GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的Type-Ⅱ特性

研究了分子束外延生长的不同舍量的GaAs1-xSbx／GaAs量子阱的光荧光特性和时间分辨光谱特性．分析表明，利用电子空穴分离导致了能带弯曲和能带填充效应，实验结果说明了GaAs1-xSbx／GaAs异质结至少在Sb原子数目百分比为16％～26％时是Type-Ⅱ结构．     

DNA：双螺旋结构并非全部

科学界正在热切地准备纪念沃森与克里克的划时代论文发表 50周年。但DNA不仅是双螺旋的图像结构。本文勾勒出了一个真正动态的DNA分子——     

一种新的六端口接收机的校准方法

在现有关于六端口反射计校准方法的基础上,结合六端口接收机的特点提出了一种新的校准方法.该方法将经过调制的本地参考信号与本振信号的比值作为校准所需的标准.根据给出的条件来选择调制方式和相应产生标准的状态,将会使校准过程大大简化.采用该方法进行校准,计算量小,无需进行迭代运算,而且广泛适用于各种六端口结的校准.     

耦合了J-J型方程动力系统的整体行为

该文绘出了固定参数相图,固定k,γ-I相图,以及固定γ,k,关于i的各支框图.     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结中的束缚极化子

对半导体单异质结系统，引入三角势近似异质结势，考虑电子、杂质与声子的相互作用，利用改进的LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量，对Zn1-xCdSe/ZnSe系统的杂质态结合能进行了数值计算，给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系，结果表明，杂质－声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负。     

高偏压Al-MgF_2-Au(Cu)隧道结的结构、导电和发光

本文对我们所发明的Al-MgF_2-Au(Cu)薄膜发光器件[1]的内层结构、导电过程和发光机理做了进一步的研究,对以前报导的一些结论作了原则性的修正:前所报导的Al-MgF_2-Au结内层的实际结构是Al-Al_2O_3-MgF_2-Au,而不仅仅是Al-MgF_2-Au;且正是由于Al_2O_3膜的存在,方才使MgF_2膜得以具有绝缘作用。是来之负电极的隧穿电子,而不是MgF_2膜内的热电子,导致了该结的导电和发光。据此,本文对该结在高偏压下的logL∝V的新型伏安特性曲线及其发射光谱中位于3.4ev(3600)附近的截止频率给出了理论解释;从而得出:电子隧穿,激发SPP,然后SPP退激发光的这一物理过程,即使在Al、Au两电极间的绝缘层厚度由3μm左右增加到20μm左右时,也可依然存在。     

对“新的p—n结光生伏特效应”提法的异议：一与刘忠厚等同志商榷

本文对刘忠厚同志否定经典光伏理论的实验提出质疑，并指出他的“新的ｐ－ｎ结光生伏效应”理论的不妥之处。     

结型场效应管放大器的计算

本文提出一种通过绘制通用转移特性曲线和通用跨导特性曲线来计算结型场效应管放大器的 方法，由于此法能适应不同型号的场效应管，使放大电路的计算得到简化。