非织造布力学各向异性与顶破强力的模拟计算

本文研讨非织造布力学性质估算方法。取对称于两垂直轴的各向异性平面体,各方向的应力与应变保持线性,应用平面体任意方向的拉伸模量与主模量间的关系式,推导得出上述平面体的顶破强力计算公式。顶破强力计算式中包括舍弹性常数(材料拉伸应力方向与主模量方向间夹角的函数)、材料最小断裂伸长率和试样尺寸等参数。设令非织造布符合上述平面体模型,采用非织造布力学性质实测资料验证其适应程度。文中给出两种涤纶热轧非织造布的试验结果与理论计算值随参数值变化的规律基本一致,丙纶溶喷非织造布的顶裂强力实测值与理论计算值的差异随参数值不同而变化。     

展缩反演和半线性椭圆方程解的定性性质

用展缩和反演变换研究了某些半线性椭圆型方程解的单调性和对称性。     

关于Haken状态方程对称性问题的一个注记

研究了Ｈａｋｅｎ在发展协同计算机理论过程中构造的能量函数和状态方程的对称性，认为状态方程的非正则性是他的相变理论和与对称破缺相关的更一般的原因。     

用等势原理求解网络电阻

本文探讨了用等势原理来求解对称网络的电阻，从而引出短路法和断路法，讨论了两种方法的等效性．     

Higgs机制的历史发展研究

Ｈｉｇｇｓ真空对称性自发破缺的思想在现代物理学中占有十分重要的地位，本文揭示了这一重要思想是如何从固体物理研究中移植到粒子物理学中的；并成为粒子物理学的重要观念的，最后指出：这一思想的发展改变了人们对对称性探索的传统方式；以及我们应从Ｈｉｇｇｓ机制发展中所获得的启示。     

沙质海岸防波堤附近岸线变形预测

本文提出一种适用于沙质海岸线变形计算的数值模型.由于本模型采用了隐格式,与过去提出的模型相比,具有计算稳定性好、时间步长可取得较大、上机运行时间大大缩短等优点同时,考虑了岸线随时间变化而引起的对波浪折射的影响;在防波堤下游一侧考虑了波浪绕射和折射对岸滩冲刷的综合作用.作为算例,对某一港口防波堤附近的岸线变形进行了计算,表明用隐格式和显格式模型得到的结果颇为接近,与物理模型试验得到的结果相比较也很一致.因此,本文提出的这一隐格式模型可用于海岸工程的规划和设计中.     

硅基半导体光电子材料的第一性原理设计

具有特定功能的半导体材料的计算设计，是计算材料科学的一个重要研究领域．由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布，因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题．为了进一步解决硅基光电子集成（OEIC）技术发展的瓶颈．设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体，是一项富有挑战性的工作．本文在分析大量半导体能带结构的基础上，给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制，并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础，提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案．根据这个方案所表达的设计思想，我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计．结果发现，用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA／Sim／VIB／Sim／VIA具有直接带隙特性．其中当m=5或奇数时，材料有四角结构对称性，而m=6或偶数时是正交结构对称性．VI“。。是在〈001〉生长方向生长的单层VI族元素．这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配，与微电子技术相兼容，并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现．预期这类新材料及其相应器件的研制开发．将大大开拓全硅OEIC和硅光子集成（PIC）技术的进一步发展．     

Hall Effect in Quasicrystals

The relations between Hall effect and symmetry are discussed for all 2- and 3-dimensional quasicrystals with crystallographical|y forbidden symmetries. The results show that the numbers of independent components of the Hall coefficient (R11) are one for 3-dimensional quasicrystals, two for those 2-dimensional quasicrystals whose symmetry group is non-Abelian, and three for those 2-dimensional quasicrystals whose symmetry group is Abelian. respectively. The quasicrysta[s with the same number of independent components have the same form of the components of R11.     

Initiating, growing and cracking of hydrogen blisters

The growing process of a hydrogen blister in a wheel steel was observed in situ with an optical microscope, and the fracture surfaces formed from broken blisters on a wheel steel and bulk metallic glass were investigated. The initiating, growing, cracking and breaking of hydrogen blisters are as follows. Supersaturated vacancies can increase greatly during charging and gather together into a vacancy cluster （small cavity）. Hydrogen atoms become hydrogen molecules in the vacancy cluster and hydrogen molecules can stabilize the vacancy cluster. The small cavity becomes the nucleus of hydrogen blister. The blister will grow with entering of vacancies and hydrogen atoms. With increasing hydrogen pressure, plastic deformation occurs first, the hydrogen blister near the surface extrudes, and then cracks initiate along the wall of the blister with further increasing hydrogen pressure. A cracked blister can grow further through propagating of cracks until it breaks.     

GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移.