好玩的数学——有趣的自守数

在数学中，“同构”是一个十分重要的概念。我们说两个图是同构的，指的是这两个图不仅结点数和边数都一样，而且边和结点的对应关系也完全一样，只是结点布局不同，边的形状有差异而已。从数学上来说，它们可以说是一个图。在数论中，也有类似的同构现象，叫“自同构数”，或叫“自守数”（automorphic humber）。所谓自守数，是这样的数，其平方的尾数是这个数自身。例如     

Si－GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半无限晶体构成的Ｓｉ一ＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ．     

用结恢复电流研究a-Si:H p~+-i-n~+结构的缺陷

本文采用多次陷落模型,用结恢复电流技术研究了a—Si:H太阳电池长时间光照后的光致变化效应。发现光照之后的太阳电池比光照前空穴迁移率和寿命的乘积有明显下降,而且光致亚稳缺陷主要起复合中心的作用。     

金属－氧化物－金属隧道结的光发射

报道通过改进制作工艺，将Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－Ａｕ隧道结的耐压增强到５．３Ｖ，发光外量子效率增强到８．２×１０（－４）均高过迄今见到的关于该类结的最高耐压和最高效率的报道。我们观测到了该发光结上的Ａｕ膜厚度对发射光谱形状的影响，观测到了该光谱的截止频率≈３．２６ｅＶ，峰值≈２．１ｅＶ，并提出了理论解释；特别是利用对该结表面所拍得的ＳＴＭ照片，首次将Ｌａｋｓ－Ｍｉｌｌｓ近似模型用于该光谱峰位的解释。     

YAG激光诱导硅光二极管产生等离子体的研究

作者就调Ｑ－ＹＡＧ激光诱导硅ＰＩＮ结构二极管产生等离子体的理论和实验进行了研究，首次得到了激光诱导硅光二极管产生等离子体的Ｍ－Ｚ干涉图及有关的计算结果。     

Nb／AlO_x／Nb约瑟夫森结阳极氧化的实验研究

本文描述在ＣＯＲＮＩＮＧ７０５９玻璃衬底上用磁挖射频溅射法制备Ｎｂ／ＡｌＯｘ／Ｎｂ约瑟夫森结的质量和工艺条件的相关规律。由Ｘ荧光测量和扫描电镜观测，分别研究膜的Ａｒ浓度ＣＡｒ与偏压Ｖｂ的关系和膜的表面形貌与结构。并对Ｖｂ和气体压力ＰＡｒ对膜应力和结构的影响作探讨．对Ｎｂ／ＡｌＯｘ／Ｎｂ约瑟夫森的介面及各种氧化参数的影响研究发现：膜的厚度、氧化温度、层序、薄的自然氧层的存在等因素对介面的质量有大的影响。通过对体现结特性的阳极氧化电压谱图的测量比较，我们确认介面的陡度与结的质量相关，即与超导特性相关。ＡｌＯｘ阻挡层的Ａｌ层厚度的最小最佳值为０．７ｎｍ。