A Direct Parameter-Extraction Method for GalnP／GaAs Heterojunction Bipolar Transistors Small-Signal Model

Heterojunction bipolar transistors(HBT) have been wide ly used for digital, analog, and power applications dueto their superior high speed and high current driving capabili ties. The development of HBT on the materials of GaAs andSi/SiGe has been stimulat…     

DNA倍体分析在结直肠肿瘤研究中的新进展

人体正常的体细胞有恒定的DNA2倍体含量，细胞癌变过程中伴随DNA含量的改变，DNA非整倍体细胞是恶性肿瘤的特异性标志。此外，DNA指数对肿瘤的早期诊断、鉴别诊断、判断预后及评价疗效有重要意义。     

n-型SrTiO3陶瓷与p-型聚苯胺复合材料的研究

对于功能复合材料,因复合后能加强某一特性,甚至能产生出新的特性来,所以复合是开发材料性能的独特途径.鉴于近期发展起来的p-型导电高分子材料聚苯胺的各种优良特性,如电变色特性、吸波特性等.为了开发应用,首先应从理论上对其结合的界面特性,可否形成一种p-n结接触进行研究和探讨.通过对n-SrTiO_3陶瓷上复合p-PAn的研究和探讨,证实该复合界面为p-n异质结结构,进一步的研究还需做大量的工作.1 实验过程及测试(1)n-型半导体钛酸锶陶瓷(n-SrTiO_3)的制备.工艺流程图为:配料—球磨混料—干燥—过80目筛—预合成—造粒—成型—排胶—烧成其中,配粒比例为SrCO_3:TiO_2O_5=1:1.01:0.013.球磨时,料:球:水=1:4:2.5.预合成的温度是1200℃下保温2h,空气气氛.烧成的温度是1420～1460℃下,通N_2的还原气氛下.     

细叶结缕草克隆植株生长发育时间节律初探

通过对克隆植物细叶结缕草（Zoysia tenuifolia Willd．）匍匐茎上复合节及各器官形态建成的时间观测，探讨其克隆植株生长发育的时间节律．研究表明：细叶结缕草的生长发育呈现出较强的节律性，主匍匐茎和二级匍匐茎的生长具有一定相似性．在主匍匐茎和二级匍匐茎上，一般3．3d左右形成一个复合节，而单个复合节间的发育一般需要持续7～8d时间．复合节间的30％的增长是在另外一个复合节形成并快速伸长的同时进行的．通过主匍匐茎的向前直线型生长和次级匍匐茎的侧向伸展，细叶结缕草分株种群规模扩大，提高了生态适应性和种间竞争能力．     

各种添加剂对低温陶瓷结合剂性能的影响

实验主要研究6种添加剂对陶瓷结合剂性能影响.实验证明,随着α-Al2O3加入量的增多,结合剂的熔点逐渐升高,在加入量为15%时流动度最好;CuO、Cr2O3和Zn对结合剂熔点有明显的提高作用;Sn和Cu可以降低结合剂的熔点;加入8%Cr2O3或加入6%Sn时其流动度值最佳.     

结构验收中拉结筋检查方法的探讨

本文针对结构验收中拉结筋的检查方法和手段进行了分析探讨.着重介绍用金属探测这一无损检测的方法.该检测方法具有不影响墙体的质量,使用方便、灵活、快捷、准确度高等优点.     

电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度

在 p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc Si/c Si异质结二极管, 测量了异质结的 C V特性. 根据C V实验曲线, 计算出异质结的接触电势差, 再用接触电势差计算了导带的偏移量, 进而求得禁带宽度. 计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.     

1.3μmInGaAsP／InP DCC结构薄夹层厚度对激光器阈值和T0值的影响

研究了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎｐＤＣＣ结构中间夹层厚度对激光器阈值和Ｔ０值的影响，并得到最佳的夹层厚度。     

利用环电位来研究器件结构参数

器件终端处的界面电荷密度是一个影响场限制环终端增压效果的敏感参数，尚无准确的测量方法，本文用数值模拟方法算得了环电位的理论曲线，用实验测量了环电位实验曲线，在此基础上提出了一种通过拟合理论和实验环电位变化曲线而得到实际器件终端处界面电荷密度的方法，可成为考核设计，指导工艺的有用手段。