电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度

在 p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc Si/c Si异质结二极管, 测量了异质结的 C V特性. 根据C V实验曲线, 计算出异质结的接触电势差, 再用接触电势差计算了导带的偏移量, 进而求得禁带宽度. 计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.     

1.3μmInGaAsP／InP DCC结构薄夹层厚度对激光器阈值和T0值的影响

研究了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎｐＤＣＣ结构中间夹层厚度对激光器阈值和Ｔ０值的影响，并得到最佳的夹层厚度。     

利用环电位来研究器件结构参数

器件终端处的界面电荷密度是一个影响场限制环终端增压效果的敏感参数，尚无准确的测量方法，本文用数值模拟方法算得了环电位的理论曲线，用实验测量了环电位实验曲线，在此基础上提出了一种通过拟合理论和实验环电位变化曲线而得到实际器件终端处界面电荷密度的方法，可成为考核设计，指导工艺的有用手段。     

nm23转移抑制基因表达在结直肠癌淋巴结转移中的意义

人类肿瘤转移抑制基因nm23定位于17号染色体,有H_1和H_2两个亚型,编码17KD蛋白质,氨基酸排列顺序与二磷酸核苷激酶(NDPK)高度同源。已发现nm23基因的等位基因缺失,突变和低表达与多种人类肿瘤转移相关。nm23基因产物的表达与结直肠癌转移的关系及意义尚无一致意见。本文以结直肠癌根治性手术后全数淋巴结检查为基础(平均每例46.25个),应用S—P技术检测20例结直肠癌nm23基因产物的表达情况。结果表明,nm23基因产物的表达与淋巴结转移个数之间呈明显负相关(r=-16.58,P<0.01);而在有无淋巴结转移之间,差异无显著性(P>0.05)。我们认为:结直肠癌有淋巴结转移时,nm23基因产物的表达情况有助于判断转移的程度,而对估计有否淋巴结转移多方面的意义不大。     

合金异质结的价带带阶的计算方法

半导体异质结界面两侧价带带阶ΔE_v值(即va|ence-band offsets)是决定量子阱、超晶格电子态重要的物理量,无论是理论计算还是实验研究都具有重要的意义。对于由元素     

相对论平均场理论对重核中结团现象的研究

用相对论平均场理论结合结团模型对重核结团现象进行了研究.首先将原子核分为两个部分,然后用相对论平均场模型对原子核的核子按束缚能的高低来分布,结果获得了与实验相一致的结团.这表明相对论平均场模型也适用于重核结团现象的研究.     

考虑临界变形量变化的结合面法向接触刚度计算模型

考虑微凸体接触过程中临界变形量变化,建立结合面法向接触刚度计算模型.采用分形几何表征结合面的形貌特征,由表面形貌测量数据得到分形函数的分形参数D和G.采用弹塑性变形接触理论分析微凸体的接触变形特征,得到微凸体的临界变形量估计模型,其是分形参数和微凸体接触变形量的函数,进而得到考虑临界变形量变化的单个微凸体的接触刚度计算模型.由分形理论得到粗糙表面微凸体分布函数,微凸体分布函数与单个微凸体接触刚度计算模型结合得到结合面的法向接触刚度计算模型.通过对比计算结果与实验数据,验证了所提模型的合理性.     

某大桥主桥上部结构关键施工技术探讨

本文通过例举案例,对某大桥上部结构关键施工展开了探讨,阐述了工程的重难点,并分别对零号节段施工、主梁悬臂施工和引桥施工分析,仅供参考。     

磁控溅射制备CdS/ZnO复合薄膜及其光电性能研究

采用射频磁控溅射两步法制备出CdS/ZnO复合膜,并通过XRD、SEM、AFM、UV-vis、IPCE表征了制备的薄膜。SEM及AFM测试表明,相比于单独的CdS薄膜,CdS/ZnO复合膜的表面形成了更加明显的介孔结构;光电转换效率测试表明,相比单独的CdS薄膜,CdS/ZnO复合膜表现出更高的转换效率,0V(vs. Ag/AgCl)偏压下,IPCE值由36.1%(410nm)增大到66.1%(410nm)。光电转换效率的增加一方面是由介孔表面引起的光吸收增加以及表面活性位增多引起;另一方面,两种半导体的复合形成异质结,异质结的形成促进了光生电子-空穴的分离,提高了薄膜的光电转换效率。