氮化镓的材料与器件

本书是新加坡世界科技出版公司出版的《电子学与系统专题》丛书的第33卷。GaN半导体具有独特的材料性质，这些性质引发了半导体系统光电子和电子器件的研究与开发的极大兴趣。氮化物材料与器件对高功率、高温度应用极为有前途，其主要优点是高电子迁移率和饱和速度、在异质结界面上的高层载流子浓度、高击穿电场及当它们生长在SiC或大量的A1N基片上时的低热阻抗。     

烧碱法麦草浆黑液蒸发器结垢物的分形特征

对麦草浆黑液结垢物的分形特性进行了研究．麦草浆黑液结垢物的表面形貌表现出自相似性，其成长具有非线性的分形动力学特征，并计算出其分形维数。     

高温超导双晶结dc SQUID的I～V特性仿真研究

根据dcSQUID等效电路理论推导出描述dcSQUID特性的方程组,采用Matlab仿真工具软件对对称型高温超导双晶结dcSQUID进行仿真研究。仿真研究表明dcSQUID的输出电压是外磁通的周期性函数,其周期为一个磁通量子0。仿真研究的结果还为制备dcSQUID时,器件各参量的确定提供了有力的依据。     

Co/Al2O3/FeNi隧道结的中间层厚度对其输运特性的影响

制备了不同Al2O3厚度的Co／Al2O3／FeNi隧道结，并在77K温度下测量了其输运特性。发现随着厚度的增加，TMR下降。但是当Al2O3厚度降为2nm时，磁电阻不再出现典型的双峰曲线，而是呈现高阻和低阻两个状态。测量了隧道结的TMR随外加电压的变化、伏安特性曲线、电阻随温度的变化曲线，综合所有因素，在文中制备条件下，Al2O3厚度为4nm时，隧道结性能最好。     

半导体激光器结电压饱和特性及其与器件可靠性的关系

本文讨论了半导体激光器的结电压饱和特性,并给出了其可靠性和结电压饱和特性关系的实验结果.     

高维自治系统周期解的鞍结分歧

利用Ｌｉａｐｕｎｏｖ－Ｓｃｈｍｉｄｔ方法对高维自治系统的周期解进行了研究，得到了周期解的鞍结分歧产生的一个充分条件，并给出了一个具体的例子。     

未来的半导体器件

本文综观半导体器件的现状,提出21世纪占主导地位的半导体器件为真空半导体器件、BiCMOS器件、低温半导体器件、GeSi异质结器件以及量子效应半导体器件,它们在一定程度上代表了未来半导体器件的发展方向。     

1.3μm InGaAsp/Inp DCC结构对激光器阈值和T_0值的影响

研究了 1 .3 μmInGaAsp InpDCC结构中间夹层厚度对激光器阈值和T0 值的影响 ,并得到了最佳的夹层厚度     

浅结硅光伏电池光响应特性实验研究

实验研究了电子束辐照诱导半导体掺杂技术制作的浅结硅光伏电池光响应特性。给出其相对光谱响应和激光感生光电压值。结果表明该器件具有较好的光响应特性。