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591.
基于密度泛函理论方法,系统研究了新型二维GeC/InSe异质结的电子、光学性质和光催化特性。结果表明,二维GeC/InSe异质结的晶格失配率为0.98%,形成能为-0.135eV/atom,证明异质结的结构稳定。其次,异质结是带隙值为1.82eV的间接带隙半导体材料,表现为Ⅱ型能带对齐,价带和导带的带偏置分别为1.65eV和0.90eV,能够有效降低电子和空穴的复合率,提高GeC/InSe异质结的光催化性能。同时,异质结在可见光范围内有良好的光学响应,光吸收系数达到105cm-1,极大提高太阳能利用率,有利于光水解反应进行。因此,二维GeC/InSe异质结是一种有前景的可见光光催化材料。 相似文献
592.
通过抗弯强度测试、显微硬度和扫描电镜研究新型铜基结合剂CSF中添加V元素后组织和性能的影响.结果表明:强碳化物形成元素V可与金刚石发生界面反应,富集于金刚石表面,当V质量分数低于4%时,可通过固溶强化显著提升胎体的硬度以及胎体对金刚石的把持力,且把持力随着V的增加而增加;当V质量分数超过4%时,胎体组织不均匀,性能降低,对金刚石的把持力下降. 相似文献
593.
薛鲍 《西北大学学报(自然科学版)》2015,(3):473
<正>近日,西北大学物理学院冯宏剑博士(陕西省百人计划特聘专家)以独立作者身份在能源领域顶级期刊《Journal of Power Sources》(一区,2013年影响因子为5.211)发表了最新科研成果"Ferroelectric polarization driven optical absorption and charge carrier transport in CH3NH3Pb I3/TiO 2-based photovoltaic cells"。 相似文献
594.
595.
朱国庆 《贵州大学学报(自然科学版)》2014,(3)
在深基坑工程中,基坑发生突涌是导致基坑工程事故的最直接原因之一。本文从土颗粒的微观结构入手,认为土颗粒表面存在吸附的结合水。坑底为弱透水层,即粗细颗粒都存在时,需要水土合算与水土分算间的过渡分析计算思维,即利用统一后的计算方法来得到土中广义渗流力、广义强度参数及广义浮重度。结合力学平衡方程,推导出新的抗突涌验算公式。然后结合工程实例建立物理模型进行离心试验,将离心试验结果与理论验算结果进行比较,结果表明新公式预测基坑突涌比传统公式更为准确。 相似文献
596.
利用解析与数值方法,对处于对称双势阱中的玻色爱因斯坦凝聚体中,势垒宽度对系统非线性耦合及其动力学的影响进行了研究.研究发现当势垒宽度较大时,系统的线性耦合强度可迅速减小;在势垒宽度大于0.3且非线性强度较大时,线性耦合强度远小于非线性耦合项,此时玻色约瑟夫森结模型的动力学特性由非线性耦合强度来决定.同时对势垒宽度对BEC约瑟夫森振荡的周期和发生宏观量子自俘获时的非线性临界值进行了详细的研究. 相似文献
597.
随着数字技术的发展,光探测、光存储、光信息的检测和处理都要求有较高性能的探测器。异质结光晶体管(HPT)作为一种光电探测器件,拥有较多优点。在对比当前应用的各种光敏二极管和传统的光晶体管的基础上,提出了异质结光晶体管的设计思路及具体实现方法。 相似文献
598.
本文讨论和推导了L-G方程系数α,β的三种表达式,并指出了其错误,给出了相应的S-N,S-S结的转变温度表达式. 相似文献
599.
方龙森 《上海交通大学学报》1991,25(1):81-86
本文对形成Ⅳ-Ⅵ族PbSe 金属-半导体肖特基势垒结之工艺和为了提高该器件的R_0A 值,将氯化物作为Pb/PbSe 界面的机理作了研究.本文还研究了具有PbCl_x 界面的PbSe 肖特基势垒结的特性模型化,同时给出了R_0,n,R_(SH),和Φ_B 等模型参数的提取方法.测量表明具有界面层的Pb/PbSe势垒结显示了良好的电学性能. 相似文献
600.