漆酚铁螯合高聚物热分解反应动力学

用非等温热重法研究了漆酚铁螯合高聚物的热分解反应动力学，结果表明，漆酚铁螯合高聚物的热分解过程是一级反应，该反应的表现活化能Ｅ＝１４６．９４２ＫＪ／ｍｏｌ。     

原位复合材料MPPO／LCP体系结构与工艺的研究

本文以一种含柔性链的共聚酯液晶高聚物（ＰＥＴ／ＰＨＢ６０）和改性聚苯醚（ＭＰＰＯ）的共混物为对象，研究了共混物在单螺杆挤出机和注塑机上形成原位复合材料时不同液晶含量下的液晶的结构形貌和共混物的皮蕊结构。结果表明在挤出成型中，即使拉伸比很低或液晶含量很少（２％）的情况下，液晶的成纤性也很好，而在注射成型中，则表现为皮蕊结构。     

全芳香族聚酯的合成及其液晶性研究

为制备液晶聚芳酯,本文用DSC研究二元芳酰氯与二元酚的熔融缩聚反应。测得芳酰氯与邻氯对苯二酚反应的温区均在芳酰氯的熔点附近。并观察到当2.6-萘二甲酰基占大分子链中芳酰基总量的40%以下时,聚芳酯熔点较低;反之,熔点明显上升。于200℃、N_2保护下常量合成了一系列主链结构不同的全芳香型聚酯。讨论了单体结构和配比对聚芳酯液晶性的影响。对结构为的聚芳酯进行了分析和表征:Cl含量、IR、TG、DSC和热台偏光显微摄象的测试结果,表明该聚酯有如下特性: (1)T_g=155℃,T_m=180℃,T_n=310℃(向列型液晶态转变温度)。(2)在310—460℃范围内呈热致性向列型液晶态而不存在各向同性转变(T_i),其T_i>T_d。     

3-丙烯酰氧甲基-和3-[2-甲氧基(三乙氧基)]甲基-3′-甲基氧杂环丁烷共聚物的合成及导电性能

通过阳离子开环聚合制备了一系列不同比例的3-丙烯酰氧甲基-3'-甲基氧杂环丁烷(AMO)和3-[2-甲氧基(三乙氧基)]甲基-3'-甲基氧杂环丁烷(MEMO)的共聚物PAM. 通过1H-NMR谱图计算发现:AMO结构单元在共聚物中所占的比例均低于根据投料比计算的理论值. 把这些共聚物和LiTFSI复配后通过BPO引发自由基聚合可交联成膜,利用交流阻抗法测试了其离子电导率,其中MEMO含量最高的PAM33电导率最高,30℃时达1.44×10-5S/cm ,80℃时达1.25×10-4S/cm. DSC测试结果显示,共聚物中MEMO的结构单元含量越多,其Tg越低,越有利于导电.     

PZT-5H导电缺口电致滞后开裂

研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律. 结果表明, PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场E_F = 14.7±3.2 kV/cm. 如外加电场E<E_F, 则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹, 若保持恒电场E, 电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂, 滞后断裂的门槛电场E_DF = 9.9 kV/cm. 如EE_K= 4.9 kV/cm, 则电致裂纹并不瞬时形核, 只有在恒电场下经过一定的孕育期后电致裂纹才形核并扩展一定距离, 但试样也不会发生断裂. 如E<E_DF = 2.4 kV/cm, 即使长时间施加电场, 裂纹也不形核. 导电裂纹的滞后形核和滞后断裂归因于恒电场下从缺口顶端发出的电荷密度随时间而增大, 当外加电场小于电荷发射的门槛电场时不会发生电致裂纹的滞后形核.     

镀膜碳纤维用于智能水泥的探索

研究了水泥中分别加入碳纤维和镀膜碳纤维所制成的导电复合材料在不同载荷下的导电性能,探索其用于智能水泥的可能性.经过对含有不同短切长度和含量的碳纤维、镀膜碳纤维导电水泥试样进行测试和分析后发现:碳纤维和镀膜碳纤维加入到水泥中制成的试样,其电阻随着压力和剪切载荷的变化呈现规律性的变化,其中镀膜碳纤维试样比碳纤维试样表现得更为敏感,并且都反映了试样受到压力后其内部裂纹的闭合和扩展情况,利用这种特性,使其有可能作为一种智能材料.     

对覆盖层下三维导电异常体磁场影响关系的研究

在垂直磁偶极源和水平磁偶极源分别激励下，通过改变覆盖层的导电率，围岩的导电率和偶极源发射频率，研究相应的磁场变化规律，讨论围岩的性质，覆盖层电性及发射频率对覆盖层下三维导电异常体磁场的影响。     

纳米Fe-In2O3颗粒膜的磁性和巨磁电阻效应

采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe-In2O3颗粒膜，研究了Fex(In2O3)1-x颗粒膜样品的磁性和巨磁电阻效应，实验结果表明；当Fe体积百分比为35%时，颗粒膜样品的室温磁电阻变化率△ρ/ρ0数值达到4.5%,Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ随温度（T=1.5-300K)的变化关系表达；当温度低于10K时，△ρ/ρ0数值随温度的下降而迅速增大，在温度T=2K时△ρ/ρ0达到85%，通过研究颗粒膜低场磁化率X（T）温度关系和不同温度下的磁滞回线，证实当温度降低到临界温度Tp=10K时，颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变，Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ0在温度低于10K时的迅速增大，可能是由于纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品处于“类自旋玻璃态”时存在特殊的导电机制所造成的。     

含刚性导电椭圆夹杂的压电材料反平面裂纹问题的研究

用复变函数及其保角映射、解析延展方法，建立了含刚性导电椭圆夹杂的压电材料反平面界面裂纹问题的解析方程，通过求解Hilbert方程得到了问题的封闭解和耦合场的强度因子。结果表明，耦合场在裂纹尖端有1／2阶的奇异性，应力和电位移强度因子均与材料常数无关。同时给出了椭圆形刚性导电夹杂的特殊情况－－圆形夹杂和线夹杂界面裂纹问题的应力和电位移强度因子计算式。     

识别二极管在电路中的作用

阐述二极管的结构特点,以及在电路中的作用。