SiGe/Si异质pn结的反向C-V特性研究

对SiGe/Si异质pn结的反向C-V特性从理论和实验上进行了研究,建立了SiGe/Si异质pn结的反向C-V特性灰色系统GM(1,1)模型,模型与实验数据符合良好,精确度较高.     

AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟

提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法. 在传统器件模拟软件中, 通过在异质结界面插入d掺杂层, 利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应. 模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结, 结果显示只有前者在异质结界面有载流子限制效应, 而后者没有; Ga面生长的AlGaN/GaN异质结界面处自由电子面密度随Al组分以及AlGaN的厚度增加而增加. 以上模拟结果与其他报道中的实验以及计算结果一致, 说明该方法可有效地将极化效应引入GaN基异质结器件的模拟中.     

机床结合面结构动态参数识别

该文充分考虑机械结合面的接触特性,提出了利用三维接触单元和弹簧-阻尼单元相结合的方法建立结合面的有限元模型,再应用优化参数法对结合面的接触刚度和阻尼等参数进行识别。在此基础上,建立了螺栓连接固定结合面模型,并与一内圆磨床组件的模态测试结果相比较。研究表明:该方法有很好的精度,可以用于实际计算。     

用messy遗传算法确定多层前向神经网络的隐层结点数

提出了一种用messy遗传算法来确定前向神经网络的隐层结点数的方法。该方法引入切断算子和拼接算子,以均方差函数为网络的目标函数,从而得到合适的隐层结点数。实例仿真表明,与现有的方法相比较,该方法找到的隐层结点数所对应的网络均方误差最小,达到了优化神经网络的结构的目的。     

金刚石砂轮的激光修整技术

利用CO2连续激光器进行了激光修锐树脂结合剂和黄铜结合剂金刚石砂轮的试验，在VH-800三维数字显微镜观察激光作用前后金刚石砂轮表面的微观形貌，对激光作用下砂轮表面不同结合剂材料的去除机理进行了分析．考察了砂轮修锐前后表面峰点高度分布的变化，比较了不同激光参数作用下不同的修锐效果．实验证明了激光技术应用于金刚石砂轮的修锐是可行的，激光对不同结合剂砂轮进行修锐时存在一个合适的修锐参数范围，在这个范围内，激光修锐可以获得较好的效果．     

高温超导体Josephson结90GHz谐波混频

与半导体器件相比,Josephson结具有高度非线性、噪声低、工作频带宽及功耗小等独特的优点.人们利用Josepbson结在毫米、亚毫米及远红外波段上开展了许多研究工作.Blaney等利用N_b点接触结进行了谐波混频的实验研究,其最高的信号频率为4.25THz,最多的谐波次数为851次。这一研究工作可用于计量或频率锁定等方面,但因其工作在液氦     

低温下低掺杂硅PN结正向压降反常特性及其分析

本文报道了低掺杂硅PN结正向低温特性的测量结果。低温下,PN结正偏电压(V_F/出现异常现象,即正向偏压与温度T之间的关系是非单调的,随着温度降低,VF会出现一个极大值,接着出现一个极小值,然后随温度下降VF很快增加。本文利用低温下器件中存在的热载流子效应对这种异常现象进行了解释。     

巨型功率晶体管场限环研究

通过解联立一维泊松方程得到了场限环结构的电场和电位分布.讨论了环间距、环宽、N-掺杂浓度、结深和表面电荷密度等参数的影响,得出了归一化击穿电压和环间距计算值.用这些计算值可以推算多环间结构的击穿电压和作为场限环设计的依据.     

多晶GaP/CuInS_2异质结太阳能电池的光电流及转换效率的计算与分析

本文根据半导体材料的性能参数对5μm厚度GaP/CuInS_2异质结单晶和多晶薄膜太阳电池在各种掺杂浓度下的光伏特性作了较严格的分析与计算。要计算中具体考虑到耗尽区密度W(或光电压V)的变化以及内表面复合损失对光电流J_L的影响,此外还用晶界复合损失模型计算了晶粒度对光电流及光伏特性的影响。发现存在一个最佳化的CulnS_2掺杂浓度Na_(max),对于单晶和R=4μm的多晶电池,Na_(max)=10~(16)/cm~3,相应的最大转换效率η分别为16.2％和15.2％。