DrugFET的研究（XⅢ）：四苯硼钠一烟碱FET的研制与应用

本文将离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）与药物敏感膜相结合,研制成一种药物敏感场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）。用四苯硼钠为电活性物质,邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂,制成ｐｖｃ膜,对烟碱的线性范围为１．０×１０－２～２．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ,斜率为５７．５ｍｖ／ｐｃ,适宜ｐＨ范围为５．５～８．０,检出限为１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ。用该传感器分析烟草中烟碱的含量,结果和分光光度法相一致。     

荧光磁粉无损检测自动化系统的实现

对如何实现凸轮轴荧光磁粉无损检测自动化进行了讨论。给出了以微计算机为中心的自动控制系统，系统以主计算机控制PLC磁粉探伤机和步进电机，使工件的探伤过程与图像处理过程并行运行，实现了裂纹磁痕的自动识别。     

多元插值

多元插值问题，始终是数值分析中的一个重要问题。本文利用Ｗ２＾１（Ｄ）空间的再生核Ｒ（Ｍ，Ｍ‘）得到了一个二元插值公式，此公式具有：１．对任意无限加密的节点系，插值过程一致收敛，２．每增加一个节点，插值误差在Ｓｏｂｏｌｅｖ范数意义下单调下降。３．并且，插值公式只需在原有的基础上增加一项。     

二元关系传递核的构造

本文对二元关系的一种新运算一核运算，加以完善，给出传递核的构造，同时进行了严格的证明。     

2—苯基—3H—吲哚—3—酮的合成及其与1,3—二羰基化合物亲核加成反应

由２－苯基吲哚经亚硝化，还原，氧化及水解合成了２－苯基－３Ｈ－吲哚－３－酮（１）１与１，３－二羰基化合物的酸催化亲核加成反应给出了高产率的２，２－二取代－１，２－二氢－３Ｈ－吲哚－３－酮（７）。     

温度对第二类哑铃畴畴壁中VBL的影响

实验研究了非压缩状态下第二类哑铃畴（ⅡＤ）畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的温度稳定性，发现了与材料参量有关的两个重要温度（Ｔ）（ⅡＤ）与（Ｔ０）（ⅡＤ）当温度达到（Ｔ　）（ⅡＤ）时，ⅡＤ畴壁中的ＶＢＬ开始丢失；当温度达到（Ｔ０）（ⅡＤ）时，所有ⅡＤ畴壁中的ＶＢＬ链全部解体。在（Ｔ　　）（ⅡＤ）与（Ｔ０）（ⅡＤ）之间，温度越高，ⅡＤ畴壁中丢失的ＶＢＬ数目越多。     

离子交换法测配合物（二草酸二水合铬酸钾）中配合离子电荷数的实验方法研究

本文作者介绍一种用指示剂判断淋洗终点，酸滴定OH^-离子浓度对配合物配合离子电荷数进行测定的实验方法。     

无线电能传输技术综述 3

叙述了无线电能传输的概念和发展历程,着重对电磁感应式、电磁共振式和电磁辐射式三种无线电能传输进行了详细分析;电磁感应式传输距离近、效率低且需要补偿;电磁共振式是对感应式的突破,可以在几米的范围内传输中等,其研究前景较好;电磁辐射式传输距离远,功率较大,但传输较远距离时需要高效整流天线和高方向性天线,其研制难度较大。     

钴铜镍铁氧体/碳纳米管复合物的制备及电磁性能

用溶液填充法制备了Co0.6Cu0.16Ni0.24Fe2O4铁氧体/碳纳米管（CCNF/MWNTs）复合物.通过现代测试技术表征了样品的结构、热稳定性、形貌和吸波性能.探讨了铁离子浓度、反应时间、煅烧温度等对其电-磁性能的影响.结果表明,复合物的电导率主要与其中MWNTs的含量有关;磁性与MWNTs中填充CCNF的量成正比.当[Fe3＋]=0.25mol/L,填充时间为18h,煅烧温度为350°C时,所制备的CCNF/MWNTs复合物具有最佳的介电损耗和磁损耗性能,且复合物在9.76GHz处的反射损耗极值为22.47dB,有效带宽大于2.0GHz.由此推测,CCNF/MWNTs复合物是一类具有较大潜在应用价值的电磁波吸收材料.