含时滞和脉冲的双向联想记忆神经网络模型的全局鲁棒一致渐近稳定性分析

讨论了一类含时滞和脉冲的双向联想记忆神经网络模型的鲁棒渐近稳定性.通过构造恰当的Lyapunov泛函和使用线性矩阵不等式技巧,获得了该模型全局鲁棒一致渐近稳定的充分条件.通过2个例子说明了结论的有效性.     

一类不确定随机脉冲切换系统的保成本H_∞控制

研究了具有外在扰动的脉冲Markov切换线性不确定随机切换系统的保成本H∞控制问题,给出了系统具有保成本H∞性能的充分条件;进一步地,运用线性矩阵不等式(LMI)给出相应的状态反馈增益矩阵和脉冲控制增益矩阵.     

模式生成系统同宿环全局分岔问题研究

对一维Gray-Scott模型中脉冲自我复制的精细全局动力学结构进行了数值探索,分析了奇异同宿稳定解及其分岔问题。结果发现,与系统相应的常微分方程的解在余维2分岔时具有组织特征,并由其产生与偏微分方程孤波解对应的2环或n环同宿轨。对全局分岔图的分析发现,自我复制系统动力学特性与参数空间中折叠分岔的层次结构密切相关。数值结果表明,Bogdanov-Takens分岔点及对应于某一同宿轨的角状形参数域对系统的周期轨、同宿轨、全局分岔以及复杂混沌动力学具有决定性作用。数值仿真过程揭示反应扩散系统中存在调制的2脉冲及多脉冲解,并伴随有脉冲自我复制及分裂过程。     

基于混杂脉冲切换控制的时滞混沌神经网络的镇定

针对一类离散时滞混沌神经网络,研究其基于混杂脉冲切换控制的镇定问题.利用切换Lyapunov函数方法和S过程技巧,得到了受控的神经网络的指数稳定判据.该结果反映了脉冲控制和切换控制对闭环系统的稳定性的影响.离散时滞Hopfield混沌神经网络例子表明了所给镇定方法的有效性.     

纳米金修饰硅纳米线电极阳极溶出法测定痕量铅、铜

以浸入沉积的方法在硅纳米线上修饰了金纳米颗粒,并通过电子扫描显微镜（SEM）和X射线荧光分析（XRF）对金纳米粒子修饰的硅纳米线电极表面形貌进行了表征.以修饰后的硅纳米线电极作为工作电极,采用阳极溶出法检测水中痕量铅和铜,考察pH值、富集电位和富集时间对溶出峰的影响,优化出最佳实验条件.在优化的实验条件下,铅Pb2＋和铜Cu2＋的灵敏度分别为0.649μA/（μg.L-1）和0.177μA/（μg.L-1）.检测极限达到0.26μg.L-1和0.67μg.L-1.峰电流与离子浓度在质量浓度25~200μg.L-1的范围内形成良好的线性关系.     

双泵浦功率比实现参量控制减小SBS慢光脉冲失真的研究

基于单模光纤中SBS慢光特性,通过控制双宽带泵浦光功率比实现参量控制脉冲失真.利用较强泵浦光增益谱的中心频率与较弱泵浦光损耗谱的中心频率相重合,调节较弱泵浦光的功率和谱宽,能够部分地抵消掉较强增益谱的顶部从而构建出平坦的增益谱.研究表明:通过控制双泵浦功率比q,讨论q对相关参量(Wflat、Re[g(ω)]、Im[g(ω)]、ΔTd和ΔTd/Tin等)的影响,可得到功率比q的选取在2.0~3.5区间,使脉冲各参量达到最佳优化状态的结论.同时进一步讨论增益引起的脉冲展宽Bgain,群速度引起的脉冲展宽BG VD和三阶色散,均导致脉冲图像发生扭曲、变形,经研究表明三阶色散是导致的脉冲失真的主要因素.     

具有时滞增长反应及脉冲输入的Monod-Haldane恒化器模型分析

考虑了一类在污染的环境下具有时滞增长反应及脉冲输入营养液的Monod-Haldane恒化器模型,并且引入了对一种微生物生长有抑制作用的抑制剂.获得了微生物灭绝周期解全局吸引的充分条件,并运用脉冲时滞微分方程的相关理论和方法,证明了系统在适当的条件下是持久的.结果表明:该时滞和污染环境能导致微生物灭绝.     

脉冲电浮水处理池的数学模型与计算方法

简绍了脉冲电浮水处理装置的特点;分析了影响该技术处理效果的因素;作者根据电浮过程的基本公式,提出了脉冲电浮处理池的数学模型,给出了计算电浮处理池高度、体积以及处理量的计算公式;作者根据所建立的数学模型开发了一套设计脉冲电浮处理池的实用软件和并给出了计算的源代码.该脉冲电浮水处理池数学模型能进一步完善水处理技术的设计和应用,并能推动该技术的推广,及应用.     

罐身缝焊机调压系统开发

晶闸管在交流调压等方面有着广泛的应用,至今仍是功率较大的电力电子器件．为保证大功率晶闸管在使用中可靠地工作,其触发电路的设计是重要的一环．为超小量电阻焊焊机的双向晶闸管(主晶闸管)设计带有脉冲封锁环节、较完善保护功能的触发电路,具有工作可靠、性能稳定等特点．     

具p-Laplacian算子与积分边界条件的脉冲微分方程的正解

讨论了一类具p-Laplacian算子与积分边界条件的的脉冲微分方程边值问题.利用Leray-Schuder不动点定理,得到了边值问题至少一个正解的存在性.