲基亚砜(DMSO)溶液中合成了一种新型的Fe(Ⅱ)配合物.该配合物的晶体结构通过单晶体X-射线衍射分析、红外光谱、热重分析进行了表征.晶体属于单斜晶系,P21/c空间群.晶胞参数:a=1.26047(12)nm,b=2.5607(2)nm,c=1.20134(10)nm,β=92.781(5)°,V=3.8730(6)nm3,Z=4,μ(MoKα)=0.932 mm-1,F(000)=1808.0,R1=0.0677,wR2=0.2575[I>2σ(Ⅰ)].每个Fe(Ⅱ)原子分别位于一变形的配位八面体中心.两个Fe(Ⅱ)原子通过两个SO24-桥连,形成双核结构,每个八面体的剩余4个配位点分别与两个异烟肼的端基N原子和羰基O原子配位.  相似文献   
917.
二氧化钛纳米管的研究进展   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
鉴于TiO2纳米管优异的光电、催化、气敏等性能已经引起广泛关注,在太阳能电池、光催化、环境净化、气体敏感器等领域有潜在的应用价值,主要综述了TiO2纳米管的现状和最新研究进展情况,并简要介绍了其制备方法、形貌、晶体结构、形成机理及应用。  相似文献   
918.
采用安全、绿色、节能的化学溶液法合成了BiVO_4纳米晶.通过改变反应体系的pH值,来调控纳米晶生长的动力学因素,探索不同结构、形貌和尺寸的纳米晶的形成机制及光谱性质的变化规律.结果表明,在酸性条件,四方相BiVO_4为热稳定相.但在弱碱条件,由于热动力学,反应趋向于形成单斜相BiVO_4.在强碱条件,单斜相BiVO_4的特征衍射峰强度降低.在不同pH值条件下合成的BiVO_4纳米晶的晶粒尺寸均处于纳米量级.在化学合成过程中,体系的pH值对样品形貌的形成起着十分关键的作用.由于Bi~(3+)离子的水解作用,使其可以在不同的pH值条件下以不同的形式存在,导致在合成BiVO_4过程中具有不同的合成路径,进而使得在不同pH值条件下合成的BiVO_4样品具有不同的形貌特征.采用Raman光谱研究了不同BiVO_4纳米晶的局部结构,在326和363cm~(-1)的峰对应于VO_4~(3-)四面体的反对称和对称弯曲振动,在712和828cm~(-1)的峰对应于V-O的对称和反对称拉伸振动.不同BiVO_4纳米晶在紫外和可见光区均有明显吸收,而其吸收边界的急剧下降推断是由于半导体的带间跃迁造成的.不同晶相BiVO_4纳米晶的吸收带边有明显的不同,表明随着晶相的改变,样品内部电子结构发生了变化.在pH=3时合成的BiVO_4纳米晶的发光峰强度最低,表明该复合催化剂的电子空穴复合效率最低,暗示其光催化活性较高.  相似文献   
919.
采用水热法,用4,4′-二(1-咪唑基)苯硫醚(BIDPT)和均苯三甲酸(H3btc)与Co(NO3)2·6H2O反应,合成了一个基于三核钴单元的一维链配合物{[Co3(BIDPT)4(btc)2(H2O)2]·H2O}n(1)。X单晶射线分析表明,配合物是为单斜晶系,Pc空间群,分子质量Mr=4 264.21(8),a=1.019 3(3) nm,b=1.783 0(5) nm,c=2.364 6(6) nm,β=102.45°,V=4.196 2(2) nm3,Z=2,Dc= 2.300 g/cm3,F(000)=2 814,S=1.042,R1=0.056 0,wR2=0.184 2 (I >2σ(I))。配合物1中,质子化的均苯三甲酸链接Co(1)和Co(3)形成了两条一维链。而这两条一维链与Co(2)和BIDPT构成的“8”字构型相连,形成了另外一条一维链。配合物中存在C-H…π堆积作用使一维链连接形成二维超分子结构。另外对配合物红外、元素分析、热稳定性以进行了测试。研究了配合物1对藏红T的催化降解性能,在氙灯照射和H2O2存在的条件下,配合物1对藏红T具有较好的光催化降解作用。  相似文献   
920.
采用超声喷雾热解法在石英衬底上制备了Sn-Mg共掺的ZnO纳米薄膜.借助X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),光致发光谱(PL谱),紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和伏安特性曲线(I-V)等测试手段研究了Sn掺杂量的改变对薄膜的结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,适量的Sn掺杂可以提高薄膜的表面形貌和光电性能.随着Sn掺杂量的增加,薄膜的(101)衍射峰强度、紫外发光峰、透过率和导电率都是先增加后减小,带隙能量值从3.350eV增加到3.651eV,并且平均透过率均在80%~87%之间.当Sn掺杂量为0.004时,薄膜结晶质量最好,表面最致密,晶粒大小最均匀,紫外发光峰强度最大,导电率最高.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号