温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响

实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变大,纠正了垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变小这一结论.证明了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的,在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为,完全是由垂直布洛赫线的数目引起的.在同一温度下,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴中的垂直布洛赫线数目依次增多.     

能带理论及其在结构化学中的应用

本文从理论上分析了晶体中能带的形成、分类及其与物质性质的关系,从而说明用轨道理论研究原子结构、分子结构和晶体结构有着相似的规律性,并举例论述了能带理论在解释各类晶体特性方面的有效应用,以及能带结构与化学键、半导体性能等的密切关系。     

布洛赫线存储器稳定性的研究

实验研究了直流偏场和温度交替作用对布洛赫线存储器中垂直布洛赫线(VBL)链的影响.发现三类硬磁畴中VBL链是在临界温度范围[T1,T2]内解体的,对于三类硬磁畴有着相同的T1,从而进一步证明了温度作用下硬磁畴畴壁中的VBL是逐步解体的,同时也证实了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的.畴壁中VBL链开始不稳定的最小临界温度与畴...     

绝热条件下二能级系统相干控制动态分析

在量子力学的缀饰态表象中，运用布洛赫矢量及其球形图，研究了正弦相位调制的整形脉冲作用到二能级系统的跃迁过程，对其随时间演化过程进行形象化动态分析．结果表明，合适的正弦函数位相整形脉冲作用到二能级系统，无论整形脉冲选择何种位相，都可使粒子布居数反转，并使粒子维持在该态上．在绝热条件下，光场与系统作用过程中粒子的绝热状态随态和位相走势的不同而变化．     

硬磁泡畴壁中VBL特性的进一步研究

实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀分布的,且存在一个平衡间距.实验结果验证了均匀旋转模型的正确性.     

磁畴壁物理和布洛赫线存贮器研究现状和前景

主要介绍了磁泡的产生，消失和磁泡存贮器的特点、应用以及它的现状。另外，还介绍了布洛赫线存贮器的研究情况和应用前景。     

面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响

实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hip(1),Hip(2)],其中Hip(1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hip(2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hip(1))IID＜(Hip(1))ID＜(Hip(1))OHB;(Hip(2))IID=(Hip(2))ID=(Hip(2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hip(1)和Hip*以及范围[Hip(1),Hip*]都随着Hb的增加而减小或变窄.     

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中VBL对其缩灭场的影响

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中ＶＢＬ对其缩灭场的影响河北师范大学物理系唐贵德，孙会元，曹新国，聂向富本文以实验为依据，近似算出石榴石磁泡膜泡状硬磁畴的缩灭场及缩灭泡径与其畴壁中的ＶＢＬ数目的关系曲线，将这个多年来未能解决的问题向前推进了一步．在磁泡技术发...     

波函数时域衍射的布洛赫矢量模型

 为了揭示波函数时域衍射的物理本质,采用密度矩阵的矢量模型方法,研究线性啁啾脉冲光场作用下二能级系统波函数的时域衍射效应;讨论光场啁啾因子对时域衍射效应的调制作用;分析不同啁啾因子作用时,量子系统粒子布居转移和时域衍射效应的动态演化过程。在布洛赫矢量表象下,对时域衍射效应的物理作用机制给出了清晰的描述。