量子计算机的相干性

研究量子计算机存储器与外部环境的耦合以及量子计算过程中保持相干的问题。     

Processor Companion系列应用到Blue Planet智能改装柴油颗粒过滤器（DPF）

2007年12月。全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布，Ramtron的FM3130和FM3104 Processor Companion已成功应用到Blue Planet公司的DMS系列改装DPF的数据记录器中。     

铌锌酸铅基铁电陶瓷的介电弛豫与相结构

通过对Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３在系列铁电陶瓷在－１００￣２００℃范围内介电温度响应的详细测试，发现其中存在自发和场致弛豫型铁电体的转化。结合这一系列材料的Ｘ射线衍相结构的分析，给出其组成，结构与性能的三元相图，并探讨了铁电陶瓷中宏畴－微畴转变与三方－四方相转变的关系。     

强发射电流反铁电冷阴极材料实验研究

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电／铁电相界附近的PbLa（Zr，Sn，Ti）O3（PLZST）反铁电陶瓷样品．通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性，得到了激励电压对发射电流的影响规律，发射电流随激励电压增加而增加，当激励电压大于1．5kV时，发射电流趋于饱和．在单脉冲激励下进行电子发射实验，得到如下结果：在激励电压为800V、抽取电压为0V的条件下，发射电流密度为1．27A／cm^2；当抽取电压增加到4kV时，获得了1700A／cm^2的大发射电流密度．     

基于扩展虚存思想的微机存储器无限扩展方法

本文通过对IBM-PC微型计算机硬件结构的研究,针对其内存容量小,满足不了信息处理要求的问题,提出并实现了一种扩展虚存思想。借助于微机本身的总线结构及接口扩展槽,采用局部总线设计技术,在占用主机一个单槽及内存空间一个段的情况下,无须对其原有硬件作任何改动,就可使它的内存无限扩展。利用这一思想作成的扩展虚存板,可以满足存储大容量动目标序列图像的要求。     

基于FPGA的多约束长度Viterbi译码器

现有的各通信系统中卷积码的约束长度各不相同．为充分利用现有资源很有必要研究多约束长度的Viterbi译码器．基于FPGA讨论了实现多约束长度的卷积码的Viterbi译码器的一些问题．主要讨论了分支度量单元(BMU)、加比选单元(ACS)、路径度量寄存器单元(PMU)和幸存路径存储器单元(SVU)实现中的一些问题．     

准同型相界钛酸铋钠基铁电固溶体的电卡效应研究

利用铁电材料的电卡效应实现致冷成为当前国内外的研究热点之一.基于Maxwell关系,围绕着准同型相界组分的Bi0.5Na0.5Ti O3基无铅铁电固溶体,研究了其电卡效应,结果表明:该体系在5 k V/mm的外电场下,显示出优异的致冷特性,温度的变化量可达到1.15 K,相应的致冷强度可达0.23 K·mm/k V,在全新的固态致冷器件中显示出应用前景.     

La0.67Sr0.33MnO3/PbZr0.4Ti0.6O3/La0.67Sr0.33MnO3外延铁电电容器物理性能

采用脉冲激光沉积法制备La_0.67Sr_0.33MnO₃(LSMO)薄膜,溶胶-凝胶法制备PbZr_0.4Ti_0.6O₃(PZT)薄膜,在SrTiO₃(STO)基片上制备了LSMO/PZT/LSMO异质结电容器.X线衍射(XRD)研究表明LSMO和PZT薄膜在STO基片上实现了外延生长.LSMO/PZT/LSMO电容器具有良好的铁电性能,在5 V测试电压下,剩余极化强度为26.9 μC/cm²,矫顽电压为2.5 V,LSMO/PZT/LSMO电容器显示出了良好的抗疲劳性能.5 V电压下电容器的漏电流密度为7.4×10^-6 A/cm²,在0~2.9 V为欧姆导电机制,2.9~5 V满足空间电荷限制电流(SCLC)导电机制.