新型PN结终端技术的研究

在场板工作机理的基础上阐述了一种新型的场板和保护环相结合的P-N结终端技术的工作原理,最后讨论了此终端结构的可行性。     

改进的多阶段连续潮流算法

提出了一种多阶段连续潮流算法,旨在提高其计算速度及识别极限诱导分岔点和鞍结分岔点。将λ-V曲线的计算过程分为三个阶段,根据各阶段连续潮流计算的不同特点,运用与之相匹配的计算方法,在保证准确性的同时提高其计算速度,并识别分岔点类型。最后,以IEEE118节点系统为测试系统,对其进行数值仿真,进一步验证所提方法的合理性和有效性。     

掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用

采用气态源分子束外延（GSMBE）技术在（100）InP衬底上分别了生长了δ掺杂的P^＋ -AllnAs—n^＋ -InP和P^＋ -InP—n^＋ -InP两种隧道结结构,用电化学C—V和I—V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现P^＋ -AllnAs-n^＋ -InP隧道结性能好于P^＋ -InP-n^＋ -InP隧道结。接着在（100）InP衬底上生长了包含P^＋ -AllnAs-n^＋ -InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1．3μm垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构,测试得出其开启电压比普通的PIN结VCSEL小,室温下其电致荧光谱波长在1．29μm。     

氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED

针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n⁺-GaN/Al_0.4Ga_0.6N/p⁺-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_0.65Ga_0.35N电子提供层、 Al_0.65Ga_0.35N/Al_0.5Ga_0.5N多量子阱、组分渐变p-Al_xGa_1-xN和n⁺-GaN/Al_0.4Ga_0.6N/p⁺-GaN隧道结构成。研究结果表明,相比于无隧道结的参考LED,隧道结LED具有更高的内量子效率和光输出功率,同时其具有更低的开启电压。隧道结LED光电特性的改善,归因于隧道结的引入提升了LED的...     

六元瓜环与2-氨基甲基吡啶包结配合物的晶体结构

本文用X射线单晶衍射方法研究六元瓜环与2-氨基甲基吡啶的相互作用及其结构特征。从主客体包结配合物的晶体结构,可以看出2-氨基甲基吡啶的吡啶环进入了瓜环空腔,形成1∶1包结配合物,表明2-氨基甲基吡啶与对六元瓜环有明显地相互作用。     

中间包永久衬浇注料用结合剂

以B级高铝矾土熟料为骨料，A级矾土熟料为基质料，同时加入蓝晶石、硅线石为膨胀荆，紫木节粘土为烧结剂、塑化剂，研究了分别采用硅灰、高铝水泥、水玻璃、复合结合剂等为结^合剂的不同配方组成的浇注料。通过浇注料试样性能检测比较，探讨了不同种类结合剂对浇注料性能的影响，实验证明复合结合剂更有利于浇注料性能的提高。     

用微扰理论研究涨落对约瑟夫逊遂道结的影响

本文用微扰方法研究了涨落对约瑟夫逊隧道结的影响.在修改后的Sine—Gordon方程中加进涨落项ξ(xt),并计入常偏置和耗散作用的影响,利用微扰方法,求出约结两端的位相差函数,从而求出涨落电压和磁通流量子速度的平均值,发现平均电压与一些文献上的定性讨论相符,即与外加偏置电流I的大小成正比,与临界电流I_0成反比,与等效电阻成反比.其次,本文对涨落电压进行了谱密度分析,求出的谱密度表达式,形式上类似于散射理论中讨论的两种散射的动力学结构因子.     

GCr15钢球与A3钢板电阻焊工艺参数的研究

本文在试验基础上,确定了GCr15φ5钢球与A3薄板电阻焊的工艺参数,并讨论了各工艺参数与焊后性能、金相组织的关系。     

n—p—m—n—p—m—n—p形式的发光模型及其实验证明

显微观测表明，在交流电场激发下，ＺｎＳ：Ｃｕ单晶不是整体发光，而是呈线状的发光区，这种发光区域为交流电致发光线（ＡＣＥＬ），我们的工作证明，交流电致发光线不是连续的发光体，而是断续的发光线，也就是说，在交流电致发光线中存在着不发光区，这种现象被称为“分段发光”从而验证了Ｗ．Ａ．Ｔｈｏｒｎｔｏｎ教授根据发光的损耗发电流和电压的关系得到类正向ｐ－ｎ结的伏安曲线而提出了，ＺｎＳ中可能存在的一连串的ｐ－ｎ     

隧道量子对称结的制备工艺、特性和Swihart模

本文研究隧道量子对称结的制备工艺和阳极氧化电压谱图特性（ＡＶＳ），发现亲近效应消失，高质量结在势垒厚度大于７ｎｍ时获得。同时推演了结的Ｓｗｉｈａｒｔ模，讨论并代入参量计算比较，证实结内Ｓｗｉｈａｒｔ模的必然存在