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991.
设G是具有围长 g≥5 的n阶2-连通简单图,若对于任意 u,v∈V(G),且d(u,v)=2,都有 max{d(u),d(v)}≥b,则G的周长为  相似文献   
992.
2-Deoxyecdysone was purified from the miteTyrophagus putrescentiae and monitored by a radioimmunoassay. The compound was identified by GC-MS and LC-MS. This is the first report of an endogenous ecdysteroid from a mite.  相似文献   
993.
研究从杂醇油124~128℃的馏分中,分离出l-2-甲基丁醇和异戊醇的设备和操作条件。  相似文献   
994.
采用小角 x 射线散射法(SAXS)研究了 CH_2Cl_2分别对磷脂酰胆碱(PC)和磷脂酰乙醇胺(PE)液晶结构影响的机理。通过比较得知,CH_2Cl_2对PC 和 PE 液晶结构影响不同之处,主要是 PC 和 PE 结构不同所致。在 CH_2Cl_2的作用下,PC 液晶态从 L_β相经过 L_α相最后变成 LH。而 PE 液晶态却从 L_β相经过 L_α相最后变成 H_Ⅱ相。说明电偶极矩 M≠0的物质有使“棒状”的 PC 液晶态形成片层六角形的机理,对“锥状”的 PE 液晶态却有诱发其形成 H_Ⅱ相的机理。  相似文献   
995.
在2-D横向各向同性介质中,似P波与似SV波耦合;3-D介质中,似P波与似SV波及似SH波均耦合于偏微分波动方程组中,为便于2-D与3-D横向各向同性介质中震波激发以及地震记录合成研究,本文首先对波动方程组本身进行了讨论,进而分别研究了二维与三维横向各向同性介质中波动方程组的解耦问题,得到了解耦后的关于位移分量偏微分方程。  相似文献   
996.
本文提出了简单、直接的改进尝试法,它适用于六方、四方、正交、单斜和三斜晶体的粉末衍射数据的指标化,该方法在偶然或系统消光失去衍射的情况下,也能有效地指标化粉末衍射数据,作者在改进尝试法的基础上采用FORTRAN77计算机语言编写了程序,并用具体实例进行了验证。作者用改进尝试法成功地指标化了未知晶系邻羟基苯基二乙基膦酸酯粉末晶体的X射线衍射数据,由指标化程序得到的点阵参数最后用最小二乘法作了精化,其结果如下:α=12.8705(01)A,b=8.6118(37)(?),c=11.4123(40)(?),β=92.942(77)°,s=4,M_(20=)6.11,D_(obs)=1.218,D_(oal)=1.210,空间群为C_(2h)~1-P2/m,C_2~1-P2或C_3~1-Pm。  相似文献   
997.
本文采用U群方法计算了Sm~(2+)离子的激发态4f~5n′l′的主要谱项能级,给出了以Slater积分为参数的表达式。并顾及自旋-轨道耦合,按Russell-Saunders近似计算了相应能级的耦合参数λ。  相似文献   
998.
采用等离子喷涂工艺以最佳工艺参数制得 Cr2O3涂层。在 SRV高温摩擦磨 损试验机上测量了该涂层与Al2O3球对磨从室温到800℃时的摩擦系数和磨损量,结 果发现摩擦系数和磨损量都随温度上升而下降。 AES和 SEM分析和观察磨损表面结 果表明;常温时涂层磨损机制为断裂磨损;高温时磨损表面发生材料转移和塑性流动, 并且在涂层表面有致密保护膜生成,该致密保护膜不仅降低摩擦系数而且降低涂层磨损。 文中还讨论了负荷对摩擦系数和涂层磨损的影响。  相似文献   
999.
在400mm直径的环隙气升式发酵罐(Ⅰ)内进行了两步发酵试验,由山梨醇制取维生素C的前体——2-酮基-L-古龙酸。测定了第二步发酵过程的氧传递速率和体积传质系数。实验表明,在产酸中期的平均体积传质系数仅为相同表观气速下,空气-水系统的体积传质系数的40%左右。采用性能指标PI作为评价发酵罐操作性能的标准,求得(Ⅰ)的最佳空气流量,并与机械搅拌罐(Ⅱ)作比较。发酵试验表明,(Ⅰ)非常适用于两步发酵过程。在适宜的操作条件下,其总收率可达85%左右。所以(Ⅰ)完全能替代(Ⅱ),从而大大节约能耗和投资费用。  相似文献   
1000.
离子交换法制得V_2O_5凝胶和SiO_2含量低于50%(mol)的SiO_2-V_2O_5凝胶。借助透射电镜和电子衍射仪,研究了凝胶的结构,并用DTA-EGA和XRD分析了热处理过程中凝胶的物理化学变化。浸涂法制得V_2O_5和SiO_2-V_2O_3导电膜。凝胶具纤维状结构并含有V_2O_5·H_2O晶子。热处理温度影响膜的状态和电导率。电导率随温度升高,在305~315℃达最大值0.3 Ω~(-1)cm~(-1),温度进一步提高时将导致V_2O_5晶化和电导率下降。SiO_2的掺入提高膜的抗划伤强度并阻缓V_2O_5晶化,但是降低了电导率。  相似文献   
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