双向晶闸管四种触发方式优缺点比较

本文对双向晶闸管四种触发方式的原理进行了详细易解的分析，并在此基础上系统比较了各种触发方式的优缺点及其原因，弥补了有关书籍的不足。     

程序升温还原和定温吸附法研究负载钯催化剂中的金属—载体强相互作用

以不同载体的钯催化剂来研究金属——载体之间的强相互作用(SMSI)。利用程序升温还原法(TPR)和定温吸附(TRS)相结合的技术来研究这些催化剂的还原情况和对氢的吸附情况。发现钯在低于200℃时就被还原。在较高温度下氢从Pd到载体有溢流,高温氢处理也会导致SMSI和熔结现象。这些溢流、熔结和SMSI的程度决定于载体。而SMSI也抑制着Pd对氢的大量吸附。在相同还原条件下,负载Pd催化剂有下列熔结趋势:Pd/C>Pd>TiO_2>Pd/Al_2O_3>Pd/SiO_2。     

a—Si∶H/a—Ge∶H多势垒结构中的隧道效应

本文通过对反应溅射法制备的a—si∶H/a—Ge∶H多势垒异质结电流——电压关系的测量,研究了多势垒异质结的载流子输运机理,在室温观察到了强场下通过多势垒结构的隧道电流,并检测了热电子的产生。     

PIN型a-Si太阳电池中的结电场分布、耗尽区宽度和最佳i层厚度的设计与计算

本文用自恰法严格计算了pin器件中的pi和in分离势垒区中电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)及耗尽区宽度W,然后缩小i层厚度使之部分重迭,再用电场迭加厚理算出耗尽区中的电场分布,在此基础上根据全收集条件δ_(gmin)=μ_fτ_pε_(min)算出最佳i层厚度X_e,发现当i层的费米能E_f向E_i靠近和gmin下降时,引起W和X_c显著增大     

热壁外延PbTe／Si异质结带偏移的研究

本文提出一种测定具有高晶格失配率的异质结带偏移的新方法。利用Ｃ－Ｖ测量技术，估计了晶格失配和其它集中电容对ｎ－ＰｂＴｅ／Ｐ－Ｓｉ异质结内建电势的影响。在用适当方法剔除了由其它集中电容引起的测量误差后，所得内建电势差修正值接近理想ＨＪ的计算值。基于此修正值，计算的带偏移△Ｅｖ和△Ｅｃ十分接近国外文献所报导的结果。     

真空热迁移法制备硅垂直多重结X射线探测器

用真空热迁移法，以高纯石墨作为加热元件，构成大面积均匀热板，并以纯铁为冷板，通过严格控制冷、热板的温度，形成稳定的热梯度场。采用高阻单晶硅作为探测器的基体材料，在硅片表面用激光来进行刻槽，在其表面上蒸铝后，置于热迁移场中进行热迁移。按照探测器的要求，蒸发钛－钯－银构成电极，经钝化处理后沉淀适当厚度的Ａｌ层作为窗口，构成垂直多重结Ｘ射线探测器。探测器具有良好的光谱响应，对Ｘ射线有较高的灵敏度，适于较     

VMJ器件的红外特性

垂重多重结半导体器件(VMJ)有良好的近红外光电特性。本文报道了垂直多重结器件的制作工艺及其红外光谱响应的测量结果,同时对该器件的红外谱响应作了分析,并挺出了进一步改进方案.     

测量InGaAsP／InP异质界面的化学斜面法

本文利用ＡＥＳ测量了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质界面的组分分布和界面宽度，提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法，同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响。