铅分子印迹聚合物合成与性能研究

以bis[(3-甲氧基硅)丙基]乙二胺为功能单体,铅离子为模板分子,正硅酸乙酯为交联剂,无水乙醇与二甲基甲酰胺混合液为络合溶剂,十二胺为扩孔剂,采用预组装方法结合二重印迹技术合成得到铅分子印迹聚合物.研究了该聚合物对铅的吸附和选择识别能力,采用红外光谱及比表面测定仪进行了结构表征.结果表明,所合成的聚合物对铅离子具有良好的吸附和选择识别能力,最大吸附量为1076μg/g,对铅离子的分配系数为172.4,是其它金属离子的10倍以上.填充有印迹聚合物的分离柱应用于痕量铅的处理,具有优良的分离富集能力.     

Tm~(3+)离子掺杂上转换发光材料的研究进展

稀土离子掺杂的上转换发光材料由于其在短波长激光器方面的潜在应用而受到了广泛关注.本文总结了稀土离子常见的几种上转换发光机制,分析了Tm3+离子在不同泵浦方式下的上转换发光及上转换发光效率对激光脉冲持续时间、敏化剂和基质成份的依赖关系,综述了Tm3+离子掺杂的上转换发光材料的研究现状,并对Tm3+离子上转换发光的研究及应用进行了展望.     

竹炭基活性炭电容去离子性能的研究

电容去离子技术可以通过施加静电场,强制离子向带有相反电荷的电极迁移,使其被电极表面产生的双电层吸附并从溶液中去除,从而达到水净化的目的.以活性炭作电极材料制备了电容去离子模拟装置,考察了该装置在通直流电的情况下的去离子性能,详细研究了处理水流速、处理水量、电极片距离与电极片对数等因素对水净化的影响及电极的反洗效果.结果表明,当流速为60mL/min,处理水量为4800mL,电极片间距为2cm,电极片对数为4对时,活性炭电极电去离子模拟装置的去离子效果最好,并表现出较好的循环利用性.对不同重金属的去除效果分别为:Pb2+Cu2+Cr3+Cd2+.此工作为活性炭型电容去离子技术提供了重要的参考价值.     

(Mg_xZn_(1-x))_2SiO_4系列微波介质陶瓷材料

通过Mg2+,Zn2+相互取代,制备出(MgxZn1-x)2SiO4系列微波介质陶瓷材料。实验结果表明:在(MgxZn1-x)2SiO4体系中,Mg2+,Zn2+相互取代降低了体系的烧结温度,随着x的增加,主晶相由具有硅锌矿结构的Zn2SiO4单一相,经历Zn2SiO4和Mg2SiO4相共存,逐渐转变成具有橄榄石结构的Mg2SiO4单一相。其中(Mg0.7Zn0.3)2SiO4样品的综合性能最佳,其烧结温度低(1 400℃),介电常数εγ=6.75,介电损耗tanσ=1.86×10-3。     

支撑离子液膜体系中Ni(Ⅱ)的传输

研究了以聚偏氟乙烯膜为支撑体,2-乙基己基膦酸-单-2-乙基己基酯为载体,疏水性离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐为膜溶剂的支撑液膜体系中Ni(Ⅱ)的传输;考察了影响Ni(Ⅱ)传输的各种因素,并对该体系富集、传输Ni(Ⅱ)的最佳条件进行了讨论.结果表明,当料液相pH值为5.50～6.00,膜相载体浓度为6.50%～7.50%,反萃相H2SO4浓度为3.0 mol/L,迁移时间为150 min时,Ni(Ⅱ)的迁移率可达90%以上.     

离子交联法制备氟尿嘧啶壳聚糖微球

以壳聚糖为药用载体,5-氟尿嘧啶为模型药物,三聚磷酸钠为离子交联剂,采用离子交联法制备壳聚糖微球制剂,考察处方和工艺因素对载药微球形态、包封率及体外释放行为的影响;采用扫描电镜、粒度分析仪和红外光谱对微球结构进行表征。结果表明:5-氟尿嘧啶壳聚糖微球的包封率可达到77.8%,平均粒径为6.4μm,30 min时体外突释为21.3%,48 h以内的累积释药率为77.0%,缓释作用明显。     

揭秘强子

它是世界上最大的大型强子对撞机,位于日内瓦附近、瑞士和法国交界地区地下100米深处的环形隧道内,隧道总长约为27千米,隧道内安放了4个探测器和大型离子对撞机。中国参与了所有4个探测器的建造和实验。     

混凝-电渗析法联合处理高矿化度矿井水的研究

采用混凝和电渗析相结合的方法对山西西山某矿的矿井水进行处理,混凝法主要去除矿井水的浊度和悬浮物质,电渗析法对混凝处理后的矿井水进行脱盐处理.选择了氯化铝、硫酸铁、聚合氯化铝(PAC)、聚合氯化铝铁(PAFC)、聚丙烯酰胺(PAM)等混凝剂进行混凝处理,然后在不同电压条件下用电渗析法去除矿井水中的硬度和硫酸根离子.结果表明:PAC的混凝效果最好,且吨水处理成本最低;PAC的最佳投量为4 mg/L,浊度的去除率达到了97.71%;电压为10 V、反应时间为100 min左右时,总的离子去除率可以达到90%以上.经混凝和电渗析法联合处理后矿井水满足饮用水质的要求.     

He(Ar)低能FIB研磨Si薄膜的纳米孔洞溅射产额的计算

利用蒙特卡罗方法计算氦离子和氩离子在各种参数下(离子能量、入射角度)入射硅材料表面的溅射产额.计算了硅材料表面的溅射产额对离子数目、离子能量、入射角度与He离子和Ar离子的数量依赖关系,并对模拟结果进行分析.当入射离子数量为2000个,入射能量为3keV,入射角度为84°时,He离子产生的溅射产额最大值是1.30Atoms/ion;当入射角度为78°时,Ar离子产生的溅射产额最大值是8.91Atoms/ion.     

低频频率和O2含量对双频容性耦合等离子体Ar-O2放电的影响

利用四极杆质谱仪研究了Ar/O2混合气体放电中低频频率和O2含量对离子能量分布和平均能量的影响。研究结果表明当低频频率增大时,离子能量逐渐由中频机制向高频机制变化,其能量分布的马鞍型双峰结构逐渐收缩,变得不明显。Ar+离子由于共振电荷交换的影响获得更多的低能离子,其平均能量比O2+离子的稍低。增大氧气含量,电离率增大,Ar+离子和O2+离子的高低能峰均向高能区移动,最大能量值逐渐右移。同等条件下的Ar+离子的平均能量均低于O2+离子。