全文获取类型
收费全文 | 4078篇 |
免费 | 105篇 |
国内免费 | 148篇 |
专业分类
系统科学 | 24篇 |
丛书文集 | 163篇 |
教育与普及 | 93篇 |
理论与方法论 | 8篇 |
现状及发展 | 21篇 |
综合类 | 4022篇 |
出版年
2024年 | 19篇 |
2023年 | 91篇 |
2022年 | 71篇 |
2021年 | 121篇 |
2020年 | 79篇 |
2019年 | 76篇 |
2018年 | 44篇 |
2017年 | 69篇 |
2016年 | 67篇 |
2015年 | 101篇 |
2014年 | 162篇 |
2013年 | 171篇 |
2012年 | 176篇 |
2011年 | 211篇 |
2010年 | 196篇 |
2009年 | 185篇 |
2008年 | 218篇 |
2007年 | 228篇 |
2006年 | 158篇 |
2005年 | 144篇 |
2004年 | 131篇 |
2003年 | 156篇 |
2002年 | 145篇 |
2001年 | 164篇 |
2000年 | 114篇 |
1999年 | 123篇 |
1998年 | 101篇 |
1997年 | 99篇 |
1996年 | 96篇 |
1995年 | 106篇 |
1994年 | 85篇 |
1993年 | 54篇 |
1992年 | 69篇 |
1991年 | 59篇 |
1990年 | 74篇 |
1989年 | 76篇 |
1988年 | 36篇 |
1987年 | 28篇 |
1986年 | 16篇 |
1985年 | 7篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
1981年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
排序方式: 共有4331条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
在介绍了光纤Bragg光栅传感器的基本原理和解调方法后,对光纤Bragg光栅传感器在土木工程中的国内外的应用作了详细的综述,探讨了光纤Bragg光栅传感器用于土木工程检测时的一些关键问题,指明了其广阔的应用前景。 相似文献
72.
基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”.n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。 相似文献
73.
在Kerr—Newman黑洞随时间缓慢变化的情况下,用时间变量表示其动态特征,通过解缓变的Kerr—Newman弯曲时空中的粒子运动方程,得出了缓变的Kerr—Newman时空中的粒子能级分布.并对此分布特征进行了研究。 相似文献
74.
微小位移的电测法 总被引:1,自引:0,他引:1
任新成 《延安大学学报(自然科学版)》2003,22(2):34-36
将非电量测量转化为电量测量可以极大地提高对非电量测量的技术指标。微小位移的精确测量在诸多实验中均有重要的意义,为此,提出了若干种测量微小位移的电测法。 相似文献
75.
粘弹性阻尼器用于结构减震时的空间布置研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以结构顶层各点在地震荷载的作用下的最大位移Smax和最大加速度acmax作为结构减震效果的评价函数,通过使用ansys软件研究了粘弹性阻尼器的空间布置对建筑结构减震效果的影响,得到粘弹性阻尼器较优的空间设置方案,使得在相同数目的粘弹性阻尼器的条件下,达到更好的减震效果. 相似文献
76.
Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。 相似文献
77.
使用超弦理论激发的伸缩子--胶子有效耦合得到的重夸克势研究了重介子的能谱,采用统一的方式来求解Salpeter方程和SchrEodinger方程,以便能真实地比较相对论动能修正的效应。发现相对论Salpeter方程更好地说明了实验上观察到的重介子能级。 相似文献
78.
利用基于第一原理的离散变分法研究了Fe-Mn-Si合金的电子结构与FCC相稳定性的关系. Si元素使Fe原子的d带空穴数减少, 而Mn的影响较复杂. 以此为基础, 从电子浓度的角度解释了这两种元素对合金层错能的影响, 并结合对合金结合能的计算结果—— Si降低合金的结合能而Mn的作用相反, 阐述了Mn降低而Si升高马氏体相变温度的物理原因. 在不同方向上施加应力时, 合金的电子结构发生变化, Fermi能级处的总态密度有明显提高. 从Fermi能级附近的能谱变化可看出, 应变使能隙减小, 能级的简并性提高. 在同一方向上施以不同的应变, 中心原子的3d和4s轨道上的电子数减少, 3d局域态密度变窄, 且峰值增加. 对比电子密度的变化, 在应力方向上的成键轨道有减弱的趋势, 而在垂直于应力的方向上出现增强, 导致FCC结构的稳定性降低. 这是外场(应力)作用下合金的马氏体相变温度提高的重要原因. 相似文献
79.
利用全实加关联(FCPC)方法计算了类锂离子(Z=11-20)激发态1s^25p的能级及精细结构劈裂,在此基础上计算了1s^2s-1s^25p的跃迁能和振子强度,相对论和质量极化效应对能量的修正用微扰论计算。还估算了来自量子电动力学效应的修正,所得到的理论结果与现有的实验数据符合得很好。 相似文献
80.