辐射缺陷工程

半导体电子学问题复杂性的持续增加，以及类似微波电子学、光电子学这样的新方向发展说明了目前使用的掺杂工艺没有足够的潜力，而且寻求与开发新的方法是不可避免的。其中一种最有希望的技术是辐射掺杂，即在各种类型辐射的作用下，对半导体的性质有目的地定向改进。中性的粒子，例如中子和γ量子，它们在对半导体晶片和锭料的均匀掺杂中被广泛应用。利用辐射掺杂，非均匀掺杂剖面只能通过应用辐射来获得，它能确保半导体的性质在预定深度上的有效改进。     

赴香港城市大学光电子学研究中心工作

应香港城市大学光电子学研究中心主任邀请，笔者自2003年8月26日～2004年2月25日作为访问教授在该所进行了为期半年的学术访问和合作研究工作。     

光子晶体光纤模式特性研究

利用有限元法对PCF进行经过简化的矢量波动方程模拟计算,获得了所需要的模场分布、有效折射率、色散等参数,并与实验数据相参照验证了这种方法的准确性和精度。与其他方法相比具有更快的计算速度,计算所得到的结果对将来设计和拉制微结构光纤很有帮助,并且这种方法在设计不规则的微结构光纤方面具有很好的优势。     

光电国家实验室4篇论文获评“中国光学重要成果”

由上海光机所及《激光与光电子学进展》杂志联合主办的“2007中国光学重要成果”评奖大会在上海举行，科技部副部长曹健林、中国光学学会理事长周炳琨院士等出席了颁奖典礼并为获奖人员颁奖，武汉光电国家实验室（筹）共有4项成果入选“2007年中国光学重要成果”。     

数字超材料可生产隐身衣

美国和澳大利亚两国科学家近日在《自然材料学》期刊上发表论文,提出了一种名为＂数字超材料＂的新概念。＂数字超材料＂是一种通过特定设计、拥确奇异光学特性的超材料。研究人员认为,这种数字超材料有助于加快诸如隐身衣、超透镜等特殊设备的面世进程。据科学家介绍,这种超材料是利用玻璃、金属、塑料等物质的微观亚单元重复进行组合。     

扫描隧道显微镜诱导发光的历史和进展

扫描隧道显微镜(STM)不仅可以用来观察和操纵纳米世界的一个个原子和分子, 而且其高度局域化的隧穿电流还可以用来激发隧道结发光, 能提供隧道结微腔内与各种激发及其衰变有关的局域电磁场响应和跃迁本质等信息. 这种利用STM隧穿电流的激发来研究隧道结发光特性的技术称为STM诱导发光技术(STML). 本文较为详细地介绍了该领域的研究历史、现状与发展趋势. 在简要介绍光子收集与检测等实验技术后, 概述了这一领域在金属和半导体表面方面的主要研究内容, 并针对目前广泛关注的隧道结分子发光进行了详细的阐述. 最后还简单介绍了STM诱导发光机制的理论研究, 并对整个领域的发展进行了展望, 特别是STM诱导分子发光技术对于研究单分子科学、单分子光电子学、以及纳米等离激元学的广阔前景.     

时变光子晶体及计算方法

长期以来人们一直致力于折射率空间变化光子晶体的研究,对折射率随时间变化的光子晶体缺少应有的重视。本文建立折射率阶跃型时变光子晶体模型。借助时空对比的方法,基于麦克斯韦方程组和周期结构的布洛赫原理对该时变光子晶体的传输矩阵计算公式进行了推导,并给出计算实例,得到空间频率透射谱和色散关系形成的能带结构。本文为时变光子晶体的研究提供了一种基本方法。