纳米光电材料研究简介

综述了光电材料的研究现状和应用前景，介绍了光电材料的分类和光电转化原理，并且着重阐述了纳米光电材料的性质特点、制备方法以及表面修饰。最后，对其表征方法做了简要介绍。     

有机铵表面修饰型针铁矿萃淋材料萃CrO_4~（2－）研究

利用不同取代基有机按的正电性，对控制等电点条件下合成的针铁矿电负性表面进行修饰负载。采用红外光谱，热分析与扫描电镜研究材料的一些基本物性；考查了材料在以铬酸根为代表的二价阴离子萃取体系中有机铵不同取代基和体系中酸碱性对萃取性能的影响规律及其解释，萃取过程动力学因素。该萃淋材料对ＣｒＯ单级提取率大于百分之九十，萃取速度快，半萃取率所需时间仅１分钟左右。     

用高能量密度等离子体在室温下制备氮化钛薄膜

氮化钛薄膜具有很多优异的性质,如高硬度,耐磨性,耐腐蚀性以及漂亮的金黄色.它是唯一在工业上被广泛运用的镀膜材料.然而目前主要沉积氮化钛膜的技术,如化学气相沉积(CVD),物理气相沉积(PVD)和近几年发展起来的离子束技术(IBM,IBAD)都有其自身难以克服的缺点,它们限制了氮化钛薄膜沉积技术的应用范围.这些缺点是:反应温度太高,镀膜与基底结合不牢,以及沉积速率太低.     

电子注入对CdSe探测器性能的影响

研究了一种制作CdSe室温核辐射探测器的新工艺，并通过对CdSe室温核辐射探测器MIS接触电极电子注入机理的研究发现，CdSe探测器形成MIS接触电极可以降低表面漏电流，减少探测器噪声，提高探测器能量分辨率。制备出的CdSe室温核辐射探测器对^241Am 59.5keV和^109Cd 87KeV γ射线的能量分辨率分别为9．6％和7．5％。     

CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布

利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20～200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。     

COB技术

本文介绍了板上芯片技术。通过一个实例讨论了COB技术的电气性能和热应力的分析，证明该技术是优良的。