高储能密度电容器复合介质材料的研究

对高储能密度电容器复合介质材料作了研究。采用介电陶瓷／有机聚合物作复合介质材料的实验中，研究了复合材料的介电系数与组成成分的关系，研究发现，ε随陶瓷成分的增加而增大，并且存在一个临界组。     

PSZ陶瓷磨削变质层的相变分布

应用Ｘ射线衍射谱和激光喇曼散射光谱分析了ＰＳＺ陶瓷精密磨削表面的相变分布特征。结果表明磨削变质层的磨削相变是不均匀的。磨痕内的相变量大于磨痕处的相变量；磨削表面的相变量大于次表面的相变量；相变层深分布与材料有关，相变层深度远大于所采用的磨削深度。     

LiNbO_3陶瓷溅射靶材的制备工艺研究

采用改进的陶瓷烧结工艺，研究了用于射频磁控溅射工艺的大尺寸薄型ＬｉＮｂＯ３陶瓷靶材的烧结工艺，解决了烧结过程中Ｌｉ２Ｏ的外逸造成成分偏差和Ｌｉ２Ｏ含量偏低时不易得到致密陶瓷的问题，探讨了Ｌｉ２Ｏ在烧结过程中的作用，制备出了高强度的ＬｉＮｂＯ３＋Ｌｉ２Ｏ系列陶瓷靶材．     

新型线性热敏陶瓷复合材料的设计与实现

通过对Ｂａ（Ｓｎ，Ｓｂ）Ｏ３和Ｂｉ２Ｏ３化合物的复合，设计并得到了晶界偏析型复合陶瓷结构．由于复合材料的晶粒具有极小的Ｂ值而晶界势垒也极小，使得该复合材料的电阻－温度特性呈现出良好的线性特征．通过调节Ｂｉ２Ｏ３的含量，可以方便地调节复合材料的室温电阻率．     

微晶玻璃的疲劳行为

本文系统研究了Ｋ２Ｏ－ＭｇＯ－Ａｌ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｆ多元系统的可切削微晶玻璃的疲劳行为．研究材料在静载荷、动载荷、循环载荷作用下的疲劳断裂的宏观规律，得到了材料在空气中三种载荷形式下的疲劳指数（应力腐蚀指数）ｎ分别为６９５４，３５２和１８１８．实验结果表明，应力腐蚀指数ｎ的大小强烈依赖于加载方式，并能作为材料抵抗裂纹扩展的某种抗力指标，循环载荷和动载荷对材料造成了附加损伤，致使在相同应力水平下材料寿命明显下降     

NiTi形状记忆合金表面多层梯度陶瓷膜的制备

在ＮｉＴｉ形状记忆合金表面采用三步法制备了多层梯度钛酸铅陶瓷薄膜。第一层膜采用原位水热法制备，第二层膜以醇热法制备，第三层膜应用溶胶－凝胶法制得。Ｘ射线衍射研究确认最外层薄膜具有四方钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明，薄膜总厚度约为３μｍ；由里及外三层膜中的晶粒尺寸依次约为０．１μｍ、０．２μｍ和０．３μｍ。在陶瓷膜与记忆合金基体的界面处可观察到明显的根状结构，而且在三层陶瓷膜之间的界面处也观察到     

空心玻璃微球热导率的测定

介绍了一种用探针法测定多功能材料空心玻璃微球热导率的方法。在自制的探针内设置加热电阻和测量热电偶，温度信号经８０３１单片机处理后送到４８６ＰＣ储存，通过曲线拟合计算求得热导率。     

ZnO压敏陶瓷热处理实验的研究

ＺｎＯ压敏陶瓷在工作电压长期作用下，会产生电流蠕变现象，使Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒不稳定．用正电子湮没技术（ＰＡＴ）证实：ＺｎＯ在适当温度下的氧化热处理，使氧离子Ｏ－或Ｏ２－吸附于晶界层内并有利于提高ＺｎＯ性能稳定性     

ZTA—SiCw—TiC复相陶瓷材料强韧化机理研究

四方氧化锆相变增韧、碳化硅晶须补强、碳化钛粒子弥散强化，同时引入一个新的陶瓷基复合材料系统中产生了叠加的强韧化效果。热压ＺＴＡ－ＳｉＣｗ－ＴｉＣ复相陶瓷材料与Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣｗ－ＴｉＣ相比具有更高的综合机械性能。碳化钛在基体中形成连续的骨架阻碍晶粒的长大，随着碳化钛含量的增加，基体的硬度明显增加。主要强韧化机理有相变增韧、晶须拔出、载荷转移、裂纹偏转等。基体的主要断裂方式为穿晶解理断裂。     

径向振动压电陶瓷薄圆盘振子的机电等效电路与共振频率研究

对轴向极化压电陶瓷薄圆盘振子径向振动进行了理论和实验研究.推出了其机电等效电路,得出了振子共振和反共振频率方程,探讨了振子共振和反共振频率与材料参数之间的依赖关系,给出了压电陶瓷薄圆盘振子的共振及反共振频率与其泊松系数之间的解析关系.实验结果与理论计算符合较好.