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51.
陶瓷刻划花装饰是指在尚未干透的坯体表面上,用竹制或铁制工具来刻划出各种深浅、面积不同的纹饰。本文以在陶瓷坯体表面不同的刻画技法作为观察对象从制作工艺的角度出发。探讨了宋代陶瓷刻划花装饰的艺术特征。 相似文献
52.
研究了一种新型的具有大各向异性的改性PbTiO3 陶瓷材料的性能随着材料制备中铅过量的变化而变化的关系 ,其中包括材料的机电耦合系数、机械品质因素、介电损耗等 .研究结果表明当铅过量为 1%~ 2 % (摩尔百分比 )时 ,材料的性能达到较佳 .通过分析认为 :当铅不足时 ,主要是由其它的B位掺杂离子取代A位的铅 ,从而造成配方B位离子的重新排列 ,材料的性能因而有所下降 ;当铅过量时 ,铅离子将取代A位的钙 ,部分钙离子将进入晶界 ,从而降低了材料的性能 相似文献
53.
54.
采用烧结法制备以钙长石为主晶相的微晶玻璃.采用差热分析(DTA)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和性能测试研究玻璃组成对玻璃的烧结、晶化特性和性能的影响.结果表明:随着CaO含量的增加,玻璃转变温度和析晶放热峰温度逐渐降低,而且析晶放热峰变得尖锐;增加氧化钙降低玻璃的析晶活化能,有利于玻璃的析晶;随着SiO2量的增加,玻璃转变温度和析晶放热峰温度移向高温,使玻璃的析晶困难;玻璃样品的烧结温度随CaO含量的增加而降低, 但过多的CaO促进硅酸钙的析出,增加样品的介电常数和热膨胀系数;增加SiO2能够降低微晶玻璃样品的热膨胀系数,改善其介电性能;所制备的微晶玻璃具有相对密度高(≥98.3%),介电常数适中(6.9~7.5),介电损耗低(≤0.1%),热膨胀系数低(3.8×10-6~4.5×10-6 /℃),烧结温度(900~1 000 ℃)低,及介电常数温度稳定性低(66×10-6~113×10-6 /℃). 相似文献
55.
陈晨 《中国高校科技与产业化》2009,(12):84-85
陶瓷、电阻、天线、元件……正是这些看似微不足道的材料和元器件奠定了电子产业的基础,为电子产品提供了高性能化的动力。近十年来,吕文中教授课题组在电子陶瓷材料领域进行了深入研究,在GPS用宽频带、耐高温、复杂形状微波介质陶瓷天线方面做出了许多创新工作,采用新型铁电移相器降低了相控阵雷达的成本,发明了电滞回线测试仪, 相似文献
56.
57.
在高温超导材料研究中,有关的理论问题至今尚未解决。本文就陶瓷材料产生超导性的机理提出了一种看法,对超导理论研究当有所启迪。特译出,供参考。 相似文献
58.
59.
探讨了溅射用铁电陶瓷靶(PZT,PLZT)的烧结工艺,并对其显微结构进行了分析。结果表明,采用新的烧结工艺(含保护措施),可以有效地抑制PbO的挥发,制备出组织结构及成分均匀、PbO含量正常、致密度较高、不变形的符合磁控溅射要求的铁电陶瓷烧结靶。 相似文献
60.
本文用一个特殊膨胀仪对加稀土氧化物添加剂的α′+β′──sialon陶瓷在高氮压烧结(GPS)下的烧结行为进行了研究.结果表明,致密过程受添加剂种类和烧结温度的影响相当大,在1500℃等温烧结时速度控制阶段为扩散阶段,且以Sm2O3为添加剂的陶瓷最易被致密.同时,对烧结中与烧结过程有关的显微结构特征亦进行了讨论. 相似文献