分级结构g-C3N4/BiOBr可见光催化降解水环境中罗丹明B和四环素

采用溶剂热法制备了分级结构g-C3N4/BiOBr复合光催化剂,通过XRD、SEM和UV-vis DRS对该催化剂进行了系统的表征分析;以罗丹明B(RhB)和四环素(TC)为目标降解污染物,评价了该催化剂在50 W LED蓝光灯下的光催化性能;通过活性物种俘获实验,分别探讨了罗丹明B和四环素的光催化降解机理.结果表明:...     

基于89C51单片机制作篮球记分牌显示系统控制部分的研究

本论文介绍了以单片机为主要控制单元,以16×16点阵LED为显示单元的篮球记分牌的功能特点、硬件结构和VB、DBUG软件编程.89C51与PC机通信,完成汉字等十六进制代码的获取,同时完成数据的存储、循环显示和动画处理.本系统能脱机和连续长期运行,具有结构简单,成本低等特点;同时可以无限扩展显示屏的大小.     

暖白光发光二极管用红色荧光粉K2TiF6∶Mn4+的绿色合成

Mn⁴⁺掺杂的氟化物荧光粉具有宽带吸收、窄带红光发射、合成工艺简单等特点,在照明及显示领域受到极大关注,但其制备需要用到强腐蚀性的氢氟酸。本研究采用共沉淀法,分别以盐酸、硝酸、磷酸、醋酸替代氢氟酸制备了K₂TiF₆∶Mn⁴⁺荧光粉,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光光谱仪等对荧光粉的结构、形貌、性能进行表征。结果表明：酸性越强,荧光粉的结晶越好、形貌越完整、发光强度也越高,用强酸制备的样品与用氢氟酸制备的样品发光强度接近。将荧光粉用于制备白光发光二极管(light-emitting diode, LED)器件并进行光色性能的测试,结果表明：红色荧光粉的加入,能显著降低色温、提高显色指数;强酸样品的LED器件与氢氟酸样品的LED器件性能相当。     

出光窗口对高密度LED性能影响的研究

针对LED高密度光源,探索了出光窗口对器件性能产生影响的原因.通过热学模拟与实物样品的物理性能测试,比较不同出光窗口对器件性能与可靠性的影响.结果表明：出光窗口可以增加LED芯片的散热通道,同时也会影响LED的可靠性;出光窗口会造成一部分光能量的损失,特别是拥有荧光转化功能的窗口,会因荧光转化而产生热量,且产生的热量会因为窗口基体材料的不同呈现不同的结果;荧光转换率高且热导率高的荧光材料,应用于高密度LED器件时,可有效降低荧光转换热量,且能加快荧光转换产生热量导出的速度,提高器件的发光效率与可靠性.     

往复流条件下灯浮标回旋运动的参数估计

为了分析往复流条件下的灯浮标回旋运动规律,先提出以回旋中心和回旋半径作为定量描述灯浮标回旋运动的参数,然后提出基于核密度的参数估计模型.实验结果表明:在往复流条件下回旋半径参数估计值的波动周期与往复流的周期具有统计上的一致性,参数估计值有效.为了定量描述往复流条件下灯浮标安全领域对航道的占用程度,进而优化灯浮标配布,提...     

基于51的LED灯智能控制开关设计

针对当前LED照明设备普遍智能化程度低,传统照明系统智能化改造难度大、 成本高等问题,设计了一种以STC89C51RC单片机为控制核心的LED灯智能控制开关,利用光敏电阻实时检测环境光照强度,同时热释电人体红外传感器感应是否有人靠近,当环境光照强度弱且有人靠近时,智能开关控制LED灯开启,反之LED灯熄灭.通过将传统L...     

Ca3 La7(Si O4)5(PO4)O2:Eu2+,Eu3+荧光粉的制备及发光性能研究

采用高温固相反应法制备了系列Ca3 La7(SiO4)5(PO4)O2:Eu2+,Eu3+荧光粉,并对其光致发光性能进行了系统研究.X射线衍射测试结果表明,制备样品具有单相磷灰石结构.在332 nm紫外光激发下,荧光粉的发射光谱包含源于Eu2+的发射带,并出现Eu3+特征发射峰.随着激活剂浓度的增加,荧光粉的发光强度先...     

便携式发光二极管分光光度计的设计与测试

设计和制作了一款以发光二极管(LED)为光源和检测器,用数字电压表直接显示样品吸光度值的低成本、易操作、便携的微型分光光度计系统.使用自制的光度计对亚甲基蓝试样进行测试,测定结果与721分光光度计无显著差异,具有良好的线性度和精密度,有望投入实际使用,实现分光光度计系统的便携、迷你化、低成本的目标.     

LED成品灯具中铝基板通用不同品牌3030-LED灯珠焊盘的设计

从4款3030LED灯珠型号设计成一种通用焊盘入手,使用AutoCAD进行尺寸分析比对设计完成通用的铝基板焊盘和锡膏钢网后,对4款3030LED灯珠型号分别通过贴片机设备Mirae Mx200L进行灯珠贴片,并采用回流焊设备Mirai K8进行焊接.使用X射线透视机进行分析对比发现,4款3030LED灯珠在通用一种焊盘...     

AlGaN基紫外LED外延结构及其光学性能研究

氮化铝(AlN)作为一种宽带隙半导体,具有优异的物理和化学性能,在紫外发光二极管(Light Emitting Diode, LED)领域有着广泛的应用。同样,发展较为成熟的氮化镓(GaN)在该领域也有着不可替代的作用。而高性能的器件需要有良好的外延层。AlGaN基紫外LED外延层的传统制备方法是采用金属有机化学气相沉积法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD),但是由于该方法中存在着强烈的预反应和Al原子本身迁移速率慢等原因,导致外延层中出现大量缺陷,使得紫外LED器件的性能降低。此外,由于不同材料以及材料与空气的折射率存在差异,使得光难以逃逸到外界,大部分光被局域在芯片内部,从而降低光提取效率以及光强。为了提高器件的光学性能,一种新的紫外LED结构被提出,文章采用时域有限差分模拟(Finite Difference Time Domain, FDTD)软件对该外延结构的光提取效率和出光强度进行了仿真。研究发现,与传统的LED结构相比,新型紫外LED结构的横磁波(TM)光模式和横电波(TE)光模式的光提取效率分别提高了19.1%...