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501.
光催化氧化法降解有机污染物是一种新型有效的处理方式.BiFeO_3纳米半导体材料具备稳定性好、无毒害、可重复利用的优点,是一个良好的光催化剂.介绍了BiFeO_3纳米材料的合成方法,以及BiFeO_3作为光催化材料在光催化降解有机污染物领域的研究进展,最后对BiFeO_3基光催化材料的发展趋势进行了展望. 相似文献
502.
制备了铋粉修饰碳糊电极,实验发现,用此电极为工作电极时,在0.1mol/L盐酸溶液中,于0.0 V(vs.SCE)处富集2min,阴极化扫描,于-0.8V左右获得一灵敏的不可逆还原峰.详细研究了测定EDTA的测定条件,如介质的选择,富集电位,富集时间,扫描速度和修饰剂用量等.在选定的优化实验条件下,峰电流与溶液的浓度在4.00×10-4~2.00×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,其线性回归方程为ip=1.89×10-4~0.0521CEDTA(mol/L), 相关系数为: r=0.9963,检出限为1.30×10-4mol/L. 相似文献
503.
通过两步电沉积方法制备了一种灵敏的铋/多壁碳纳米管复合膜修饰电极.首先用电解代替滴涂法将多壁碳纳米管沉积到玻碳电极表面,然后再把铋膜沉积到多壁碳纳米管上.提出了利用方波阴极吸附溶出伏安法分别测定水中总铬和六价铬的分析方法.在铜铁灵试剂的存在下,Cr(Ⅲ)和铜铁灵形成的络合物在-0.35V时通过吸附富集在修饰电极的表面,然后在阴极扫描(-0.35~-1.10V)过程中被还原.可以利用Cr(Ⅲ)或Cr(Ⅵ)的标准加入法直接测定水中总铬含量,也可以利用阴离子富集柱将Cr(Ⅵ)与Cr(Ⅲ)分离后单独测定水中Cr(Ⅵ)含量,分析结果与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)相吻合.本法的检测下限在富集时间2min时为0.05μg/L,相对标准偏差为5.2%(n=75). 相似文献
504.
505.
通过优化聚硅酸硫酸铝铁中铝硅铁比,配制适宜的聚硅酸硫酸铝铁絮凝剂并进行钨铋选矿废水处理,为多金属矿选矿废水稳定达标排放提供技术依据.研究结果表明:在w(SiO2)=2.0%,n(Fe+ Al)/n(Si)=2∶1,n(Fe)/n(A1)=1∶1的适宜配比下制得的聚硅酸硫酸铝铁絮凝剂,在1.5%投加量下,可使钨铋选矿废水浊度去除率达95%以上,处理后废水浊度为70 NTU; COD去除率达70%,处理后废水中COD含量为72 mg/L; As,Be和Pb去除率均达90%以上,处理后废水中As,Be和Pb质量浓度分别为34,0.2和13 μtg/L,处理后废水达到GB 8978-1996(《污水综合排放标准》)一级标准. 相似文献
506.
为进一步提高Bi2 WO6光催化剂的可见光催化性能,采用水热法制备稀土离子Tb3+掺杂Bi2 WO6光催化剂,采用X射线衍射( XRD)、X射线荧光光谱( XRF)、傅里叶红外光谱( FT-IR)、场发射扫描电镜( FESEM)、紫外-可见漫反射光谱( UV-Vis DRS)等手段对样品进行了表征。考察掺杂Tb3+后样品在可见光下降解罗丹明B( RhB)的光催化性能,研究Tb3+掺杂量对样品光催化性能的影响。结果表明,适当的Tb3+离子对Bi2 WO6的掺杂能提高其光催化活性。当Tb3+的掺杂量为0.5mol%时,光催化效果最好,在90 min内,对初始浓度为10 mg/L的RhB溶液的降解率达98.8%。 相似文献
507.
508.
漂浮阳极泥经过盐酸浸出、稀释水解、氢氧化钠中和得到氯氧铋,氯氧铋经过氢氧化钠转化制备得到三氧化二铋.当盐酸浓度为6mol/L,固液比为1∶5,反应温度为80℃,反应时间为1h时,漂浮阳极泥中锑和铋浸出率分别达到99.17%和99.08%.当稀释比为8∶1时,盐酸浸出液中锑水解率为98.13%,铋水解率仅为8.8%.稀释后液中加入氢氧化钠溶液,当pH为1.5时,铋水解率达到99.5%,水解产物氯氧铋(BiOCl)中铋、氧、氯的质量分数分别为54.23%,19.30%和14.61%.氯氧铋再次经过盐酸浸出,稀释水解,氢氧化钠沉淀得到氯氧铋.除杂后氯氧铋经过硫酸洗涤、氢氧化钠转化,当氢氧化钠浓度为6mol/L,液固比为3∶1,反应温度为80℃时,反应2h后过滤,用0.5mol/L盐酸洗涤得到形貌为纤维状、晶型为单斜的α-Bi2O3,氧化铋纯度达到99.81%. 相似文献
509.
铋层状压电陶瓷具有较高的居里温度和良好的热稳定性,被广泛应用于高温、高频电子领域.本文采用传统固相合成法制备了K_(0.5)Bi_(4.5-x)Eu_xTi_4O_(15)高温铋层状无铅压电陶瓷,并详细研究了Eu3+掺杂对K_(0.5)Bi_(4.5-x)Eu_xTi_4O_(15)材料的结构与光电性能的影响.研究结果表明稀土Eu3+掺杂对K_(0.5)Bi_(4.5-x)Eu_xTi_4O_(15)陶瓷的相结构的影响不大:陶瓷均为均一致密的片层状结构.Eu3+掺杂一定程度上促进材料电性能的提高,当x=0.004时,陶瓷综合性能最佳:居里温度Tc=540℃、介电损耗tanδ=0.80%、压电系数d33=19pC/N及剩余极化强度2Pr=9.8μC/cm2.此外,掺杂后的陶瓷样品获得了光致发光性能,在526nm的蓝光激发下,样品呈现出明亮的橙红光. 相似文献
510.
叙述了国内外无铅易切削黄铜的发展和研究现状,对以其他更环保的元素替代铅的研究进行了讨论,从切削性、力学性能、热锻性和耐腐蚀性能方面总结了新型易切削黄铜的优缺点。对当前已经应用的无铅黄铜,特别是铋黄铜存在的问题进行了总结,提出了铋黄铜改性的研究方法以及发展方向。 相似文献