单价离子晶体结合能的一种量子计算方法

将单价离子晶体的离子进行非谐振子处理，利用微扰理论求解微扰项对能级的修正值，与经典结果比较，这种量子方法计算出的单价离子晶体结合能更为精确．     

相对论平均场论与原子核的平均性质

用考虑了有限核子体积效应的相对论平均场论，计算了１６５４个核的结合能并与实验值进行了比较，计算结果的平均行为与相应的实验值很相似，存在５．７４％的系统偏差．１６５４个核的每核子结合能与实验值之间的偏差的均方差为０．４６６ＭｅＶ。     

SH2域与磷酸化多肽相互作用的连续溶剂模型研究

使用连续溶剂模型方法研究了SH2结构域与磷酸化多肽pYXXX(X为20种常见氨基酸残基中的任意一种)之间的相互作用.首先计算了已知的SH2域-磷酸化酪氨酸多肽复合物之间的结合能,理论计算的结果与实验测得的亲合能之间的相关系数为0.91,验证了理论模型的正确性.然后,用该模型方法计算了SH2域与pYXXX之间的结合能,分析了磷酸化酪氨酸多肽pYXXX中 1, 2, 3位置上残基对结合能的影响.结果表明 2, 3位置上残基的变化对结合能影响较大, 2位置上带负电的残基和 3位置上的疏水性残基有利于SH2域与pYXXX之间的相互作用,这与实验结果一致.     

双重子△△（3，0）和△△（0，3）的结构

在推广的手征SU（3）夸克模型下，研究了单道下非奇异双重子△△（3,0）和△△（0,3）的结构．研究表明手征SU（3）夸克模型和推广的手征SU（3）夸克模型给出的定性结果是一样的．但两种模型下短程力的机制完全不同．     

分数维近似方法研究:矩形量子阱线中浅施主杂质结合能探

采用分数维近似方法并首次将系统推导法确定等效维数α应用在量子阶线中来考察矩形横截面量子饼线中浅施主杂质的结合能，并对等横截面积矩形横截面量子陕线中杂质的等效维数和结合能受量子阶线形状的影响进行了详细的讨论．     

导带弯曲对有限深GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的影响及其压力效应（英文）

用三角势近似界面导带弯曲,采用变分理论研究了流体静压力影响下有限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的结合能,计算中考虑了电子有效质量,电子面密度,介电常数以及禁带宽度随流体静压力的变化.数值计算结果表明,随着电子面密度的增加,杂质态结合能降低,当电子面密度较大时,随着量子点尺寸的增大,结合能最终趋于一个相同的值.同时发现随着压力的增加,在0到10GPa范围内,施主杂质态的结合能随压力变化呈线性增加的趋势,此变化趋势对于小量子点更显著.另外,随着铝组分的增加结合能相应的增加,此变化趋势对于铝组分低的情况更显著.结果表明导带弯曲效应对结合能的贡献是不能忽略的.     

替代式富勒烯C_(59)X(X=Si,O)的结构研究

采用基于第一性原理的全势能线性糕模轨道分子动力学(FP-LMTO-MD)方法研究了替代式富勒烯C59X(X=Si,O)的几何结构和稳定性.研究表明尽管在掺杂原子附近发生一定程度的畸变,但优化后的结构仍然保持C60的笼状结构.与纯富勒烯相比,它们的结合能降低,稳定性减弱.     

(HgTe)_n(n=2～8)团簇的基态结构和电子性质

采用密度泛函理论计算,研究了(HgTe)n(n=2～8)团簇基态结构、结合能、能隙、垂直亲和势和二阶能量差分等性质。在广义梯度近似下,对(HgTe)n各种可能的几何结构进行了优化,预测了各团簇的最稳定结构,并对其电子性质进行了计算。研究结果表明:当n=2、n=3时,团簇的最低能量构型是平面结构;当n≥4时,团簇的最低能量结构是三维结构,并且可以看成是由(HgTe)2和(HgTe)3单元组成。(HgTe)n团簇的能隙、垂直亲和势和二阶能量差分表明:(HgTe)3和(HgTe)6是团簇的稳定结构,即n=3和n=6是团簇的幻数。     

乙烯在过渡金属表面的吸附与分解

本文研究了乙烯（C2H4）在Ru(10 10^-)表面的吸附，在低温下（200K以上）乙烯可以在Ru(10 10^-)表面以上分子状态稳定吸附，在200K以上乙烯则发生了脱氢分解反应，TDS结果表明乙烯分解后的主要产物为乙烯（C2H2），乙烯分解后碳的1s能级向低结合方能向移动了0.3eV.