铁电存储器——存储器家族中最有发展潜力的新成员

存储器是电子计算机及自动化设备的关键部件。铁电存储器由于具有非易失性、高开关速度,耐辐射、低成本、低功耗等优点,在计算机、航空航天、军事、民用等领域有着极好的应用前景,受到各国科技界、产业界的广泛关注。近几年的研究表明,铁电存储器已成为存储器家族中最有发展潜力的新成员。     

屏幕窗口的开设、储存和恢复

微机系统在内存中都设置一个显示缓冲区,视频系统不断扫描该缓冲区中的数据,在屏幕上显示出相应的字符和图象,大家知道,在屏幕上显示字符和图象可以用DOS系统功能调用或BIOS中断调用.但是,显示器输出操作归根结底就是把字符或图象的相应数据送到显示缓冲区中的特定位置.我们也可以在程序中直接把数据送到显示缓冲区中去,以实现屏幕输出,这种方法称为“存储器映射”法,也叫做直接写屏.这种显示方法提高了显示速度,特别是在需要反复显示大量数据时,可极大地提高程序运行的效率.     

SAG法Ba_（1－x）Sr_xTiO_3的介电性质

ＸＲＤ法分析和介电测量结果表明，ＳＡＧ法Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３（ｘ＝０、０．３、０．５和０．７）微粉和陶瓷的室温结构为立方相．其居里温度明显低于相应Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３晶体或常规工艺陶瓷的值，但居里温度仍随着Ｓｒ２＋含量的增加而线性下降．晶粒含杂质Ｆｅ３＋以及表面富钡可能使其晶格立方化，从而使居里温度下降以及三方－正交和正交－四方铁电相变消失．     

LiNbO_3陶瓷溅射靶材的制备工艺研究

采用改进的陶瓷烧结工艺，研究了用于射频磁控溅射工艺的大尺寸薄型ＬｉＮｂＯ３陶瓷靶材的烧结工艺，解决了烧结过程中Ｌｉ２Ｏ的外逸造成成分偏差和Ｌｉ２Ｏ含量偏低时不易得到致密陶瓷的问题，探讨了Ｌｉ２Ｏ在烧结过程中的作用，制备出了高强度的ＬｉＮｂＯ３＋Ｌｉ２Ｏ系列陶瓷靶材．     

硫酸三甘肽的正电子寿命谱研究

配合时域介电谱方法用正电子湮没技术对硫酸三甘肽（ＴＧＳ）的铁电相变过程进行了测量，发现正电子寿命谱有两个较强的成份和一个很弱的成份，后者相应于正电子偶素，各分量在相变点附近很窄的温区出现奇异性质，对其起因作了解释     

船用航迹仪的研究

用ＣＰＵ、ＣＲＴＣ及监示器组成电子海图，与ＧＰＳ接收机连接而构成航迹仪．其电子海图具有与纸质海图一样的直观效果．海图图象能移动、按比例放大或缩小，并具有描绘计划航线，记录并存储航迹等功能．其体积小，操作方便，易于推广应用．     

有效利用片上分块存储器

为了提高嵌入式多媒体应用的实时性能,提出了一种最大化数据并行访问以便充分发挥CPU处理能力的片上存储器分配方法。CPU指令的并行数据访问以及CPU与直接存储器存取(DM A)的并行访问都可能导致冲突,片外存储器的慢速存取也会导致CPU流水线停止。根据CPU处理数据的需要分配片上存储器,采用DM A动态地将数据转移到片上,减小存取慢速片外存储器带来的延时;充分利用CPU多条数据总线并行访问多个存储器块的能力和双端口存储器(DARAM)一个周期两次访问的能力,减小存储器带宽的限制。实验结果表明:合理分配存储器,程序执行时间最多减少了48%。存储器分配该方法简单,易于实现。     

数字科技

【国际】1．5GB／min 韩国三星电子近日发表了已研发成功的世界上运行速度最快的两种存储卡——“MMC plus”。这两种存储卡的容量均为12GB，读速为每秒40MB，写速为每秒25MB，比现有存储卡约快3倍。换句话说，这两种存储卡可在1分钟之内将保存在卡内的1千张照片或500首MP3音乐或2小时的DVD影像传输到电脑里。该存储器均采用了4GB单级单元（SLC）NAND型闪存技术，而SLC适用于一个芯片配一个存储器的方式，体现快速性，另一方面，如果采用一个芯片上有两个以上存储器的MLC方式，则能够体现大容量。     

(Ba, Pb)TiO3半导体陶瓷的特殊敏感性及其机理

研究了具有多孔网状结构(Ba,Pb)TiO₃半导体陶瓷的电阻温度特性, 发现在空气中长时间放置的(Ba, Pb)TiO₃陶瓷在居里点以前有一段电阻值随温度升高而增大的反常阻温特性. 进一步的研究结果表明(Ba, Pb)TiO₃陶瓷反常的阻温特性与其湿敏性相关, 在11%~93%相对湿度范围内, 电阻值变化3个数量级, 而且在单对数坐标中其湿阻特性曲线接近线性. 结合表面吸附、晶界势垒、铁电-顺电相变, 综合分析了(Ba, Pb)TiO₃陶瓷的特殊敏感性机理, 并给出定性解释.     

铁电阴极几何参数对二极管电子发射的影响

主要讨论了触发电场的脉宽和阴极几何参数对铁电二极管电子发射的影响，通过对不同脉宽激励下的电子发射试验发现触发脉冲的最佳工作宽度范围是150—250ns。对不同几何参数铁电阴极片在正脉冲激励下的电子发射研究指出：一般实验条件下(触发电压小于4kV／mm)，触发梯度电场相同时，阴极越厚，条栅电极越细密，发射电流密度越大；极化反转发射中前沿发射方式和后沿发射方式可以共时存在。