基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究

[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm~2,基平面弯曲半径近似为1m。     

基于太阳能光伏供电的LED农业应用系统研究

作为一个农业大国,如何提高农作物产量,一直是我们国家农业生产的工作重点。近年来,随着LED技术的发展和成熟,LED在农业领域的应用越来越广。利用LED作为农作物照明光源,具有节能、环保、高效等诸多优点。而太阳能光伏照明也具有环保、低成本、能量充足等特点。利用其对LED光源供电,实现LED农业照明,可以结合二者的优势,取得良好的社会效益和实用价值。     

新型半导体光电子器件的发展动向

面向21世纪的高度信息化社会,人们正在大力开发新一代高性能半导体光电子器件,以满足高速、宽带、大容量、高清晰信息传输、存贮、处理、获取的需要。文章介绍了有关的高速LD、高速PD、大面阵CCD、新型红外焦平面阵列、多功能集成光学器件等的发展动向。     

单一高分子白光材料体系

白光高分子发光器件由于在全彩色平板显示、背景光源及照明光源等方面的潜在应用而受到了科学界的广泛关注和产业界的竞相投入。一般来说,经典高分子发光材料发光谱带较窄,难以覆盖整个可见光谱,因此,     

机器视觉照明光源技术要点分析

随着科技的发展,机器视觉系统已被广泛应于社会生产和生活的方方面面。照明光源是机器视觉应用系统中非常重要的一个方面,它通过影响图像质量从而影响到整个机器视觉系统的应用效果。本文就机器视觉照明光源技术进行的分析与探讨。     

BEPCⅡ储存环前室真空盒的研制

"BEPCⅡ储存环前室真空盒的研制"项目属于北京正负电子对撞机重大改造工程(BEPCⅡ)工程中一项重要任务.BEPCⅡ改造的目的是在原BEPC隧道中新增一环,形成双环对撞,实现一机两用(即高能物理和同步辐射两用).由于设备安装空间非常紧张,同时要保持并增加同步辐射光束线,受限条件多,改造设计难度巨大.BEPCⅡ设计对撞亮度比原来(BEPC)高30～100倍,性能指标国际领先.     

KSTAR装置逃逸电子同步辐射功率谱的研究

电子逃逸是托卡马克等离子体中一种普遍的现象.对逃逸电子的监测是保护装置第一壁材料的基础.托卡马克上等离子体芯部逃逸电子发射的同步辐射是利用红外相机测量,但是红外相机的光路成本高,相机本身也比较昂贵.通过分析KSTAR装置逃逸电子的同步辐射功率谱,研究了逃逸电子同步辐射波长与能量的关系,拟发展新型的逃逸电子诊断系统.     

认准目标 及时支持

信息技术在当代社会起着重要作用,它的基础是以硅集成电路为核心的微电子技术.可是集成电路的发展在物理上和技术上都已逼近了极限,多年来,人们一直在探索新的发展途径.一条现实可行的道路是,仍然以硅和硅集成技术为基础,利用硅基纳米器件的量子效应,建立量子电子学或称纳米电子学.若同时把速度最快的光作为信号的载体与纳米电子学结合,可以发展成硅基纳米光电子集成.纳米电子学和纳米光电子集成将成为未来信息技术的基础.