In:Fe:LiNbO3晶体及其全息关联存储性能研究

在LiNbO 3 晶体中同时掺入质量分数w为0.03%的Fe 2 O 3 和摩尔分数x(In 2 O3 )为0.5%,1%和1.5%,分别生长成In(x=1%):Fe:LiNbO 3 ,In(x=2%):Fe:LiNbO 3 和In(x=3%):Fe:LiNbO 3 晶体.测试晶体的红外光谱;测试晶体的位相共轭反射率,并以In(x=3%):Fe:LiNbO 3 晶体作为存储元件,以In(x=1%):Fe:LiNbO 3 晶体位相共轭镜作为阈值反馈系统,实现了全息关联存储.     

聚丙烯无卤阻燃复合材料的制备及性能研究

以聚丙烯(PP)为基料、Mg(OH)2／Al3/P为复合阻燃剂。通过熔融共混制备PP无卤阻燃复合材料。对材料的阻燃性能和力学性能进行了测定。实验结果表明：当PP：Mg(OH)2：Al(OH)2：P为100：50：50：5时，混合物的阻燃性能和力学性能均能满足使用要求。填加纤维状Mg(0H)2的材料要比填加球状Mg（OH)2体系的拉伸强度优异。     

一种新型糖基表面活性剂的合成及其性质

以葡甲胺和正烷基(C12，C14，C16，C18)溴为原料在无水乙醇中反应生成叔胺中间体，葡甲胺：正烷基溴(物质的量之比)=1．008：1，温度78℃，反应时间5h；季铵化反应，叔胺：正烷基溴(物质的量之比)=1：1，100℃下反应3h后，再于130℃下反应2h，对产物结构用红外光谱和电喷雾质谱进行了表征，同时测定了合成产物的季铵盐含量、表面张力和临界胶束浓度等，讨论了结构和性能的关系。     

控制光子的“半导体”——光子晶体

光子晶体是一种新型功能材料,其最基本的特征是具有光子频率带隙,频率落在带隙内的电磁波被禁止在光子晶体中传播。本文简述了光子晶体的基本性质和理论研究方法,介绍了光子晶体的制备,并对光子晶体的应用前景给予了简短的评述。     

由同种材料构成的一维光子晶体的研究

研究了一种由同种介质组成的一维类梳状光子晶体的带结构,发现在这种结构中也存在较大的光子频率带隙,并且带隙的宽度随着分支数目的增加呈现先增大后减小的变化,这主要是因为在光子晶体中,低频率的带隙主要取决于结构的短程序,高频率的带隙则更大程度上取决于长程序,分支数目的增多对结构的短程有序影响比较大,而对长程有序的影响很小。     

常用低指数晶面标准极射图绘制及应用

在详细阐述晶面(晶向)标准极射赤面投影原理及其完整投影图绘制过程的基础上，绘制了立方晶系常用的低指数晶面(晶向)标准极射赤面投影示图；应用“滑移三角块”扼要阐释了滑移系确定与优先滑移、复滑移、双滑移及晶体在滑移过程中的转动行为．     

Mn∶Fe∶LiNbO3晶体两波耦合温度特性实验研究

本文对 30℃至 1 2 0℃温度范围内的光折变晶体Mn∶Fe∶LiNbO3的前向双光束耦合的温度特性进行了实验研究 .发现在 5 0℃、70℃和 1 0 5℃附近出现异常峰值 .     

羟丙基壳聚糖对表面活性剂微孔液相图的影响

在25℃条件下，测定了不同浓度的羟丙基壳聚糖（HPCHS）溶液／表面活性剂（聚氧乙烯（23）醚月桂醇（BRIJ35）、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）、十二烷基硫酸钠（SDS）、二甲基十二烷基甜菜碱（C12BE）／正丁醇（n-C4H9OH)／正辛烷（n-C8H18)体系微乳液拟三元相图。结果表明，在所研究的浓度范围内，羟丙基壳聚糖对不同类型表面活性剂体系微乳液的形成有不同的影响：（1）除B12BE体系外羟丙基壳聚糖的加入均在一定程度上改善了原有体系微乳区的形成和稳定；（2）羟丙基壳聚糖溶液在10，10和5g/L浓度时分别使BRIJ35，CTAB和SDS体系微乳区面积达到最大；（3）羟丙基壳聚糖的加入没有明显改变C12BE体系的微乳区面积。     

非离子表面活性剂存在下过氧化氢对木素过氧化物酶的抑制动力学研究

研究表面活性剂水溶液体系中木素模型化合物的酶法降解机制具有重要意义．本文用动力光度技术研究了非离子表面活性剂TritonX-100(TNX)存在下过氧化氢对木素过氧化物酶(LiP)的抑制作用．结果表明，该抑制作用属可逆竞争抑制．TNX的存在使H2O2的抑制作用加强，抑制常数Ki值下降．Ki值随TNX浓度(远低于、接近于和远大于其临界胶束浓度)变化很小这一结果表明起主导作用的是TNX单体，上述结果应该是有限数目的表面活性剂单体对酶蛋白分子的修饰所致．     

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述，系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质．研究了半导体能带隙所表现出的特有性质．