单价离子晶体结合能的一种量子计算方法

将单价离子晶体的离子进行非谐振子处理，利用微扰理论求解微扰项对能级的修正值，与经典结果比较，这种量子方法计算出的单价离子晶体结合能更为精确．     

在折叠模型下对双Λ超核(_(ΛΛ)~6He)和(_(ΛΛ)~(10)Be)基态结合能的计算

在集团模型和少体理论基础上,采用折叠模型方法和相同的Λ-Λ势和Λ-α势,给出了各集团间的相互作用势,并计算了双Λ超核Λ6ΛHe和Λ10ΛBe的基态结合能和集团间的均方根半径,得到的结果与实验值符合较好.     

Ag-Cu合金的电子结构

依据特征晶体的能量、晶格常数和电子结构的相关性和OA理论的约束条件 ,确定了Ag Cu系Gibbs能函数、原子体积函数和特征晶体的电子结构 .随后 ,任意成分的无序合金和任意有序度的有序合金的电子结构和性质均可计算求得 .     

相对论平均场论与原子核的平均性质

用考虑了有限核子体积效应的相对论平均场论，计算了１６５４个核的结合能并与实验值进行了比较，计算结果的平均行为与相应的实验值很相似，存在５．７４％的系统偏差．１６５４个核的每核子结合能与实验值之间的偏差的均方差为０．４６６ＭｅＶ。     

SH2域与磷酸化多肽相互作用的连续溶剂模型研究

使用连续溶剂模型方法研究了SH2结构域与磷酸化多肽pYXXX(X为20种常见氨基酸残基中的任意一种)之间的相互作用.首先计算了已知的SH2域-磷酸化酪氨酸多肽复合物之间的结合能,理论计算的结果与实验测得的亲合能之间的相关系数为0.91,验证了理论模型的正确性.然后,用该模型方法计算了SH2域与pYXXX之间的结合能,分析了磷酸化酪氨酸多肽pYXXX中 1, 2, 3位置上残基对结合能的影响.结果表明 2, 3位置上残基的变化对结合能影响较大, 2位置上带负电的残基和 3位置上的疏水性残基有利于SH2域与pYXXX之间的相互作用,这与实验结果一致.     

双重子△△（3，0）和△△（0，3）的结构

在推广的手征SU（3）夸克模型下，研究了单道下非奇异双重子△△（3,0）和△△（0,3）的结构．研究表明手征SU（3）夸克模型和推广的手征SU（3）夸克模型给出的定性结果是一样的．但两种模型下短程力的机制完全不同．     

分数维近似方法研究:矩形量子阱线中浅施主杂质结合能探

采用分数维近似方法并首次将系统推导法确定等效维数α应用在量子阶线中来考察矩形横截面量子饼线中浅施主杂质的结合能，并对等横截面积矩形横截面量子陕线中杂质的等效维数和结合能受量子阶线形状的影响进行了详细的讨论．     

原子核存在性问题的讨论

本根据原子核质量的半经验公式，讨论了原子核的存在性问题，并得到了一些有价值的结论。     

导带弯曲对有限深GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的影响及其压力效应（英文）

用三角势近似界面导带弯曲,采用变分理论研究了流体静压力影响下有限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的结合能,计算中考虑了电子有效质量,电子面密度,介电常数以及禁带宽度随流体静压力的变化.数值计算结果表明,随着电子面密度的增加,杂质态结合能降低,当电子面密度较大时,随着量子点尺寸的增大,结合能最终趋于一个相同的值.同时发现随着压力的增加,在0到10GPa范围内,施主杂质态的结合能随压力变化呈线性增加的趋势,此变化趋势对于小量子点更显著.另外,随着铝组分的增加结合能相应的增加,此变化趋势对于铝组分低的情况更显著.结果表明导带弯曲效应对结合能的贡献是不能忽略的.