带刚性臂的空间绳系机构偏置控制

通过系绳与机构间串联的可控刚性臂作为偏置控制器,对由轨道偏心率弓』起的系统面内运动发散动力学问题进行分析,研究了空间绳系机构系统的位置-9姿态最优控制问题．利用Gauss伪谱法,将绳系机构位置与姿态最优控制离散为大规模动态规划问题,借助非线性规划方法求解,并引入状态反馈补偿来抑制系统的初始扰动．数值结果表明,偏置机构的引入提高了系统面内运动发散的轨道偏心率,机构的位置与姿态控制可相互解耦,以系绳张力、刚性臂转动加速度和绳系机构上的动量轮作为控制输入,降低了动量轮的控制力矩,状态反馈跟踪补偿控制器有效消除了系统的扰动影响．     

一种基于卡尔曼滤波的改进多用户检测算法

总结了DS-CDMA系统的异步高斯信道模型和多径衰落信道模型,重点讨论了用状态空间方程表述多径衰落信道模型的方法,并采用卡尔曼滤波的递推算法求出每个用户每条路径上的状态估计。针对期望用户,对属于同一个码元的所有状态估计求和,接着进行最大比合并再判决。最后对两种信道模型进行算法仿真,分析其收敛性和抗“远-近”效应的性能。结果表明本文给出的算法收敛速度快,并且能有效地抑制“远-近”效应。     

高斯函数的一个重要性质

从素数与合数两方面入手,研究阶乘、整除及高斯函数三者间的关系,归纳出高斯函数的一个重要性质:若n是一个正整数,则[(n-1)!/n(n 1)]是偶数.     

F H_2(0)→H HF(υ)一维共线反应几率的LCAC-SW法数值计算

用排列通道线性组合散射波方法（ＬＣＡＣ－ＳＷ方法）计算了一维共线反应Ｆ＋Ｈ２（０）→Ｈ＋ＨＦ（υ）的反应几率。在采用一较小基组（振动能级数目ｎｖｉｂ（Ｈ２）＝８，ｎｖｉｂ（ＨＦ）＝１２，分布高斯基函数数目ｎｇａｓ＝１０）的情况下，得到了与Ｋｕｐｐｅｒｍａｎｎ的精确量子计算数值比较一致的结果。算得Ｆ＋Ｈ２（０）→Ｈ＋ＨＦ（υ＝２）交换反应几率ＰＲ０２在Ｅ≈０．０１４ｅＶ附近有一尖峰出现     

回转面的曲率特性及铣刀设计的数学模型

论述回转曲面的曲率特性，给出平均曲率、Ｇａｕｓｓ曲率、法曲率的计算公式及回转面的几何特性与生成母线之间曲率特性的关系。论述螺旋面外铣、旋风铣两种情况刀具设计问题。     

用高斯定理求解电场分布的深入探讨

为了加深对静电场高斯定理的理解和正确应用，利用一些特列结论和基础理论知识对静电场中较复杂的问题进行详细分析，给出解题的正确思路。     

厄米—高斯光束通过光学系统的传播

运用以惠更斯－菲涅尔原理为基础提出来的取样理论，来计算厄米－高斯光束ＴＥＭ１１，ＴＥＭ１２，ＴＥＭ２和ＴＥＭ２２通过可由ＡＢＣＤ转换矩阵描述的光扩仪系统传播的衍射图案。     

利用高斯分布模型研究多晶硅晶硅界电学特性

研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制，建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型.将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布，利用这个模型，给出了改善的电流-电压特性方程，并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性.数值计算表明，多硅电阻率随势垒高度的增加而基本呈线性增加.另外，电阻率ρ随掺杂浓度的增加而减小，当掺杂剂浓度约为1×1019cm-3，ρ和ρgb下降最快.且在晶粒尺寸为102nm范围内晶界的电阻率比晶粒的电阻率约大2～3个数量级.分析结果表明，晶界是高电阻区，晶界的这种精细分布描述，有助于进一步理解多晶硅的晶界特性，从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率.     

关于高斯定理的一个疑问

本文详细分析了高斯定理的物理意义,通过四个例题详细解答了利用高斯定理在求解空间部分电荷产生电场和所有电荷电场时容易产生的一个困惑。     

气敏元件动态脉冲测试时气体浓度的理论计算

利用高斯函数推导出了气敏元件动态测试时，气体到达元件表面的浓度值的计算公式，并对液体试剂取其上方蒸气测试时，进行了蒸气压修正．