镓的高灵敏显色反应(Ga(Ⅲ)-BPR-Tween80-CTAB体系)

本文研究了高灵敏的Ga(Ⅲ)-BPR-Tween80-CTAB体系。该体系的适宜酸度为pH2.87～3.42。最大吸收在528nm。锌量在0.1～1.0μg/25ml范围遵守比耳定律。当Tween80在高浓度(0.8％)时,ε=5.72×10~5l·mol~(-1)·cm~(-1);当Twnne80在低浓度(0.24％)并辅以少量H_2O_2(浓度为4.8×10~(-3)％)时,ε=1.09×10~6l·mol~(-1)·cm~(-1)。镓在6mol/l盐酸介质中用乙酸丁酯萃取分离后,测定了分子筛型催化剂中的镓含量。     

Au激光等离子体中Au48+的跃迁谱线和能级寿命的理论计算

根据扩展的相对论多组态Dirac-Fock理论,采用“全相对论原子结构程序（GRASP2）”,考虑重要核的有限体积效应、量子电动力学效应（QED）和Breit修正以及组态间的相互作用,计算类镓Au^48＋的能级寿命、能级宽度、跃迁波长、跃迁几率和振子强度。结果表明：计算所得的波长与最新的实验数据及其他参考数据较吻合;能级寿命与能级宽度的关系符合海森保的能量与时间测不准原理;在类镓Au^48＋的跃迁中,3d-4f是一条较强的通道。     

纯铝中痕量镓的测定及机理研究

研究了纯铝中痕量镓示波极谱的直接测定方法.在醋酸缓冲溶液中,溴邻苯三酚红(BPR)与镓形成具有电活性的红色络合物,该络合物在滴汞电极上于-1.15V产生一灵敏的极谱还原波,峰电流与镓浓度在2.0×10-7mol/L～1.0×10-5mol/L范围内呈良好线性关系,检测限达1×10-7mol/L.该方法应用于纯铝中痕量镓的直接测定,简便快速,灵敏度高,结果准确.此外,还研究了电极反应的动力学参数.     

非水体系中磷酸镓大单晶合成与结构

非水体系中制备了GaPO4单晶,用X射线测定晶体结构的方法对化合物进行了表征.晶胞参数a=0.4908lnm,b=0.4908lnm,c=l.1066nm,α=90°,β=90°,γ=l20°.结构中的镓和磷均与氧形成四面体配位,骨架中的氧为二桥氧.无Ga-P连接方式,质子化的乙二胺阳离子未在孔道中.     

镓酸镧基固体电解质离子导电性与价电子结构的关系

文章应用固体与分子经验电子理论计算了镓酸镧基固体电解质材料的价电子结构,计算结果表明,1/(nAnB)随x及y增加而增加。实验结果表明,当x、y小于20%时,电导率σ随x、y增加而增加,并随1/(nAnB)增加而电导率σ增加,通过价电子结构的计算,可预测不同成分的LSGM的电导率。     

氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED

针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n⁺-GaN/Al_0.4Ga_0.6N/p⁺-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_0.65Ga_0.35N电子提供层、 Al_0.65Ga_0.35N/Al_0.5Ga_0.5N多量子阱、组分渐变p-Al_xGa_1-xN和n⁺-GaN/Al_0.4Ga_0.6N/p⁺-GaN隧道结构成。研究结果表明,相比于无隧道结的参考LED,隧道结LED具有更高的内量子效率和光输出功率,同时其具有更低的开启电压。隧道结LED光电特性的改善,归因于隧道结的引入提升了LED的...     

坩埚旋转下降法生长硫镓银单晶体及其特性观测

报道了红外非线性光学材料硫镓银多晶原料合成与单晶生长的方法──两温区气相输运温度振荡合成和坩埚旋转下降生长法．合成了高纯单相致密的ＡｇＧａＳ２多晶材料,生长出尺寸为φ１５ｍｍ×３０ｍｍ的ＡｇＧａＳ２单晶锭．对晶体的完整性进行了结构分析,观测到ＡｇＧａＳ２｛０１１｝面族的六级Ｘ射线衍射峰呈现高级次的衍射强度异常增强的反常现象．对晶体的位错蚀坑进行了扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察．     

GaAg／Al0.3Ga0.7As多量子阱的平方电光效应和光折变效应…

本文研究了半绝缘ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ多量子阱的电光效应和光折变效应。用光调制反射谱分析了样品的结构，用电调制透射谱测量了电吸收和电折变；用二波混合的方法测量了它的光折变性质。对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较。     

镓铝扩散产生表面层缺陷的机理及处理措施

针对铝乳胶源涂布与气相Ｃａ杂质相结合的受主双质掺杂技术，分析了产生表面层缺陷的原因，并提出了减少缺陷的措施。