东南印度洋中脊地质构造特征及研究进展

东南印度洋中脊(Southeast Indian Ridge, SEIR)是印度洋中扩张速度最快的洋中脊,由SEIR增生的洋壳占印度洋总面积的50%以上,它是塑造印度洋现今构造格局的关键要素.相对西南印度洋中脊和西北印度洋中脊, SEIR具有更复杂的地质构造特征和演化过程.综合SEIR及邻区海底高原的地形地貌特征、重磁异常特征和玄武岩地球化学特征,探讨了SEIR的分段、洋中脊演化过程和地幔不均一性,以及板内火山作用与洋中脊的成因关系等.本文将有助于深入理解东南印度洋区域的构造演化历史,全面理解整个印度洋的洋中脊系统和大地构造格局,增进对冈瓦纳大陆裂解和印度洋演化过程的认识.初步研究认为东南印度洋区是多期洋中脊演化的结果,经历了北西向扩张、南北向扩张直至北东向扩张的三期洋壳增生过程.东南印度洋脊下的地幔源区存在不均一性,尤其是阿姆斯特丹-圣保罗海底高原和澳大利亚-南极错乱带两个区域.东南印度洋中的海底高原与热点火山作用密切相关,同时部分存在热点-洋脊相互作用或残留陆壳物质的影响.     

有阻尼多跨连续梁在横向激励下的响应

为研究有阻尼多跨连续梁在横向激励下的位移响应,采用整体分析的方法,在BernoulliEuler梁理论的基础上建立求解连续梁的横向振动方程,求得了有阻尼多跨连续梁的位移响应函数,同时求得了有阻尼条件下的固有频率方程和振型函数。     

液中放电沉积技术研究进展

液中放电沉积是一种新型的表面改性技术,起源于电火花加工技术,可在金属表面制备出具有高硬度、高耐磨性以及高结合力等优良性能的沉积层。此外,该技术不污染环境,有望替代部分常用但具有污染性的表面改性技术。液中放电沉积技术的核心内容为沉积层形成机制、工具电极材料以及介电流体成分。简单介绍了液中放电沉积技术的特点,重点阐述了沉积层的形成机制以及缺陷优化工艺,并从工具电极材料、介电流体成分和实际生产应用三个方面总结了液中放电沉积技术的国内外研究进展,展望了该技术的发展方向。     

一部中重测量雷达PRF的设计

针对一部中重脉冲多普勒测量雷达的脉冲重复频率设计问题,提出在系统不同工作阶段采取不同PRF组来解决问题的设计方法。从可选择PRF范围入手,阐述在实际条件限制下的设计思路,主要针对雷达工作过程中的搜索、跟踪两个阶段的检测、解距离模糊、正常距离跟踪三个方面的PRF选择问题,提出依据各阶段特点的解决方案。此方案提高了搜索效率,解决了跟踪时的遮挡问题,具有很高的实用性。     

新时期自行车交通优化发展研究

自行车交通在城市综合交通体系中占据重要地位,是一种优、缺点均非常突出的交通出行方式.本文试图从城市规划的角度提出优化城市中自行车交通系统,合理引导城市中自行车交通的发展.     

水系流延制备平板式中温固体氧化物燃料电池的研究

燃料电池是继火电、水电、核电之后的第四代新型环保的发电方式,具有其它发电方式不可比拟的优越性.燃料电池中最有应用前景的是固体氧化物燃料电池(SOFC).近年来,世界各主要工业国在SOFC的关键材料、工艺过程和系统集成等方面的研究与开发取得了重大进展.     

中年吃肉多,等于吸烟

正一项持续近20年、针对大量人群的研究发现,中年时期吃肉多相当于吸烟。在中年时期吃肉多的人死于癌症的可能性,比动物蛋白(来自肉食、牛奶和奶酪等)摄入量低的人高四倍,死于糖尿病或早死的概率也大得多。蛋白质控制着生长因子IGF-I,后者帮助人体生长,但也与患癌可能性有关。人在65岁后,IGF-I水平急剧下降,会导致衰弱和肌肉量减少,不过对老年人却有保     

浅析抗震设计中短柱问题及其防治

在历次地震灾害中,根据对灾区大量的房屋建筑的研究调查,房屋中大量出现由于形成短柱而产生的破坏。文章叙述了形成短柱的原因,明确了短柱的判定方法,并提出了一些处理措施。从而提高建筑物的抗震性能,避免发生脆性破坏,达到抗震设计的基本要求。     

以混合非离子-阳离子表面活性剂为模板合成中孔MCM-48

在水热体系中研究了非离子表面活性剂聚乙二醇辛基苯基醚（OP－10）对中孔分子筛MCM－48自组装过程的影响。发现利用较强的van der Waals力,聚乙二醇辛基苯基醚可以更大程度降低合成MCM－48所需阳离子表面活性剂用量,缩短合成时间且利于生成骨架交联度高的MCM－48。通过调变非离子表面活性剂与阳离子表面活性剂的比例,可以看到不同物相结构的中孔分子筛。当晶化温度高于140℃后,聚乙二醇辛基苯基醚会从胶束中分离出来,失去两亲特性,进而不利于胶体从层状中孔分子筛转化为微孔材料。     

2.5 Gbit/s PHEMT前置放大器噪声分析与验证

根据OMMIC公司通过测量得到的0.2μm GaAs PHEMT器件参数模型和噪声模型,设计了2.5 Gbit/s的共源跨阻前置放大器.并根据PHEMT晶体管Y参数下的噪声模型,结合Y参数和ABCD参数下的噪声密度矩阵,分析了电路在带有晶体管噪声源情况下整个电路的噪声电压,得出了共源跨阻前置放大器等效输入噪声电流密度的理论公式.实现了芯片制作,并且对芯片进行了噪声参数的测量,测量结果、仿真结果和理论分析结论在6GHz的频率范围内基本符合.