多效烟草抑芽剂MH的合成研究

研究了以水合肼，顺酐，硫酸为原料合成ＭＨ的方法，讨论了原料配比，反应温度等因素对产物收率的影响，由ＩＲ谱，＾１３Ｃ－ＮＭＲ〈Ｈ－ＮＭＲ确证了产物的结构。     

环烯基锂与6,6—n亚甲基富烯反应立体化学研究

研究了反应前后构象变化对环烯基锂和６，６－ｎ亚甲基富烯反应的影响，发现此类反应随６，６－ｎ亚甲基富烯的ｎ值和构象的不同而异，当ｎ＝４时，发生加成和ａ－Ｈ攫取两种反应，主要为ａ－Ｈ攫取反应，当ｎ＝５，６时，与１－环己烯基锂进行加成和还原两种反应，主要为加成反应，与１－环庚烯基锂只发生环外双链的加成反应，合成了两个新型大取代茂锆化合物。     

HMQC和HMBC在苯乙醇酯裂环环烯醚萜苷结构测定中的应用

在苯乙醇酯裂环环烯醚萜苷中,其苯环上6个碳的归属文献中常出现错误,从而导致化合物结构测定的错误.本文先根据偶合常数大小和峰分裂数目将H-4″、H-7″、H-8″明确归属,再利用HMQC和HMBC技术确定苯环6个碳的归属,然后再利用糖苷中碳化学位移配糖效应确定葡萄糖在苯环上的取代位置.     

镍催化支链1,3-二烯的氢烷基化反应机理探究（英文）

随着算法和理论化学的发展,量子化学计算已被用于解释和预测各种化学实验。镍催化共轭烯烃的氢烷基化反应是一类重要的有机化学反应,其机理一直是有机化学家关注的焦点。本文利用密度泛函理论（DFT）对Mazet课题组开发的一个氢烷基化反应进行了详细的研究,得到了该反应可能的机理模型。在此背景下,对反应的极具吸引力的区域选择性进行了探讨和合理解释。     

锗锡薄膜的分子束外延生长及退火研究

无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料,适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而,由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配大(约14.7%),高Sn组分、应变弛豫直接带隙GeSn薄膜材料的MBE制备仍是一个巨大的挑战.本文综述了MBE制备高Sn组分GeSn薄膜及弛豫GeSn薄膜压应变的相关研究.首先介绍了低温MBE技术外延高Sn组分GeSn薄膜的方法及生长应变弛豫GeSn薄膜的挑战.之后给出GeSn薄膜的快速热退火行为与厚度的依赖关系,基于临界厚度模型捋清了退火过程中GeSn薄膜的应变弛豫与Sn偏析的竞争机制;最后介绍了快速热退火对GeSn薄膜发光特性的影响,提出采用快速热退火制备应变弛豫的Sn组分渐变GeSn异质结,通过载流子自限制增强MBE生长GeSn薄膜的光致发光强度.     

单层β12-硼烯双光子性质的理论研究

利用五带紧束缚理论计算了均匀模型、反演对称模型、反演非对称模型三种不同模型的单层β₁₂-硼烯的电子能带结构,利用光子-电子相互作用的二阶微扰理论计算了单层β₁₂-硼烯在可见光到近红外波段的双光子吸收谱,揭示了外加电场对X、K、M、Λ四个能带接触点附近电子能带和双光子吸收峰的调制作用.结果表明外加电场会带来简并能带的分裂,增强外加电场会使得双光子吸收峰发生蓝移且峰值被抑制;仅在反演非对称模型中M点附近施加正向电场且电场的能量在1.5～2.0 eV范围内时,因为双光子共振跃迁而出现吸收峰增强.     

锗烷分子（3000）局域模振动态的高分辨光谱…

锗烷在其伸缩振动泛频态上会出现局模振动，这不仅对研究分子在激发态上的行为有重要意义，而且它所揭示的成局域模振动的机制普遍适用于任何分子，从而为选键化学带来新希望。在０．０５ｃｍ＾－１分辨率上记录了锗烷的６０４０－６４２０ｃｍ＾－１区域的泛光谱。     

SO2与二烯烃的光化学反应

用ＧＣ和ＧＣ／ＭＳ法研究了ＳＯ２与１，３－丁二烯和１，３－戊二烯在无氧以及有氧体系中的光化学反应，确定了主要反应，研究了体系的动力学，探讨了部分产物的生成机制。