合金渗碳钢件锻造余热等温正火生产线工艺设计理论的研究

本文研究了合金渗碳钢锻件正火后应该具备的显微组织和硬度要求，提出了一种适合大量生产的既可提高钢件正火质量，又可大量节约热能的利用锻造余热等温正火新工艺及其生产线的组成，并对工艺设计理论进行了讨论。     

碲镁磷对过共晶铝硅合金中硅相形貌的影响

本文通过在高纯过共晶Al-Si合金中调整Te、Mg、P加入量的试验,研究Te对含Mg的Al-Si合金铸态硅相形貌的影响。结果表明,Te、Mg、P中任何一种元素占优势时,都能以该元素为主影响合金的组织形态。     

Fe-0.64at％Ti二元合金系统低温氮化内耗峰谱的研究

系统地测量了400℃氯化的Fe-0.64Ti合金系统不同热处理制度下异常内耗峰的行为.提出了230℃峰的Ti-N_2仨缺陷模型,指出了100—150℃峰与高温时效过程中在{100}_α面上形成富钛、氮的预沉淀相紧密相关.     

化学沉积Ni-Co-P合金电极在碱性介质中的析氢电催化性能

用化学镀方法制备了Ni-P,Ni-Co-P合金电极,用电子能谱仪、扫描电镜(SEM)、X射线衍射测量了化学镀Ni-P,Ni-Co-P合金的组成、形貌结构、晶形.用电化学的方法研究了Ni-P,Ni-Co-P合金作阴极在1mol·L-1NaOH溶液中的析氢催化活性及稳定性,结果表明Ni-P,Ni-Co-P合金电极具有良好的析氢电催化性能和电化学稳定性.     

稀土(La,Nd,Sn)化合物对电沉积Ni-Co合金的影响

研究了在电镀溶液中加入稀土化合物后对电沉积Ni-Co合金的影响。实验结果表明,Ni-Co合金的电沉积过程符合“异常共沉积机理”;在电镀溶液中加入少量稀土化合物后,可以增大合金电沉积过程的阴极极化,并能增强合金镀层的耐腐蚀性能,也能使合金阴极的析氢电催化活性有所增加。     

高强度镁合金的研究与开发

简述了高强度镁合金的特点及用途;阐明研究和开发高强度镁合金的意义;综述了高强度镁合金的研究和应用现状及高强度镁合金的研究方向;指出发展高强度镁合金对拓展我国应用领域的重要性。     

Ce-Co合金膜在乙酰胺-尿素-NaBr熔体中电化学制备的研究

 应用循环曲线法研究了在353 K的乙酰胺-尿素-NaBr熔体中Co²⁺在Pt和Cu电极上的电化学行为,获知Co²⁺电还原为金属Co是一步不可逆过程,测得α为0.28,D₀为4.65×10_-5cm²/s;而Ce³⁺不能单独还原为Ce,但可以被Co(Ⅱ)诱导而共沉积;由恒电位电解法得到非晶态的Ce-Co合金,Ce-Co合金膜中Ce的质量分数随电位、时间和浓度的变化而变化,其合金膜中Ce的质量分数的最大值可达64.65%.     

纳米晶低钼高铁Fe-Ni-Mo合金的制备及其微观结构

在酸性柠檬酸盐镀液中电沉积制备低Mo高Fe含量的Fe-Ni—Mo合金；采用扫描电镜、X射线衍射仪和X射线能谱仪对镀层微观结构、表面形貌及组成进行分析。结果表明：工艺条件和钼酸钠浓度对合金组成的影响较大;所得合金晶粒尺寸为6．2～12．7nm，并随电流密度、温度和电镀液的pH值的改变而变化；合金的晶体生长符合晶核三维生长模型，镀层表面形貌由平行和垂直于基体的生长速度的相对大小决定；镀层物相为固溶体和金属间化合物的多相结构，当电流密度为3A／dm^2时，镀层物相由FeNi（BCC）和FeMo固溶相转化为FeNi（FCC）和MoNi4多相结构；镀层的应力随晶粒尺寸的减小呈线性增大；合金镀层的点阵常数发生了畸变。     

半导体热电材料Bi1-xSbx薄膜的电化学制备

B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。     

苏州高岭土在不同温度煅烧时的产物

采用XRF,SEM,XRD,IR,NMR等测试手段对苏州高岭土及其在550～850℃的煅烧产物进行了研究.实验结果表明:煅烧后产物由煅烧前的晶态转变成了非晶态;煅烧温度对高岭土煅烧产物形貌和结构有一定影响,温度越高,产物中棒状,块状小颗粒越少,Al的四配位量越多.