面内场对第Ⅰ类哑铃畴"切尾"后畴壁内 VBLs解体的影响

实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场H(1)ip,H*ip和H(2)ip.通过"切尾"实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为.     

硬磁泡临界面内场的重新测定

实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法,用这种经过改进的方法测量时,在面内场软化的起始值,OHB就会有较高的软化率,实验观察非常方便.同时,也证明了在临界面内场H(1)ip时开始丢失VBL的OHB对应的是那些含VBL较少的OHB.     

啁啾场作用下二能级原子跃迁的时域动态变化分析

运用密度矩阵运动方程,分析了啁啾脉冲光场作用下二能级原子系统跃迁随时间的变化过程,并利用布洛赫矢量模型方法对其演化过程进行了动态分析.结果表明,啁啾效应使系统粒子布居几率出现振荡.布洛赫矢量演化过程表明,粒子布居几率的这种振荡,反映了系统粒子数转移、色散和吸收三者之间动态变化的物理过程.     

由麦克斯韦方程组推导光子晶体本征方程

光子晶体理论分析中应用最早、最广的一种方法就是平面波展开法。在计算光子晶体光子能带结构时,平面波展开法直接应用了结构的周期性,将麦克斯韦方程从实空间变换到离散傅立叶空间,将能带计算简化为对代数本征值问题的求解。     

面内场对处于直流偏磁场压缩状态下的IID畴壁中布洛赫线链的影响

实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响．发现存在一个阈值直流偏场（Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ＜（Ｈｂ）ｔｈ时，使ＩＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场（Ｈｉｐ）ＩＤ、（Ｈｉｐ）ＯＨＢ、（Ｈｉｐ）ＳＢ以及使ＶＢＬ全部解体的临界面内场Ｈ′ｉｐ与Ｈｂ无关．当Ｈｂ＞（Ｈｂ）ｔｈ时，上述四个临界面内场随Ｈｂ的增加有不同程度的下降     

3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性

研究了温度作用下3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失过程，发现和证实了普通硬磁泡(OHBs)，第Ⅰ类哑铃畴(IDs)和第Ⅱ类哑铃畴(IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围，对同一样品而言，3类硬磁畴的起始临界温度是相同的，而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的，在临界温度范围内，3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的，而且是逐步消失的。     

垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨

本文以实验现象为基础，利用想邻布洛赫线间的静磁作用能，改进圆柱形梗磁畴的畴壁能公式，公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数c。由一个典型样品得到的参数c，用于其它几个样品计算时，所得数据都与实验数据符合较好。从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释，特别是成功地解释了硬磁畴的一些温度特性，并首次提出垂布洛赫线元模型，从而首次热激发的观点解释了硬磁畴的自收缩现象。     

硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线空间静磁相互作用的关系

研究石榴石泡膜在直流偏磁场作用下布各赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响。一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系；     

温度对ⅡD畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,ⅡD畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL稳定存在;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ⅡDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.     

温度和面内场联合作用下软畴段的行为

实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为.实验发现:面内场对软畴段的条泡转变场H_(sb)和软泡缩灭场H_0有很大影响,而且H_(sb)和H_0的变化与晶向有关.比较不同温度下、不同晶向上的结果,得到了与磁泡参量相关的分界面内场(H_(ip))d,不同温度下的软畴段对应着不同的(H_(ip))_d,而且(H_(ip))d随着温度的升高而降低,在低温下,分界面内场(H_(ip))_d是饱和磁化强度4πM_s的2倍.