计算元素逸出功的经验公式

元素的逸出功是研究晶体物理性能的重要标度,它不仅与元素本身的性质、晶体结构、元素在周期表中的位置、最外层电子的数目和分布等有关,还受温度、表面效应、体积效应、外电场和吸附薄膜等因素影响。     

新型Si光电发射材料的激活技术及激活装置

介绍了新型反射式Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－ｃｓａｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ的激活技术．给出了新型Ｓｉ光电发射材料的逸出功、灵敏度及其稳定性并与Ｓｉ和Ｎａ２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的性能进行比较，简要讨论了影响灵敏度和稳定性的一些因素．叙述了为制备新型Ｓｉ光电发射材料所设计并加工的碱金属源、锑源、氯源及其激活系统．     

关于金属表面势垒和逸出功的问题

本文运用量子理论对金属表面势垒及逸出功进行了分析，从而弥补了一般大学物理教材中在此问题上的不足之处。     

热场阴极电流稳定度的初步研究

文章介绍了热场阴极电流不稳定的两个主要因素－逸出功和表面几何形状，为进一步分析热场阴极的噪声奠定了理论基础。     

用Mathematica语言处理金属逸出功实验数据

Mathematica语言具有良好的环境,处理数据速度好,拟合的曲线准确生动,在物理实验教学中有很好的用途,本文给出了用Mathematica语言处理金属逸出功实验数据的计算方法和程序,结果精确,效果非常好。